| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 기술 | 파워 - 최대 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 현황 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 현재 - 최대 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 소스-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼진 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 다이오드 | 전압 - 역방향(최대) | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 저항 @ If, F | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAT6804WH6327XTSA1 | 0.6700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | SC-70, SOT-323 | BAT6804 | PG-SOT323 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 130mA | 150mW | 1pF @ 0V, 1MHz | 쇼트키 - 1쌍 직렬 연결 | 8V | 10옴 @ 5mA, 10kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPI530N15N3GXKSA1 | - | ![]() | 5036 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | IPI530 | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 150V | 21A(TC) | 8V, 10V | 53m옴 @ 18A, 10V | 4V @ 35μA | 12nC @ 10V | ±20V | 75V에서 887pF | - | 68W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFN8403TR | - | ![]() | 7640 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | IRFN8403 | MOSFET(금속) | 8-PQFN(5x6) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 40V | 95A(Tc) | 10V | 3.3m옴 @ 50A, 10V | 100μA에서 3.9V | 98nC @ 10V | ±20V | 3174pF @ 25V | - | 4.3W(Ta), 94W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300GA170DLS | 161.7500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | -40°C ~ 125°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | BSM300 | 2500W | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 하나의 | - | 1700V | 600A | 3.3V @ 15V, 300A | 600μA | 아니요 | 20nF @ 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMT65R022M1HXTMA1 | - | ![]() | 3711 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | IMT65R | - | ROHS3 준수 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDC07D60F6X1SA5 | - | ![]() | 2821 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 분수 | SIDC07D60 | 기준 | 분수 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 표준 복구 >500ns, > 200mA(Io) | 600V | 1.6V @ 22.5A | 600V에서 27μA | -40°C ~ 175°C | 22.5A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC007N04NM6ATMA1 | 3.3300 | ![]() | 3685 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 6 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | ISC007N | MOSFET(금속) | PG-TDSON-8 FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 40V | 48A(Ta), 381A(Tc) | 6V, 10V | 0.7m옴 @ 50A, 10V | 2.8V @ 1.05mA | 117nC @ 10V | ±20V | 8400pF @ 20V | - | 3W(Ta), 188W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPF042N10NF2SATMA1 | 2.5100 | ![]() | 792 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™ 2 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) | MOSFET(금속) | PG-TO263-7 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 21A(타), 139A(Tc) | 6V, 10V | 4.25m옴 @ 80A, 10V | 3.8V @ 93μA | 85nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4000pF | - | 3.8W(Ta), 167W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS119NH7978XTSA1 | 0.1200 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET(금속) | PG-SOT23-3-5 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 190mA(타) | 4.5V, 10V | 6옴 @ 190mA, 10V | 2.3V @ 13μA | 10V에서 0.6nC | ±20V | 20.9pF @ 25V | - | 500mW(타) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR7546TRPBF | 1.0400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | StrongIRFET™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR7546 | MOSFET(금속) | DPAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 60V | 56A(티씨) | 6V, 10V | 7.9m옴 @ 43A, 10V | 100μA에서 3.7V | 87nC @ 10V | ±20V | 3020pF @ 25V | - | 99W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8010SPBF | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 100V | 80A(Tc) | 10V | 15m옴 @ 45A, 10V | 4V @ 250μA | 120nC @ 10V | ±20V | 3830pF @ 25V | - | 260W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSL205NL6327 | - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 | BSL205 | MOSFET(금속) | 500mW | PG-TSOP6-6 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 N채널(듀얼) | 20V | 2.5A | 50m옴 @ 2.5A, 4.5V | 1.2V @ 11μA | 3.2nC @ 4.5V | 419pF @ 10V | 게임 레벨 레벨 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPAN60R125PFD7SXKSA1 | 2.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™PFD7 | 튜브 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPAN60 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 650V | 25A(TC) | 10V | 125m옴 @ 7.8A, 10V | 390μA에서 4.5V | 36nC @ 10V | ±20V | 400V에서 1503pF | - | 32W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA040N06NXKSA1 | 2.6000 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA040 | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 60V | 69A(Tc) | 6V, 10V | 4m옴 @ 69A, 10V | 50μA에서 3.3V | 44nC @ 10V | ±20V | 3375pF @ 30V | - | 36W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPSA70R1K2P7SAKMA1 | 0.7900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P7 | 튜브 | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA | IPSA70 | MOSFET(금속) | PG-TO251-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 700V | 4.5A(Tc) | 10V | 1.2옴 @ 900mA, 10V | 40μA에서 3.5V | 4.8nC @ 400V | ±16V | 400V에서 174pF | - | 25W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB048N15N5ATMA1 | 8.3800 | ![]() | 770 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB048 | MOSFET(금속) | PG-TO263-3-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 150V | 120A(Tc) | 8V, 10V | 4.8m옴 @ 60A, 10V | 4.6V @ 264μA | 100nC @ 10V | ±20V | 7800pF @ 75V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX5116H6327XTSA1 | - | ![]() | 7007 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-243AA | BCX5116 | 2W | PG-SOT89 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 45V | 1A | 100nA(ICBO) | PNP | 500mV @ 50mA, 500mA | 100 @ 150mA, 2V | 125MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI7440GPBF | - | ![]() | 6468 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET®, StrongIRFET™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | TO-220AB 풀팩 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 40V | 95A(Tc) | 10V | 2.5m옴 @ 57A, 10V | 100μA에서 3.9V | 132nC @ 10V | ±20V | 25V에서 4549pF | - | 42W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7726TRPBF | - | ![]() | 4867 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) | IRF7726 | MOSFET(금속) | 마이크로8™ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | P채널 | 30V | 7A(타) | 4.5V, 10V | 26m옴 @ 7A, 10V | 2.5V @ 250μA | 69nC @ 10V | ±20V | 2204pF @ 25V | - | 1.79W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD104N14KOFAHPSA1 | 163.0127 | ![]() | 1850년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 140°C | 방역 | 기준기준 | TD104N14 | 직렬 연결 - SCR/다이오드 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 15 | 200mA | 1.4kV | 160A | 1.4V | 2050A @ 50Hz | 120mA | 104A | SCR 1개, 다이오드 1개 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS12507WH6327XTSA1 | 0.8700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 표면 실장 | SC-82A, SOT-343 | BAS12507 | 쇼트키 | PG-SOT343-4-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 2개의 면 | 25V | 100mA(DC) | 950mV @ 35mA | 25V에서 150nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA80R310CEXKSA1 | - | ![]() | 3884 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ CE | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -40°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | IPA80R | MOSFET(금속) | PG-TO220-FP | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 800V | 6.8A(Tc) | 310m옴 @ 11A, 10V | 3.9V @ 1mA | 91nC @ 10V | 100V에서 2320pF | - | 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR5505TRLPBF | 1.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | IRFR5505 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P채널 | 55V | 18A(TC) | 10V | 110m옴 @ 9.6A, 10V | 4V @ 250μA | 32nC @ 10V | ±20V | 25V에서 650pF | - | 57W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP100P03P3L-04 | - | ![]() | 7083 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP100P | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000311114 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | P채널 | 30V | 100A(Tc) | 4.5V, 10V | 4.3m옴 @ 80A, 10V | 2.1V에서 475μA | 200nC @ 10V | +5V, -16V | 25V에서 9300pF | - | 200W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7413ZPBF | - | ![]() | 3508 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001551348 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,800 | N채널 | 30V | 13A(타) | 4.5V, 10V | 10m옴 @ 13A, 10V | 2.25V @ 25μA | 14nC @ 4.5V | ±20V | 1210pF @ 15V | - | 2.5W(타) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFC4568EB | - | ![]() | 2403 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | - | 표면 실장 | 분수 | MOSFET(금속) | 분수 | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 1 | N채널 | 150V | 171A(타) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF6643TRPBF | 2.3800 | ![]() | 2314 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 MZ | IRF6643 | MOSFET(금속) | DIRECTFET™ MZ | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,800 | N채널 | 150V | 6.2A(Ta), 35A(Tc) | 10V | 34.5m옴 @ 7.6A, 10V | 150μA에서 4.9V | 55nC @ 10V | ±20V | 2340pF @ 25V | - | 2.8W(Ta), 89W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP60R160P6XKSA1 | 4.0300 | ![]() | 443 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolMOS™ P6 | 튜브 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | IPP60R160 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001017068 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N채널 | 600V | 23.8A(Tc) | 10V | 160m옴 @ 9A, 10V | 750μA에서 4.5V | 44nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2080pF | - | 176W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFSL3607PBF | - | ![]() | 4494 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | TO-262 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001565218 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 75V | 80A(Tc) | 10V | 9m옴 @ 46A, 10V | 4V @ 100μA | 84nC @ 10V | ±20V | 3070pF @ 50V | - | 140W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW50R350CPFKSA1 | - | ![]() | 1989년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-247-3 | IPW50R | MOSFET(금속) | PG-TO247-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | N채널 | 550V | 10A(TC) | 10V | 350m옴 @ 5.6A, 10V | 3.5V @ 370μA | 25nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1020pF | - | 89W(Tc) |

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