| 영상 | 제품번호 | 가격(USD) | 수량 | ECAD | 사용 수량 보유 | 무게(Kg) | 제조사 | 시리즈 | 세트 | 제품상태 | 작동 온도 | 장착 | 세트/케이스 | 기본 제품 번호 | 입력하다 | 기술 | 파워 - 파워 | 구조 | 입력 | 공급자 장치 | 데이터 시트 | RoHS 상태 | 민감도특급(MSL) | REACH 상태 | 다른 이름 | ECCN | HTSUS | 세트 세트 | 구성 | 속도 | FET 종류 | 전류 - 유지(Ih)(최대) | 테스트 조건 | 얻다 | 천연-소스 전압(Vdss) | 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C | 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) | Rds On(최대) @ Id, Vgs | Vgs(일)(최대) @ Id | 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs | Vgs(최대) | 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds | FET는 | 전력량(최대) | 전압 - 꺼짐 상태 | 현재 - 충전짐상태(It(RMS))(최대) | 전압 - 수채화(Vgt)(최대) | 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 메모리 - 메모리(Igt)(최대) | 현재 - 충전상태(It(AV))(최대) | 다이오 구성 | 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) | 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 역복구 시간(trr) | 현재 - 역방향 위치 @ Vr | 작동온도 - 그리고 | 현재 - 정류된 평균(Io) | 커패시턴스 @ Vr, F | SCR, 다이오드 수 | IGBT | 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) | 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) | 현재 - 컬렉터(Icm) | Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 감정을 에너지 | 관리요금 | Td(켜기/끄기) @ 25°C | - 컬렉터 컷오프(최대) | NTC 서미스터 | 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce | 거주형태 | Vce니까(최대) @ Ib, Ic | DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 전환 - 전환 | 모델 지수(dB 일반 @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGS4064DTRRPBF | - | ![]() | 1963년 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 101W | D²PAK | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001536502 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 10A, 22옴, 15V | 62ns | 도랑 | 600V | 20A | 40A | 1.91V @ 15V, 10A | 29μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) | 32nC | 27ns/79ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRFS4115TRL | 4.6267 | ![]() | 8432 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | AUIRFS4115 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001518088 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 150V | 99A(Tc) | 10V | 12.1m옴 @ 62A, 10V | 5V @ 250μA | 120nC @ 10V | ±20V | 5270pF @ 50V | - | 375W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R125CP | - | ![]() | 1680 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-31 | 다운로드 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 600V | 25A(TC) | 10V | 125m옴 @ 16A, 10V | 3.5V @ 1.1mA | 70nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2500pF | - | 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ30AH | 1.0000 | ![]() | 7250 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | SIPMOS® | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N채널 | 200V | 21A(TC) | 130m옴 @ 13.5A, 10V | 4V @ 1mA | ±20V | 1900pF @ 25V | - | 125W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP100N03S2L03 | - | ![]() | 3739 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 30V | 100A(Tc) | 10V | 3m옴 @ 80A, 10V | 2V @ 250μA | 220nC @ 10V | ±20V | 8180pF @ 25V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF650R17IE4PBOSA1 | 654.5700 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | PrimePACK™2 | 쟁반 | 활동적인 | -40°C ~ 150°C | 방역 | 기준기준 | FF650R17 | 기준 | 기준기준 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 해당사항 없음 | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 2개의 면 | 트렌치 필드스톱 | 1700V | 650A | 2.45V @ 15V, 650A | 5mA | 예 | 25V에서 54nF | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI65R190C | 2.0000 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | PG-TO262-3-1 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 650V | 20.2A(Tc) | 10V | 190m옴 @ 7.3A, 10V | 730μA에서 3.5V | 73nC @ 10V | ±20V | 100V에서 1620pF | - | 151W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS3307ZTRRPBF | 2.9100 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IRFS3307 | MOSFET(금속) | D²PAK(TO-263) | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 10V | 5.8m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 150μA | 110nC @ 10V | ±20V | 50V에서 4750pF | - | 230W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPI023NE7N3G | 2.2800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA | MOSFET(금속) | PG-TO262-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 75V | 120A(Tc) | 2.3m옴 @ 100A, 10V | 3.8V @ 273μA | 206nC @ 10V | 14400pF @ 37.5V | - | 300W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857AE6327 | 0.0400 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC857 | 330mW | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,460 | 45V | 100mA | 15nA(ICBO) | PNP | 650mV @ 5mA, 100mA | 125 @ 2mA, 5V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFP650H6327XTSA1 | 0.6100 | ![]() | 240 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | SC-82A, SOT-343 | BFP650 | 500mW | PG-SOT343-3D | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 10.5dB ~ 21.5dB | 4.5V | 150mA | NPN | 110 @ 80mA, 3V | 37GHz | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TT425N16KS13HPSA1 | - | ![]() | 8377 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 쟁반 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 125°C (TJ) | 방역 | 기준기준 | TT425N | 직렬 연결 - 모든 SCR | - | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 300mA | 1.6kV | 800A | 1.5V | 14500A @ 50Hz | 250mA | 471A | SCR 2개 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR4620PBF | - | ![]() | 9622 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001557056 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N채널 | 200V | 24A(TC) | 10V | 78m옴 @ 15A, 10V | 100μA에서 5V | 38nC @ 10V | ±20V | 50V에서 1710pF | - | 144W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPP100N08S2L-07 | - | ![]() | 6925 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 옵티모스™ | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | SPP100N | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-1 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N채널 | 75V | 100A(Tc) | 10V | 6.8m옴 @ 68A, 10V | 2V @ 250μA | 246nC @ 10V | ±20V | 25V에서 7130pF | - | 300W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAW56E6433 | 0.0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAW56 | 기준 | PG-SOT23 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 구역 | 80V | 200mA(DC) | 1.25V @ 150mA | 4ns | 70V에서 150nA | 150°C(최대) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI4019HG-117P | - | ![]() | 2372 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-5 풀팩, 아름다운 리드 | IRFI4019 | MOSFET(금속) | 18W | TO-220-5 풀팩 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 2 N채널(듀얼) | 150V | 8.7A | 95m옴 @ 5.2A, 10V | 50μA에서 4.9V | 20nC @ 10V | 810pF @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7749L2TR1PBF | - | ![]() | 5676 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | MOSFET(금속) | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 60V | 33A(타), 375A(Tc) | 10V | 1.5m옴 @ 120A, 10V | 4V @ 250μA | 300nC @ 10V | ±20V | 25V에서 12320pF | - | 3.3W(Ta), 125W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ146N10LS5ATMA1 | 1.7200 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | OptiMOS™ 5 | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | 8파워TDFN | BSZ146 | MOSFET(금속) | PG-TSDSON-8-FL | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N채널 | 100V | 40A(Tc) | 4.5V, 10V | 14.6m옴 @ 20A, 10V | 2.3V @ 23μA | 3.2nC @ 4.5V | ±20V | 50V에서 1300pF | 기준 | 52W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7413QTRPBF | - | ![]() | 8449 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 컷테이프(CT) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 표면 실장 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) | MOSFET(금속) | 8-SO | 다운로드 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 4,000 | N채널 | 30V | 13A(타) | 11m옴 @ 7.3A, 10V | 3V @ 250μA | 79nC @ 10V | 25V에서 1800pF | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54-06E6327 | 0.0500 | ![]() | 163 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 실장 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | 쇼트키 | PG-SOT23-3-3 | 다운로드 | 해당 없음 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | 1쌍 구역 | 30V | 200mA(DC) | 800mV @ 100mA | 5ns | 25V에서 2μA | 150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3518TRPBF | - | ![]() | 7857 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N채널 | 80V | 38A(Tc) | 10V | 29m옴 @ 18A, 10V | 4V @ 250μA | 56nC @ 10V | ±20V | 25V에서 1710pF | - | 110W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP53-10E6327 | 0.1200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-261-4, TO-261AA | 2W | PG-SOT223-4 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80V | 1A | 100nA(ICBO) | 500mV @ 50mA, 500mA | 63 @ 150mA, 2V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AUIRF2903Z | - | ![]() | 3673 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 튜브 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 | MOSFET(금속) | TO-220AB | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP001519238 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 30V | 160A(Tc) | 10V | 2.4m옴 @ 75A, 10V | 4V @ 250μA | 240nC @ 10V | ±20V | 6320pF @ 25V | - | 290W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUZ331 | 2.2800 | ![]() | 215 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB90R340C3ATMA1 | - | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB | IPB90R | MOSFET(금속) | PG-TO263-3 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N채널 | 900V | 15A(Tc) | 10V | 340m옴 @ 9.2A, 10V | 3.5V @ 1mA | 94nC @ 10V | ±20V | 100V에서 2400pF | - | 208W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDH16G65C5XKSA1 | - | ![]() | 8089 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | CoolSiC™+ | 튜브 | SIC에서는 존재하지 않았습니다. | 스루홀 | TO-220-2 | IDH16 | SiC(탄화규소) 쇼트키 | PG-TO220-2-2 | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 복구 시간 없음 > 500mA(Io) | 650V | 1.7V @ 16A | 0ns | 650V에서 550μA | -55°C ~ 175°C | 16A | 470pF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA07N60C2 | 0.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | 쿨모스™ | 대부분 | 활동적인 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 스루홀 | TO-220-3 풀팩 | MOSFET(금속) | PG-TO220-3-31 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | 공급자가 규정하지 않는 경우 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N채널 | 600V | 7.3A(Tc) | 10V | 600m옴 @ 4.6A, 10V | 350μA에서 5.5V | 35nC @ 10V | ±20V | 25V에서 970pF | - | 32W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR120ZTRL | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 더 이상 사용하지 않는 경우 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 | MOSFET(금속) | D-박 | 다운로드 | RoHS 비준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,000 | N채널 | 100V | 8.7A(Tc) | 10V | 190m옴 @ 5.2A, 10V | 4V @ 250μA | 10nC @ 10V | ±20V | 310pF @ 25V | - | 35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPC60R041C6UNSAWNX6SA1 | - | ![]() | 3057 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | - | 대부분 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | IPC60R | - | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | SP000910380 | 더 이상 사용하지 않는 경우 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFS4010TRL7PP | 3.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 인피니언 테크놀로지스 | HEXFET® | 테이프 및 릴리(TR) | 활동적인 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 표면 실장 | TO-263-7, D²Pak(6리드 + 탭), TO-263CB | IRFS4010 | MOSFET(금속) | D2PAK | 다운로드 | ROHS3 준수 | 1(무제한) | REACH 영향을 받지 않았습니다. | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N채널 | 100V | 190A(Tc) | 10V | 4m옴 @ 110A, 10V | 4V @ 250μA | 230nC @ 10V | ±20V | 50V에서 9830pF | - | 380W(Tc) |

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