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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
F4200R17N3E4B58BPSA1 Infineon Technologies F4200R17N3E4B58BPSA1 371.6300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4200R 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 200a 2.3V @ 15V, 200a 1 MA 예 16 nf @ 25 v
FF600R12IP4PBPSA1 Infineon Technologies FF600R12IP4PBPSA1 487.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 Primepack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 20 MW 기준 Ag-Prime2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.05V @ 15V, 600A 5 MA 예 37 NF @ 25 v
F4150R17N3P4B58BPSA1 Infineon Technologies F4150R17N3P4B58BPSA1 332.1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 인피온 인피온 EasyPack ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4150R 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo3b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 150 a 2.2V @ 15V, 150A 1 MA 예 12.3 NF @ 25 v
FS50R12W1T7PB11BPSA1 Infineon Technologies FS50R12W1T7PB11BPSA1 66.5100
RFQ
 ECAD 6375 0.00000000 인피온 인피온 * 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
IPF014N08NF2SATMA1 Infineon Technologies IPF014N08NF2SATMA1 5.1100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 인피온 인피온 Strongirfet ™ 2 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IPF014N MOSFET (금속 (() PG-to263-7-14 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 282A (TC) 6V, 10V 1.4mohm @ 100a, 10V 3.8V @ 267µA 255 NC @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 40 v - 300W (TC)
FF450R07ME4B11BPSA1 Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1 209.5800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF450R07 1450 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 650 v 560 a 1.95V @ 15V, 450A 1 MA 예 27.5 nf @ 25 v
ISK024NE2LM5AULA1 Infineon Technologies ISK024NE2LM5AULA1 0.9200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 Optimos ™, StrongIrfet ™ 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 - 표면 표면 6-powervdfn ISK024N MOSFET (금속 (() 6-pqfn n (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 - 40 v - - - - ± 16V - -
FF600R12ME4B11BPSA2 Infineon Technologies FF600R12ME4B11BPSA2 373.3450
RFQ
 ECAD 9903 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 4050 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 995 a 2.05V @ 15V, 600A 3 MA 예 37 NF @ 25 v
F475R12KS4BPSA1 Infineon Technologies F475R12KS4BPSA1 194.0000
RFQ
 ECAD 1500 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F475R12 500 W. 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 100 a 3.75V @ 15V, 75A 5 MA 예 5.1 NF @ 25 v
DF80R07W1H5FPB50BPSA1 Infineon Technologies DF80R07W1H5FPB50BPSA1 39.4100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30
FD1000R33HL3KB60BPSA1 Infineon Technologies FD1000R33HL3KB60BPSA1 -
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FD1000 1600000 w 기준 AG-IHVB190 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 듀얼 듀얼 헬기 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 2.85V @ 15V, 1KA 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
FZ1000R33HE3B60BPSA1 Infineon Technologies FZ1000R33HE3B60BPSA1 1.0000
RFQ
 ECAD 5155 0.00000000 인피온 인피온 IHM-B 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1000 1600000 w 기준 AG-IHVB130-3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 3300 v 1000 a 3.1V @ 15V, 1KA 5 MA 아니요 190 NF @ 25 v
IPP60R065S7XKSA1 Infineon Technologies IPP60R065S7XKSA1 6.7700
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ S7 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 IPP60R MOSFET (금속 (() PG-to220-3-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 12V 65mohm @ 8a, 12v 4.5V @ 490µA 51 NC @ 12 v ± 20V 1932 pf @ 300 v - 167W (TC)
IFS200B12N3E4B37BPSA1 Infineon Technologies IFS200B12N3E4B37BPSA1 434.9280
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 인피온 인피온 MIPAQ ™ 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 IFS200 20 MW 기준 Ag-Econo3b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 1200 v 200a 2.1V @ 15V, 200a 1 MA 예 14 nf @ 25 v
IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies IPT063N15N5ATMA1 5.8100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn IPT063N MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 448-IPT063N15N5ATMA1DKR 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 150 v 16.2A (TA), 122A (TC) 8V, 10V 6.3mohm @ 50a, 10V 4.6V @ 153µA 59 NC @ 10 v ± 20V 4550 pf @ 75 v - 3.8W (TA), 214W (TC)
IPBE65R145CFD7AATMA1 Infineon Technologies IPBE65R145CFD7AATMA1 3.4789
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IPBE65R MOSFET (금속 (() PG-to263-7-11 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 17A (TC) 10V 145mohm @ 8.5a, 10V 4.5V @ 420µA 36 nc @ 10 v ± 20V 1694 pf @ 400 v - 98W (TC)
FF600R12ME4CB11BPSA1 Infineon Technologies FF600R12ME4CB11BPSA1 395.8320
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FF600R12 4050 w 기준 Ag-Econod 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 2 독립 트렌치 트렌치 정지 1200 v 1060 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA 예 37 NF @ 25 v
IAUA250N04S6N006AUMA1 Infineon Technologies IAUA250N04S6N006AUMA1 4.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 5-powersfn IAUA250 MOSFET (금속 (() PG-HSOF-5-4 - Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 450A (TJ) 7V, 10V 0.64mohm @ 100a, 10V 3V @ 145µA 169 NC @ 10 v ± 20V 11064 pf @ 25 v - 250W (TC)
IMBG65R260M1HXTMA1 Infineon Technologies IMBG65R260M1HXTMA1 6.2300
RFQ
 ECAD 235 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™ M1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA IMBG65R sicfet ((카바이드) PG-to263-7-12 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 6A (TC) 18V 346mohm @ 3.6a, 18V 5.7v @ 1.1ma 6 nc @ 18 v +23V, -5V 201 pf @ 400 v - 65W (TC)
F450R12KS4B11BPSA1 Infineon Technologies F450R12KS4B11BPSA1 155.0500
RFQ
 ECAD 7944 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F450R12 355 w 기준 Ag-ECONO2C 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 70 a 3.75V @ 15V, 50A 1 MA 예 3.4 NF @ 25 v
P3000Z45X168HPSA1 Infineon Technologies P3000Z45X168HPSA1 14.0000
RFQ
 ECAD 4006 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 새로운 새로운 아닙니다 - - - P3000Z 기준 - - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 하나의 - - 아니요
FP75R12N2T4BPSA1 Infineon Technologies FP75R12N2T4BPSA1 217.6653
RFQ
 ECAD 7773 0.00000000 인피온 인피온 Econopim ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FP75R12 20 MW 3 정류기 정류기 브리지 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 75 a 2.15V @ 15V, 75A 1 MA 예 4.3 NF @ 25 v
IAUT300N08S5N011ATMA1 Infineon Technologies IAUT300N08S5N011ATMA1 6.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() PG-HSOF-8-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 80 v 410A (TJ) 6V, 10V 1.1MOHM @ 100A, 10V 3.8V @ 275µA 231 NC @ 10 v ± 20V 16250 pf @ 40 v - 375W (TC)
F4150R17ME4B11BPSA2 Infineon Technologies F4150R17ME4B11BPSA2 295.4880
RFQ
 ECAD 7879 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 F4150R 기준 Ag- 에코 노드 -6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 전체 전체 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 230 a 2.3V @ 15V, 150A 3 MA 아니요 12 nf @ 25 v
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon Technologies IAUC26N10S5L245ATMA1 0.5973
RFQ
 ECAD 1870 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-33 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 100 v 26A (TJ) 4.5V, 10V 24.5mohm @ 13a, 10V 2.2V @ 13µA 12 nc @ 10 v ± 20V 762 pf @ 50 v - 40W (TC)
FS75R12KE3BPSA1 Infineon Technologies FS75R12KE3BPSA1 143.2800
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS75R12 350 w 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 전체 전체 인버터 - 1200 v 105 a 2.15V @ 15V, 75A 5 MA 예 5.3 NF @ 25 v
FS100R07N2E4BPSA1 Infineon Technologies FS100R07N2E4BPSA1 136.6000
RFQ
 ECAD 5677 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS100R07 335 w 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 650 v 100 a 1.95V @ 15V, 100A 1 MA 예 6.2 NF @ 25 v
ISC011N06LM5ATMA1 Infineon Technologies ISC011N06LM5ATMA1 4.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn ISC011N MOSFET (금속 (() PG-TDSON-8-17 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 37A (TA), 288A (TC) 4.5V, 10V 1.15mohm @ 50a, 10V 2.3V @ 116µA 170 nc @ 10 v ± 20V 11000 pf @ 30 v - 3W (TA), 188W (TC)
FS50R17KE3B17BPSA1 Infineon Technologies FS50R17KE3B17BPSA1 179.0947
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 인피온 인피온 EconoPack ™ 2 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FS50R17 345 w 기준 Ag-Econo2b 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 3 단계 인버터 트렌치 트렌치 정지 1700 v 82 a 2.45V @ 15V, 50A 1 MA 아니요 4.5 NF @ 25 v
IFF600B12ME4B11BPSA1 Infineon Technologies IFF600B12ME4B11BPSA1 392.9980
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 인피온 인피온 Econodual ™ 3 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 IFF600 20 MW 기준 Ag-Econod-5 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 600 a 2.1V @ 15V, 600A 3 MA 예 37 NF @ 25 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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