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디스크리트 반도체(16626)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 속도 FET 종류 테스트 조건 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
IRGPC40U Infineon Technologies IRGPC40U -
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 ECAD 4786 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 가방 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 160W TO-247AC 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 25 - 600V 40A 3V @ 15V, 20A
IPB60R210CFD7ATMA1 Infineon Technologies IPB60R210CFD7ATMA1 2.0566
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 ECAD 2440 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CFD7 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB60R210 MOSFET(금속) PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 600V 12A(TC) 10V 210m옴 @ 4.9A, 10V 250μA에서 4.5V 23nC @ 10V ±20V 400V에서 1015pF - 64W(Tc)
FD450R12KE4HPSA1 Infineon Technologies FD450R12KE4HPSA1 170.7070
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 ECAD 3494 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 - ROHS3 준수 10
BAS40-60B5000 Infineon Technologies BAS40-60B5000 -
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 ECAD 1118 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 대부분 활동적인 BAS40 - 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8541.10.0070 10,000
BCR133WH6327XTSA1 Infineon Technologies BCR133WH6327XTSA1 0.0553
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 ECAD 1080 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 표면 실장 SC-70, SOT-323 BCR133 250mW PG-SOT323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 130MHz 10kΩ 10kΩ
BSZ100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 1.1600
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 ECAD 121 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN BSZ100 MOSFET(금속) PG-TSDSON-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 60V 11A(Ta), 20A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 23μA 45nC @ 10V ±20V 3500pF @ 30V - 2.1W(Ta), 50W(Tc)
BAT165E6874HTMA1 Infineon Technologies BAT165E6874HTMA1 0.5400
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 ECAD 8 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-76, SOD-323 쇼트키 PG-SOD323-2 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 10,000 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 40V 740mV @ 750mA 40V에서 50μA 150°C 750mA 8.4pF @ 10V, 1MHz
BSC159N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC159N10LSFGATMA1 -
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 ECAD 1104 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN BSC159 MOSFET(금속) PG-TDSON-8-1 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 5,000 N채널 100V 9.4A(Ta), 63A(Tc) 4.5V, 10V 15.9m옴 @ 50A, 10V 2.4V @ 72μA 35nC @ 10V ±20V 50V에서 2500pF - 114W(Tc)
IPU80R750P7AKMA1-ND Infineon Technologies IPU80R750P7AKMA1-ND 0.7700
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 ECAD 1 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ P7 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) PG-TO-251-3-341 다운로드 해당 없음 1(무제한) 공급자가 규정하지 않는 경우 EAR99 8542.39.0001 1 N채널 800V 7A(티제이) 10V 750m옴 @ 2.7A, 10V 140μA에서 3.5V 17nC @ 10V ±20V 500V에서 460pF - 51W(Tc)
IPD65R600C6ATMA1 Infineon Technologies IPD65R600C6ATMA1 -
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 ECAD 3997 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IPD65R MOSFET(금속) PG-TO252-3-313 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001121530 EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 650V 7.3A(Tc) 10V 600m옴 @ 2.1A, 10V 210μA에서 3.5V 23nC @ 10V ±20V 100V에서 440pF - 63W(Tc)
IHW30N135R3 Infineon Technologies IHW30N135R3 2.5500
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 ECAD 1532 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 대부분 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 기준 349W PG-TO247-3 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 88 600V, 30A, 10옴, 15V 트렌치 필드스톱 1350V 60A 90A 1.85V @ 15V, 30A 1.93mJ(꺼짐) 263nC -/337ns
BAS4002LE6327 Infineon Technologies BAS4002LE6327 0.0800
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 ECAD 15 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 표면 실장 SOD-882 BAS40 쇼트키 PG-TSLP-2-1 다운로드 해당 없음 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 15,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 40V 1V @ 40mA 30V에서 1μA 150°C 120mA 3pF @ 0V, 1MHz
IRF7416GTRPBF Infineon Technologies IRF7416GTRPBF -
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 ECAD 1308 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 P채널 30V 10A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 5.6A, 10V 1V @ 250μA 92nC @ 10V ±20V 25V에서 1700pF - 2.5W(타)
BC817K40WE6327HTSA1 Infineon Technologies BC817K40WE6327HTSA1 -
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 ECAD 6266 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 BC817 250mW PG-SOT323 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 500mA 100nA(ICBO) NPN 700mV @ 50mA, 500mA 250 @ 100mA, 1V 170MHz
IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 12.9500
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 ECAD 264 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 IMZA65 SiCFET(탄화규소) PG-TO247-4-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 28A(TC) 18V 94m옴 @ 13.3A, 18V 5.7V @ 4mA 22nC @ 18V +23V, -5V 400V에서 744pF - 96W(Tc)
IRL3714LPBF Infineon Technologies IRL3714LPBF -
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 ECAD 7430 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA MOSFET(금속) TO-262 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 20V 36A(티씨) 4.5V, 10V 20m옴 @ 18A, 10V 3V @ 250μA 9.7nC @ 4.5V ±20V 10V에서 670pF - 47W(Tc)
IPB147N03LGATMA1 Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1 -
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 ECAD 8730 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IPB147N MOSFET(금속) PG-TO263-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 20A(TC) 4.5V, 10V 14.7m옴 @ 20A, 10V 2.2V @ 250μA 10nC @ 10V ±20V 15V에서 1000pF - 31W(Tc)
BCX42E6327HTSA1 Infineon Technologies BCX42E6327HTSA1 0.3900
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 ECAD 17 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX42 330mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 125V 800mA 10μA PNP 900mV @ 30mA, 300mA 40 @ 200mA, 1V 150MHz
BCP6925E6327HTSA1 Infineon Technologies BCP6925E6327HTSA1 -
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 ECAD 5891 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BCP69 3W PG-SOT223-4 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 20V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 100mA, 1A 160 @ 500mA, 1V 100MHz
IRFR3910PBF Infineon Technologies IRFR3910PBF -
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 ECAD 5113 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 MOSFET(금속) D-박 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001571594 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 100V 16A(티씨) 10V 115m옴 @ 10A, 10V 4V @ 250μA 44nC @ 10V ±20V 25V에서 640pF - 79W(Tc)
IDW20G65C5XKSA1 Infineon Technologies IDW20G65C5XKSA1 9.0900
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 ECAD 162 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™+ 튜브 활동적인 스루홀 TO-247-3 IDW20G65 SiC(탄화규소) 쇼트키 PG-TO247-3-41 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 30 복구 시간 없음 > 500mA(Io) 650V 1.7V @ 20A 0ns 650V에서 210μA -55°C ~ 175°C 20A 590pF @ 1V, 1MHz
T345N18EOFVTXPSA1 Infineon Technologies T345N18EOFVTXPSA1 -
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 ECAD 3811 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 - 나사산 비표준 T345N - - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1 8000A @ 50Hz 1 SCR
SIDC03D60F6X1SA2 Infineon Technologies SIDC03D60F6X1SA2 -
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 ECAD 8437 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 분수 SIDC03 기준 호일에 최고질 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0080 1 빠른 복구 =< 500ns, >200mA(이오) 600V 1.6V @ 6A 600V에서 27μA -40°C ~ 150°C 6A -
IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies IGD01N120H2BUMA1 0.8552
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 ECAD 4564 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 IGD01 기준 28W PG-TO252-3-11 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 800V, 1A, 241옴, 15V - 1200V 3.2A 3.5A 2.8V @ 15V, 1A 140μJ 8.6nC 13ns/370ns
IPA60R600E6 Infineon Technologies IPA60R600E6 0.8100
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 ECAD 640 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS E6™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩 MOSFET(금속) PG-TO220-3-111 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 0000.00.0000 1 N채널 600V 7.3A(Tc) 10V 600m옴 @ 2.4A, 10V 200μA에서 3.5V 20.5nC @ 10V ±20V 100V에서 440pF - 28W(Tc)
IPI045N10N3GXK Infineon Technologies IPI045N10N3GXK -
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 ECAD 8782 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 OptiMOS™ 3 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-262-3 긴 리드, I²Pak, TO-262AA IPI045N MOSFET(금속) PG-TO262-3 - 3(168시간) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP000482424 EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 100V 137A (Tc) 6V, 10V 4.5m옴 @ 100A, 10V 150μA에서 3.5V 117nC @ 10V ±20V 50V에서 8410pF - 214W(Tc)
BCW61CE6327 Infineon Technologies BCW61CE6327 0.0400
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 ECAD 48 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 활동적인 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 330mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 7,454 32V 100mA 20nA(ICBO) PNP 550mV @ 1.25mA, 50mA 250 @ 2mA, 5V 250MHz
BCP5316H6327XTSA1 Infineon Technologies BCP5316H6327XTSA1 0.2968
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 ECAD 3529 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BCP53 2W PG-SOT223-4-24 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 125MHz
ACCESSORY34008NOSA1 Infineon Technologies 액세서리34008NOSA1 -
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 ECAD 8312 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 액세서리3 - REACH 영향을 받지 않았습니다. 448-액세서리34008NOSA1 EAR99 8542.39.0001 1
IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1 6.3700
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 ECAD 11 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 옵티모스™ 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-7, D²Pak(6 리드 + 탭) IPB019 MOSFET(금속) PG-TO263-7 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 80V 180A(Tc) 6V, 10V 1.9m옴 @ 100A, 10V 3.5V @ 270μA 206nC @ 10V ±20V 40V에서 14200pF - 300W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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