SIC
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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 구조 입력 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 속도 FET 종류 전류 - 유지(Ih)(최대) 테스트 조건 얻다 현재의 전압 전압 - 절연 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 꺼짐 상태 전압 - 수채화(Vgt)(최대) 현재 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) 메모리 - 메모리(Igt)(최대) 다이오 구성 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) 현재 - 정류된 평균(Io)(다이오드당) 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If 역복구 시간(trr) 현재 - 역방향 위치 @ Vr 작동온도 - 그리고 현재 - 정류된 평균(Io) 커패시턴스 @ Vr, F SCR, 다이오드 수 IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 관리요금 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) NTC 서미스터 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2) 모델 지수(dB 일반 @ f)
F417MR12W1M1HPB76BPSA1 Infineon Technologies F417MR12W1M1HPB76BPSA1 152.9700
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ECAD 30 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 F417MR12 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30
IMZA120R014M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZA120R014M1HXKSA1 52.5600
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ECAD 193 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolSiC™ 튜브 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-4 SiCFET(탄화규소) PG-TO247-4-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 1200V 127A(Tc) 15V, 18V 18.4m옴 @ 54.3A, 18V 5.2V @ 23.4mA 110nC @ 18V +20V, -5V 4580nF @ 25V - 455W(Tc)
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
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ECAD 8961 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 125°C (TJ) 방역 기준기준 FZ1000R45 1600000W 기준 A-IHV130 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2 스위치 트렌치 필드스톱 4500V 1000A 3.05V @ 15V, 1kA 5mA 아니요 25V에서 185nF
TZ800N18KS05HPSA1 Infineon Technologies TZ800N18KS05HPSA1 -
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ECAD 9055 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 더 이상 사용하지 않는 경우 방역 기준기준 TZ800N - 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001692500 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 1
IRFZ44NSTRRPBF Infineon Technologies IRFZ44NSTRRPBF -
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ECAD 7117 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET(금속) D2PAK 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001567882 EAR99 8541.29.0095 800 N채널 55V 49A(TC) 10V 17.5m옴 @ 25A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 25V에서 1470pF - 3.8W(Ta), 94W(Tc)
IRGB4064DPBF Infineon Technologies IRGB4064DPBF -
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ECAD 9264 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 기준 101W TO-220AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 22옴, 15V 62ns 도랑 600V 20A 40A 1.91V @ 15V, 10A 29μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) 21nC 27ns/79ns
STT1400N18P55XPSA1 Infineon Technologies STT1400N18P55XPSA1 513.5900
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ECAD 3466 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 쟁반 활동적인 125°C (TJ) 방역 기준기준 STT1400 1상 컨트롤러 - 모든 SCR 다운로드 ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.30.0080 1 300mA 1.8kV 2V 10500A @ 60Hz 200mA SCR 2개
IRG4BC30U-STRRP Infineon Technologies IRG4BC30U-STRRP -
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ECAD 4816 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB IRG4BC30 기준 100W D2PAK 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 800 480V, 12A, 23옴, 15V - 600V 23A 92A 2.1V @ 15V, 12A 160μJ(켜짐), 200μJ(꺼짐) 50nC 17ns/78ns
BAS16 Infineon Technologies BAS16 0.0400
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ECAD 550 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 85V 1.25V @ 150mA 6ns 75V에서 1μA -55°C ~ 150°C 200mA 2pF @ 0V, 1MHz
FP150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies FP150R07N3E4BOSA1 195.2600
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ECAD 10 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoPIM™ 3 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FP150R07 430W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 삼상인버터 트렌치 필드스톱 650V 150A 1.95V @ 15V, 150A 1mA 25V에서 9.3nF
IRFU9024N Infineon Technologies IRFU9024N -
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ECAD 2523 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA MOSFET(금속) IPAK(TO-251AA) 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRFU9024N EAR99 8541.29.0095 75 P채널 55V 11A(티씨) 10V 175m옴 @ 6.6A, 10V 4V @ 250μA 19nC @ 10V ±20V 25V에서 350pF - 38W(Tc)
IRD3CH101DF6 Infineon Technologies IRD3CH101DF6 -
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ECAD 7203 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 IRD3CH101 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001539704 EAR99 8541.10.0080 1
BCR 129F E6327 Infineon Technologies BCR 129F E6327 -
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ECAD 9472 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-723 BCR 129 250mW PG-TSFP-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 120 @ 5mA, 5V 150MHz 10kΩ
AUIRL2203N Infineon Technologies AUIRL2203N -
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ECAD 4411 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 75A(Tc) 4.5V, 10V 7m옴 @ 60A, 10V 1V @ 250μA 60nC @ 4.5V ±16V 3290pF @ 25V - 180W(Tc)
IMT65R163M1HXTMA1 Infineon Technologies IMT65R163M1HXTMA1 -
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ECAD 2086 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 * 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. IMT65R - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. 2,000
IRF540Z Infineon Technologies IRF540Z -
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ECAD 8503 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) TO-220AB 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. *IRF540Z EAR99 8541.29.0095 50 N채널 100V 36A(티씨) 10V 26.5m옴 @ 22A, 10V 4V @ 250μA 63nC @ 10V ±20V 1770pF @ 25V - 92W(Tc)
IPW60R031CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R031CFD7XKSA1 13.2500
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ECAD 632 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CoolMOS™ CFD7 튜브 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 IPW60R031 MOSFET(금속) PG-TO247-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 30 N채널 650V 63A(Tc) 10V 31m옴 @ 32.6A, 10V 4.5V @ 1.63mA 141nC @ 10V ±20V 400V에서 5623pF - 278W(Tc)
IPP65R380E6 Infineon Technologies IPP65R380E6 -
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ECAD 3455 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 쿨모스™ 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 MOSFET(금속) PG-TO220-3-1 다운로드 0000.00.0000 1 N채널 650V 10.6A(Tc) 10V 380m옴 @ 3.2A, 10V 3.5V @ 320μA 39nC @ 10V ±20V 100V에서 710pF - 83W(Tc)
BCR162E6327 Infineon Technologies BCR162E6327 -
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ECAD 1176 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCR162 200mW PG-SOT23-3-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 6,000 50V 100mA 100nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 5mA, 5V 200MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
IRF7905PBF Infineon Technologies IRF7905PBF -
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ECAD 8655 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) IRF7905 MOSFET(금속) 2W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001560078 EAR99 8541.29.0095 95 2 N채널(듀얼) 30V 7.8A, 8.9A 21.8m옴 @ 7.8A, 10V 2.25V @ 25μA 6.9nC @ 4.5V 600pF @ 15V 게임 레벨 레벨
BAS12504WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAS12504WH6327XTSA1 0.7700
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ECAD 28 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 BAS12504 쇼트키 SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.10.0070 3,000 작은 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 1쌍 직렬 연결 25V 100mA(DC) 950mV @ 35mA 25V에서 150nA 150°C(최대)
IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQFH68N06NM5ATMA1 1921년 3월
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ECAD 2370 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - ROHS3 준수 3,000
IRF7769L2TRPBF Infineon Technologies IRF7769L2TRPBF -
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ECAD 7954 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 HEXFET® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 DirectFET™ 아이소메트릭 L8 MOSFET(금속) DirectFET™ 아이소메트릭 L8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 100V 375A(Tc) 10V 3.5m옴 @ 74A, 10V 4V @ 250μA 300nC @ 10V ±20V 25V에서 11560pF - 3.3W(Ta), 125W(Tc)
IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies IKP20N65H5XKSA1 2.9700
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ECAD 94 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 트렌치스톱™ 튜브 활동적인 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 IKP20N65 기준 125W PG-TO220-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 50 400V, 10A, 32옴, 15V 52ns 도랑 650V 42A 60A 2.1V @ 15V, 20A 170μJ(켜짐), 60μJ(꺼짐) 48nC 18ns/156ns
FD1000R33HL3KB60BPSA1 Infineon Technologies FD1000R33HL3KB60BPSA1 -
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ECAD 2398 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 IHM-B 쟁반 SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 방역 기준기준 FD1000 1600000W 기준 AG-IHVB190 - ROHS3 준수 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1 더블 브레이크 초퍼 트렌치 필드스톱 3300V 1000A 2.85V @ 15V, 1kA 5mA 아니요 25V에서 190nF
IGCM20F60HAXKMA1 Infineon Technologies IGCM20F60HAXKMA1 -
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ECAD 4359 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 CIPOS™ 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 스루홀 24-PowerDIP 모듈(1.028", 26.10mm) IGBT 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. SP001247030 EAR99 8541.29.0095 280 3상 20A 600V 2000Vrms
AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies AIKB40N65DF5ATMA1 5.4900
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ECAD 1958년 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - 표면 실장 TO-263-3, D²Pak(2 리드 + 탭), TO-263AB AIKB40 기준 PG-TO263-3-2 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 - NPT 650V 40A - - -
FS200R06KE3BOSA1 Infineon Technologies FS200R06KE3BOSA1 260.1400
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ECAD 6 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 EconoPACK™ 3 쟁반 활동적인 -40°C ~ 150°C 방역 기준기준 FS200R06 600W 기준 기준기준 다운로드 ROHS3 준수 해당사항 없음 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10 삼상인버터 트렌치 필드스톱 600V 200A 1.9V @ 15V, 200A 1mA 25V에서 13nF
BFP 640FESD E6327 Infineon Technologies BFP 640FESD E6327 -
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ECAD 5415 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 4-SMD, 플랫 리드 BFP 640 200mW 4-TSFP 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 8B ~ 30.5dB 4.7V 50mA NPN 110 @ 30mA, 3V 46GHz 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
BCW61DE6327HTSA1 Infineon Technologies BCW61DE6327HTSA1 0.0529
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ECAD 7800 0.00000000 인피니언 테크놀로지스 - 테이프 및 릴리(TR) 마지막 구매 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW61 330mW PG-SOT23 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 32V 100mA 20nA(ICBO) PNP 550mV @ 1.25mA, 50mA 380 @ 2mA, 5V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고