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P3D06016GS PN Junction Semiconductor P3D06016GS 7.7800
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 테이프 & tr (TR) 활동적인 TO-263S SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263S 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06016GSTR 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 45 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 40a
P3M06120T3 PN Junction Semiconductor P3M06120T3 9.0500
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06120T3 1 n 채널 650 v 29a 15V 158mohm @ 10a, 15v 2.2V @ 5MA (유형) +20V, -8V - 153w
P3M12040G7 PN Junction Semiconductor P3M12040G7 20.9800
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12040G7TR 1 n 채널 1200 v 69a 15V 53mohm @ 40a, 15V 2.2v @ 40ma (유형) +19V, -8V - 357W
P3D12015T2 PN Junction Semiconductor P3D12015T2 10.8700
RFQ
 ECAD 3041 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12015T2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 34A
P3M173K0F3 PN Junction Semiconductor P3M173K0F3 5.0800
RFQ
 ECAD 8624 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220F-2 sicfet ((카바이드) TO-220F-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M173K0F3 1 n 채널 1700 v 1.97a 15V 3.6ohm @ 0.25a, 15V 2.2v @ 1.5ma (유형) +19V, -8V - 19W
P3M06060G7 PN Junction Semiconductor P3M06060G7 10.3800
RFQ
 ECAD 7390 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA sicfet ((카바이드) D2PAK-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-p3m06060g7tr 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 650 v 44A 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (유형) +20V, -8V - 159W
P3M06025K4 PN Junction Semiconductor P3M06025K4 15.9000
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06025K4 1 n 채널 650 v 97a 15V 34mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +20V, -8V - 326W
P3D12010G2 PN Junction Semiconductor P3D12010G2 6.5400
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 테이프 & tr (TR) 활동적인 TO-263-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12010G2TR 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 33A
P3D06008T2 PN Junction Semiconductor P3D06008T2 3.3300
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06008T2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 36 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 26A
P3D06008G2 PN Junction Semiconductor P3D06008G2 3.3300
RFQ
 ECAD 6822 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 테이프 & tr (TR) 활동적인 TO-263-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06008G2TR 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 36 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 26A
P3D12005T2 PN Junction Semiconductor P3D12005T2 4.5000
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12005T2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 44 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a
P3M06300K3 PN Junction Semiconductor P3M06300K3 4.9800
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300K3 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5MA (유형) 904 NC @ 15 v +20V, -8V 338 pf @ 400 v - 38W
P3D12040K2 PN Junction Semiconductor P3D12040K2 18.7200
RFQ
 ECAD 1468 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12040K2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 70 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 93A
P3D12010K2 PN Junction Semiconductor P3D12010K2 6.5400
RFQ
 ECAD 7474 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12010K2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 31a
P3M12080K3 PN Junction Semiconductor P3M12080K3 11.9000
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M12080K3 1 n 채널 1200 v 47a 15V 96MOHM @ 20A, 15V 2.4V @ 5MA (유형) +21V, -8V - 221W
P3M171K0T3 PN Junction Semiconductor P3M171K0T3 6.1000
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M171K0T3 1 n 채널 1700 v 6A 15V 1.4ohm @ 2a, 15V 2.2V @ 2MA (유형) +19V, -8V - 100W
P3D06006E2 PN Junction Semiconductor P3D06006E2 2.5000
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 테이프 & tr (TR) 활동적인 TO-252-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06006E2TR 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 18a
P3D06010T2 PN Junction Semiconductor P3D06010T2 4.1600
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06010T2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 44 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30A
P3D06016K3 PN Junction Semiconductor P3D06016K3 7.7800
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06016K3 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 36 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 64A
P3M17040K3 PN Junction Semiconductor P3M17040K3 35.8600
RFQ
 ECAD 3652 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M17040K3 1 n 채널 1700 v 73A 15V 60mohm @ 50a, 15V 2.2V @ 50MA (유형) +19V, -8V - 536W
P3D06010I2 PN Junction Semiconductor P3D06010I2 4.1600
RFQ
 ECAD 8136 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 to-220i-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-220i-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D06010I2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 44 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 26A
P3D12040K3 PN Junction Semiconductor P3D12040K3 18.7200
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12040K3 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 60 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 92A
P3M06060T3 PN Junction Semiconductor P3M06060T3 10.3800
RFQ
 ECAD 8146 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-2 sicfet ((카바이드) TO-220-2L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06060T3 1 n 채널 650 v 46A 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.2V @ 20MA (유형) +20V, -8V - 170W
P3M06060L8 PN Junction Semiconductor P3M06060L8 10.3800
RFQ
 ECAD 5762 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 sicfet ((카바이드) 희생 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06060L8tr 1 n 채널 650 v 40a 15V 79mohm @ 20a, 15V 2.4V @ 5MA (유형) +20V, -8V - 188W
P3D12015K2 PN Junction Semiconductor P3D12015K2 10.8700
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12015K2 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 40a
P3D12030K3 PN Junction Semiconductor P3D12030K3 14.9200
RFQ
 ECAD 9128 0.00000000 PN 접합 반도체 P3D 튜브 활동적인 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3D12030K3 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 94A
P3M06300D5 PN Junction Semiconductor P3M06300D5 4.9800
RFQ
 ECAD 4032 0.00000000 PN 접합 반도체 P3M 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DFN5*6 sicfet ((카바이드) DFN5*6 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 4237-P3M06300D5TR 1 n 채널 650 v 9a 15V 500mohm @ 4.5a, 15V 2.2V @ 5mA +20V, -8V - 26W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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