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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
ES3GC MDD ES3GC 0.2655
RFQ
ECAD 6 0.00000000 MDD SMC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3372-es3gctr 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MMBT5551 MDD MMBT5551 0.0840
RFQ
ECAD 69 0.00000000 MDD SOT-23 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3372-MMBT5551TR 귀 99 8541.21.0095 6,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 5V 300MHz
FR107-T/B MDD FR107-T/B. 0.1855
RFQ
ECAD 265 0.00000000 MDD DO-41 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 기준 DO-41 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-FR107-T/BTB 귀 99 8542.39.0001 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 6 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
US1M MDD US1M 0.0595
RFQ
ECAD 4 0.00000000 MDD SMA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-US1MTR 귀 99 8542.39.0001 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
S9012 MDD S9012 0.0685
RFQ
ECAD 129 0.00000000 MDD SOT-23 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3372-S9012TR 귀 99 8541.21.0095 12,000 25 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 50MA, 1V 150MHz
2N7002K MDD 2N7002K 0.0585
RFQ
ECAD 792 0.00000000 MDD SOT-23 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-2n7002ktr 귀 99 8541.21.0075 6,000 n 채널 60 v 500MA (TA) 4.5V, 10V 900mohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.31 NC @ 10 v ± 20V 23.8 pf @ 10 v - 500MW (TA)
SS510C MDD SS510C 0.4555
RFQ
ECAD 222 0.00000000 MDD SMC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 1 ma @ 100 v 5a 400pf @ 4V, 1MHz
SS36F MDD SS36F 0.2455
RFQ
ECAD 6 0.00000000 MDD smaf 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 180pf @ 4V, 1MHz
SB10100L MDD SB10100L 0.8950
RFQ
ECAD 375 0.00000000 MDD - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-SB10100LTR 귀 99 8542.39.0001 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 10 a 300 µa @ 100 v 10A -
KBP307 MDD KBP307 0.2250
RFQ
ECAD 100 0.00000000 MDD KBP 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 3 a 10 µa @ 600 v 125 MA 단일 단일 600 v
SS34B MDD SS34B 0.2555
RFQ
ECAD 930 0.00000000 MDD SMB 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-SS34BTR 귀 99 8542.39.0001 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 500pf @ 4V, 1MHz
SK1045B MDD SK1045B 0.6555
RFQ
ECAD 3 0.00000000 MDD SMB 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB Schottky SMB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-sk1045btr 귀 99 8542.39.0001 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 mV @ 10 a 1 ma @ 45 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A 500pf @ 4V, 1MHz
10A10-T/B MDD 10a10-t/b 0.4850
RFQ
ECAD 13 0.00000000 MDD R6 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 R-6, 축, 기준 R-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-10A10-T/BTB 귀 99 8542.39.0001 1,000 1000 v 1.1 v @ 10 a 10 µa @ 1000 v -50 ° C ~ 150 ° C 10A 150pf @ 4V, 1MHz
GBJ5010 MDD GBJ5010 3.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 MDD GBJ 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
KBL410 MDD KBL410 0.8850
RFQ
ECAD 1 0.00000000 MDD KBL 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 1000 v 166 MA 단일 단일 1kv
US2M MDD US2M 0.0865
RFQ
ECAD 350 0.00000000 MDD SMA 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-US2MTR 귀 99 8542.39.0001 20,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 2 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 28pf @ 4V, 1MHz
KBU1010 MDD KBU1010 1.5800
RFQ
ECAD 8 0.00000000 MDD KBU 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 416 MA 단일 단일 1kv
DSK115 MDD DSK115 0.1585
RFQ
ECAD 30 0.00000000 MDD SOD-123FL 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 1 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
GBU810 MDD GBU810 1.1500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 MDD GBU 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 8 a 단일 단일 1kv
DSK310 MDD DSK310 0.2155
RFQ
ECAD 57 0.00000000 MDD SOD-123FL 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 6,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 3 a 300 µa @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C 3A 160pf @ 4V, 1MHz
SK84C MDD SK84C 0.5855
RFQ
ECAD 102 0.00000000 MDD SMC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Schottky 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 8 a 1 ma @ 40 v 8a 900pf @ 4V, 1MHz
SS8050 MDD SS8050 0.0850
RFQ
ECAD 4 0.00000000 MDD SOT-23 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 3372-SS8050TR 귀 99 8541.21.0095 6,000 25 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
DSK110 MDD DSK110 0.1155
RFQ
ECAD 1 0.00000000 MDD SOD-123FL 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mv @ 1 a 200 µa @ 100 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
MBRF20200CT MDD MBRF20200CT 1.3550
RFQ
ECAD 1 0.00000000 MDD 220ab에 상자 활동적인 표면 표면 TO-220AB Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 20A 950 MV @ 10 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
S5MC MDD S5MC 0.2555
RFQ
ECAD 138 0.00000000 MDD SMC 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-214AB, SMC 기준 SMC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 1000 v 1 V @ 5 a -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
ES2JF MDD es2jf 0.1155
RFQ
ECAD 237 0.00000000 MDD smaf 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 smaf 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 3372-es2jftr 12,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 2 a 35 ns 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 2A -
GBU1010 MDD GBU1010 1.1500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 MDD GBU 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-GBU1010 귀 99 8542.39.0001 1,000 1 V @ 5 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
MB110S MDD MB110S 0.8550
RFQ
ECAD 6 0.00000000 MDD MBS 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 MBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,000 900 mV @ 1 a 500 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
DB207S MDD DB207S 0.2950
RFQ
ECAD 404 0.00000000 MDD DBS 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBS 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-DB207str 귀 99 8542.39.0001 4,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
BZT52C27 MDD BZT52C27 0.0675
RFQ
ECAD 192 0.00000000 MDD SOD-123 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 500MW SOD-123 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3372-BZT52C27TR 귀 99 8541.10.0050 12,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고