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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
GSXF060A120S1-D3 SemiQ GSXF060A120S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXF060 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1200 v 60a 2.35 V @ 60 a 90 ns 25 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS030A120S-D1E SemiQ GHXS030A120S-D1E 106.8000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GHXS030 실리콘 실리콘 쇼트 카바이드 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10 1.7 V @ 30 a 200 µa @ 1200 v 30 a 단일 단일 1.2kV
GSXF120A100S1-D3 SemiQ GSXF120A100S1-D3 39.6525
RFQ
 ECAD 3564 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXF120 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1000 v 120a 2.35 V @ 120 a 135 ns 25 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D020A065U SemiQ GP2D020A065U -
RFQ
 ECAD 5248 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 30A (DC) 1.65 V @ 10 a 100 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
GP2D006A065A SemiQ GP2D006A065A -
RFQ
 ECAD 9773 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-1041-5 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.65 V @ 6 a 0 ns 60 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 316pf @ 1v, 1MHz
GP3D024A065U SemiQ GP3D024A065U 6.2290
RFQ
 ECAD 2211 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GP3D024 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 12a 1.5 v @ 12 a 0 ns 30 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD080A008S1-D3 SemiQ GSXD080A008S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 3300 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD080 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 80 v 80a 840 MV @ 80 a 1 ma @ 80 v -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D020A120U SemiQ GP2D020A120U -
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 33A (DC) 1.8 V @ 10 a 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD080A004S1-D3 SemiQ GSXD080A004S1-D3 39.3400
RFQ
 ECAD 64 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD080 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 45 v 80a 700 mV @ 80 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
GSXF060A040S1-D3 SemiQ GSXF060A040S1-D3 31.8774
RFQ
 ECAD 6933 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXF060 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 400 v 60a 1.3 V @ 60 a 75 ns 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
GHXS050B065S-D3 SemiQ GHXS050B065S-D3 33.7900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GHXS050 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-GHXS050B065S-D3 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 650 v 95A (DC) 1.6 V @ 50 a 0 ns 125 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
GP3D050A065B SemiQ GP3D050A065B 11.0520
RFQ
 ECAD 4522 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 GP3D050 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-GP3D050A065B 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 50 a 125 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 135a 1946pf @ 1v, 1MHz
GP3D010A065D SemiQ GP3D010A065D 2.2227
RFQ
 ECAD 5334 0.00000000 세미크 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 GP3D010 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-GP3D010A065DCT 귀 99 8541.10.0080 500 - 650 v - 10A -
GSID100A120T2C1A SemiQ GSID100A120T2C1A -
RFQ
 ECAD 6323 0.00000000 세미크 AMP+™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 GSID100 800 w 3 정류기 정류기 브리지 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3 3 단계 인버터 - 1200 v 200a 2.1V @ 15V, 100A 1 MA 예 13.7 NF @ 25 v
GSXD160A012S1-D3 SemiQ GSXD160A012S1-D3 -
RFQ
 ECAD 3259 0.00000000 세미크 - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD160 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 120 v 160a 880 mV @ 160 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
GP2D006A065C SemiQ GP2D006A065C -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2L (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-1042-5 귀 99 8541.10.0080 75 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.65 V @ 6 a 0 ns 60 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 316pf @ 1v, 1MHz
GSXD080A010S1-D3 SemiQ GSXD080A010S1-D3 34.6525
RFQ
 ECAD 5949 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD080 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 100 v 160a 840 MV @ 80 a 1 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
GSID600A120S4B1 SemiQ GSID600A120S4B1 -
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 세미크 AMP+™ 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 GSID600 3060 W. 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2 반 반 - 1200 v 1130 a 2.1V @ 15V, 600A 1 MA 예 51 NF @ 25 v
GHXS050B120S-D3 SemiQ GHXS050B120S-D3 54.3400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GHXS050 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-GHXS050B120S-D3 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1200 v 101A (DC) 1.7 V @ 50 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD120A015S1-D3 SemiQ GSXD120A015S1-D3 -
RFQ
 ECAD 7234 0.00000000 세미크 - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD120 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 150 v 120a 880 mV @ 120 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
GCMX080B120S1-E1 SemiQ GCMX080B120S1-E1 23.3200
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GCMX080 sicfet ((카바이드) SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-GCMX080B120S1-E1 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 1200 v 30A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10MA 58 NC @ 20 v +25V, -10V 1336 PF @ 1000 v - 142W (TC)
GSID150A120S5C1 SemiQ GSID150A120S5C1 -
RFQ
 ECAD 1331 0.00000000 세미크 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 GSID150 1087 w 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-1230 귀 99 8541.29.0095 2 3 단계 인버터 - 1200 v 285 a 2.1V @ 15V, 150A 1 MA 예 21.2 NF @ 25 v
GSXF030A120S1-D3 SemiQ GSXF030A120S1-D3 -
RFQ
 ECAD 8298 0.00000000 세미크 - 튜브 쓸모없는 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXF030 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 GSXF030A120S1D3 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 1200 v 30A 2.35 V @ 30 a 85 ns 25 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GSXD050A015S1-D3 SemiQ GSXD050A015S1-D3 35.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD050 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 150 v 50a 880 mV @ 50 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
GPA020A120MN-FD SemiQ GPA020A120MN-FD -
RFQ
 ECAD 7236 0.00000000 세미크 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 기준 223 w 3pn 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1 600V, 20A, 10ohm, 15V 425 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 40 a 60 a 2.5V @ 15V, 20A 2.8mj (on), 480µJ (OFF) 210 NC 30ns/150ns
GSXD300A170S2D5 SemiQ GSXD300A170S2D5 -
RFQ
 ECAD 2356 0.00000000 세미크 AMP+™ 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 Add-A-Pak (3) GSXD300 기준 Add-a-Pak® 다운로드 Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 6 짐 1700 v 1.9 v @ 300 a 540 ns -40 ° C ~ 150 ° C 300A -
GP2D008A065A SemiQ GP2D008A065A -
RFQ
 ECAD 4230 0.00000000 세미크 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.45 V @ 30 a 0 ns 9 µa @ 650 v - 8a -
GP2D010A170B SemiQ GP2D010A170B -
RFQ
 ECAD 7483 0.00000000 세미크 AMP+™ 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 1560-1046-5 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.75 V @ 10 a 0 ns 20 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 812pf @ 1v, 1MHz
GP2T080A120H SemiQ GP2T080A120H 11.0900
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 GP2T080A sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1560-GP2T080A120H 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 35A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10MA 61 NC @ 20 v +25V, -10V 1377 pf @ 1000 v - 188W (TC)
GSXD050A004S1-D3 SemiQ GSXD050A004S1-D3 32.7063
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 세미크 - 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GSXD050 Schottky SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 13 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 45 v 50a 700 mV @ 50 a 1 ma @ 45 v -40 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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