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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
AS3D030120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030120P2 9.2100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 AS3D03012 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3D030120P2 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 42A 1.8 v @ 15 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401 0.1200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3a, 4.5v 1.25V @ 250µA 3.81 NC @ 4.5 v ± 10V 220 pf @ 10 v - 700MW (TA)
1N4148WT ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148WT 0.1000
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 1N4148 기준 SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 2pf @ 0V, 1MHz
MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222A 0.1600
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
US1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED US1D-A 0.1200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4403 0.1200
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 100NA PNP 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 200MHz
AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401 0.2900
RFQ
 ECAD 61 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.4A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.4a, 10V 1.4V @ 250µA 7.2 NC @ 10 v ± 12V 680 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
1N4148W ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 1N4148W 0.1000
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 1N4148 기준 SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C 150ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
AS3D020120C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C 6.4900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3D020120C 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 51A 1280pf @ 0V, 1MHz
BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC847B 0.1000
RFQ
 ECAD 127 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 100NA NPN 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312 0.2800
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.8A (TA) 1.8V, 4.5V 18mohm @ 6.8a, 4.5v 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4.5 v ± 10V 888 pf @ 10 v - 1.2W (TA)
BAV21WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED bav21w 0.1100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAV21 기준 SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 250 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120p 21.5100
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 60A (TC) 20V 55mohm @ 40a, 20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 v +25V, -10V 2946 pf @ 1000 v - 330W (TC)
BAV99 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED bav99 0.1100
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav99 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 70 v 215MA 1.25 V @ 150 mA 6 ns 2.5 µa @ 70 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907A 0.1200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 800 MA 20NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
B5819WS ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED B5819W 0.1900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
RS1D-A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED RS1D-A 0.1000
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 SMA/DO-214AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.3 v @ 1 a 150 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P 39.5400
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 sicfet ((카바이드) TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS1M025120p 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 90A (TC) 20V 34mohm @ 50a, 20V 4V @ 15mA 195 NC @ 20 v +25V, -10V 3600 pf @ 1000 v - 463W (TC)
AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T 21.5300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 sicfet ((카바이드) TO-247-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS1M040120T 귀 99 8541.21.0095 30 n 채널 1200 v 60A (TC) 20V 55mohm @ 40a, 20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 v +25V, -10V 2946 pf @ 1000 v - 330W (TC)
AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400 0.2900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3400DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 2.5V, 10V 27mohm @ 5.6a, 10V 1.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 12V 535 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16 0.4300
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v -
AS3D020120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120P2 6.5200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 AS3D02012 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3D020120P2 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 30A (DC) 1.8 v @ 15 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS123 0.1400
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 200MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 200ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.8 nc @ 10 v ± 20V 14 pf @ 50 v - 350MW (TA)
MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551 0.1200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-MMBT5551TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 100MHz
AS3D030065C ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D030065C 7.2300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3D030065C 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 30 a 0 ns 20 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 35a 1805pf @ 0V, 1MHz
AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324 0.2900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2A (TA) 4.5V, 10V 280mohm @ 2a, 10V 3V @ 250µA 5.3 NC @ 10 v ± 20V 330 pf @ 50 v - 1.2W (TA)
AS3D040120P2 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D040120P2 11.7100
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 AS3D04012 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-AS3D040120P2 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 52A (DC) 1.8 V @ 20 a 0 ns 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
2N7002E ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002E 0.1400
RFQ
 ECAD 44 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 4530-2N7002etr 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 350MW (TA)
40SQ045 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 40SQ045 1.3200
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 Anbon Semiconductor (Int'l) Limited - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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