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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 응용 응용 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 FET 유형 현재 현재 (amp) 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 전류 전류 (ID) - 최대 전압- 최대 (제한)
LSK189 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LSK189 SOT-23 3L ROHS 6.9300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LSK189 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 8pf @ 15V 60 v 2.5 ma @ 15 v 1.5 v @ 1 na 10 MA
J174 TO-92 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. J174 TO-92 3L ROHS 6.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J174 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 135 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 - 30 v 85 옴
SST177 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SST177 SOT-23 3L ROHS 7.0500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST177 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 135 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 - 30 v 300 옴
PN4391 TO-92 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. PN4391 TO-92 3L ROHS 2.8700
RFQ
 ECAD 193 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. PN4391 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 350 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 16pf @ 20V 40 v 30 옴
J501 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J501 TO-92 2L 7.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J501 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 500MV
SD215DE TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. SD215DE to-72 4L 8.0500
RFQ
 ECAD 5198 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SD215 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 MOSFET (금속 (() To-72-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 n 채널 20 v 50MA (TA) 5V, 25V 45ohm @ 1ma, 10V 1.5V @ 1µa +30V, -25V - 300MW (TA)
DPAD5 TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. DPAD5 TO-72 4L 6.6800
RFQ
 ECAD 2685 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 기준 To-72-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 45 v 50ma 1.5 v @ 1 ma 5 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
LSK489 TO-71 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LSK489 TO-71 6L ROHS 5.6400
RFQ
 ECAD 421 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LSK489 가방 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-71-6 1 캔 500MW To-71-6 다운로드 1 (무제한) 4004-LSK489TO-716LROHS 귀 99 8541.21.0095 500 2 n 채널 (채널) 8pf @ 15V 60 v 2.5 ma @ 15 v 1.5 v @ 1 na
LSK389BSOIC8LTB ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LSK389BSOIC8LTB ROHS 15.6800
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LSK389 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 400MW 8-SOIC 다운로드 귀 99 8541.21.0095 95 2 n 채널 (채널) 25pf @ 10V 40 v 6 ma @ 10 v 300 mV @ 100 NA
J210 TO-92 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. J210 TO-92 3L ROHS 4.0200
RFQ
 ECAD 951 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J210 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 360 MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 4pf @ 15V 25 v 2 ma @ 15 v 1 v @ 1 na
SST405 SOIC 8L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SST405 SOIC 8L ROHS 7.0600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST405 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 300MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 50 v 8pf @ 15V 50 v 500 µa @ 10 v 500 MV @ 1 NA
LS846 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LS846 SOT-23 3L ROHS 6.9400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LS846 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 8pf @ 15V 60 v 1.5 ma @ 15 v 1 v @ 1 na
LSK170D TO-92 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LSK170D TO-92 3L ROHS 5.7300
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LSK170D 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 135 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 400MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 20pf @ 15V 40 v 18 ma @ 10 v 200 mV @ 1 na
LS358 TO-78 6L Linear Integrated Systems, Inc. LS358 TO-78 6L 9.3600
RFQ
 ECAD 2999 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 20V 범용 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 LS358 To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 10MA 2 PNP (()
SST440 SOIC 8L Linear Integrated Systems, Inc. SST440 SOIC 8L 11.4200
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST440 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 95 2 n 채널 (채널) 3pf @ 10V 25 v
DPAD20 TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. DPAD20 to-72 4L 6.2900
RFQ
 ECAD 7767 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 기준 To-72-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 45 v 50ma 1.5 v @ 1 ma 20 PA @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
J505 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J505 TO-92 2L 5.6900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J505 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3218-J505TO-922L 귀 99 8541.21.0080 1 900MV
LS351 TO-78 6L Linear Integrated Systems, Inc. LS351 TO-78 6L 9.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 LS351 500MW To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 45V 10MA 200PA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V 200MHz
IT124 TO-78 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. IT124 TO-78 6L ROHS 10.3000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 It124 500MW To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 2V 10MA 100PA (ICBO) 2 NPN (() 500mv @ 100µa, 1ma 1500 @ 10µA, 1V 100MHz
LSK589 TO-71 6L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LSK589 TO-71 6L ROHS 11.6000
RFQ
 ECAD 718 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. LSK589 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-71-6 1 캔 500MW To-71 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 2 n 채널 (채널) 25 v 5pf @ 10V 25 v 7 ma @ 10 v 1.5 v @ 1 na 50 MA
DPAD1 TO-72 4L Linear Integrated Systems, Inc. DPAD1 TO-72 4L 6.3600
RFQ
 ECAD 378 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 TO-206AF, TO-72-4 금속 캔 기준 To-72-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 45 v 50ma 1.5 v @ 1 ma 1 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
LS351 SOIC 8L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. LS351 SOIC 8L ROHS 8.1200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) LS351 500MW 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 45V 10MA 200PA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V 200MHz
SD5400CY SOIC 14L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SD5400CY SOIC 14L ROHS 6.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SD5400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 14-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SD5400 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) 14 -Soic 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 4 n 채널 20V 50MA (TA) 75ohm @ 1ma, 5V 1.5V @ 1µa - - -
LS352 TO-78 6L Linear Integrated Systems, Inc. LS352 TO-78 6L 9.9000
RFQ
 ECAD 973 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 LS352 500MW To-78-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 500 60V 10MA 200PA (ICBO) 2 PNP (() 500mv @ 100µa, 1ma 200 @ 1ma, 5V 200MHz
PF5301 TO-92 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. PF5301 TO-92 3L ROHS 4.6600
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 135 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 300MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 3pf @ 10V 30 v 30 µa @ 10 v 3 v @ 1 na
SST509 SOT-23 3L Linear Integrated Systems, Inc. SST509 SOT-23 3L 7.7200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. SST500 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SST509 350MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 1.7V
SSTDPAD100 SOIC 8L Linear Integrated Systems, Inc. SSTDPAD100 SOIC 8L 5.5700
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SSTDPAD100 기준 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 95 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 50ma 1.5 v @ 1 ma 100 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
SSTPAD100 SOT-23 3L ROHS Linear Integrated Systems, Inc. SSTPAD100 SOT-23 3L ROHS 2.5900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. 인주 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 기준 SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1.5 v @ 5 ma 100 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 10MA 1.5pf @ 5V, 1MHz
SSTDPAD5 SOIC 8L Linear Integrated Systems, Inc. SSTDPAD5 SOIC 8L 6.8100
RFQ
 ECAD 4466 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. DPAD 튜브 활동적인 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) SSTDPAD5 기준 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 95 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 30 v 50ma 1.5 v @ 1 ma 5 pa @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
J502 TO-92 2L Linear Integrated Systems, Inc. J502 TO-92 2L 7.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Linear Integrated Systems, Inc. J500 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) J502 350MW To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 600MV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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