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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | YJL2300A | 0.2100 | ![]() | 4511 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 4.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ± 10V | 620 pf @ 10 v | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BAT54C | 0.1500 | ![]() | 1503 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 음극 음극 공통 | 30 v | 200MA (DC) | 1 v @ 100 ma | 5 ns | 2 µa @ 25 v | -55 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBR20200FCT | 0.8300 | ![]() | 4244 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | Schottky | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 20A | 900 mV @ 10 a | 100 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SR2200 | 0.3500 | ![]() | 8674 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | Schottky | DO-204AC (DO-15) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 850 mv @ 2 a | 100 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | GS1G | 0.1500 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 5,000 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | yjq4666b | 0.4700 | ![]() | 8598 | 0.00000000 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 7A (TC) | 1.8V, 4.5V | 36.5mohm @ 7a, 4.5v | 1V @ 250µA | 40.1 NC @ 4.5 v | ± 10V | 852 pf @ 10 v | - | 2.2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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