SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SSL54 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SSL54 0.5300
RFQ
ECAD 5711 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 450 mV @ 5 a 500 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 5a 330pf @ 4V, 1MHz
MURS160B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MURS160B 0.4800
RFQ
ECAD 3874 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 1 a 50 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 14pf @ 4V, 1MHz
YJQ3622A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJQ3622A 0.4300
RFQ
ECAD 3621 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 30A 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 23.6 NC @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 15 v 기준 21W (TC)
S320F Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd S320F 0.3500
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
MMBTA42 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MMBTA42 0.1900
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 300 v 500 MA 500NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
KBU610 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd KBU610 0.7600
RFQ
ECAD 3123 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에시, Kbu 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 400 1 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 6 a 단일 단일 1kv
S14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd S14 0.1500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 100 µa @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
HS1M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd HS1M 0.2100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
KBP310 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd KBP310 0.5100
RFQ
ECAD 157 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 상자 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.05 V @ 1.5 a 10 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
BAS40X Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BAS40X 0.1200
RFQ
ECAD 3543 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS40 Schottky SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 40 v 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v 125 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
F1MF Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd f1mf 0.1300
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-221ac, sma 플랫 리드 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 1 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
BZT52C2V4S Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52C2V4S 0.1500
RFQ
ECAD 3728 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.83% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
GBJ5010 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GBJ5010 1.5400
RFQ
ECAD 4171 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 750 1 V @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
MBR20200FCT Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MBR20200FCT 0.8300
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 20A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
SR2200 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SR2200 0.3500
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
YJQ4666B Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd yjq4666b 0.4700
RFQ
ECAD 8598 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7A (TC) 1.8V, 4.5V 36.5mohm @ 7a, 4.5v 1V @ 250µA 40.1 NC @ 4.5 v ± 10V 852 pf @ 10 v - 2.2W (TC)
GS1G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GS1G 0.1500
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000 400 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
BZX584C12V Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZX584C12V 0.1500
RFQ
ECAD 2530 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.42% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8,000 1 V @ 10 ma 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
YJJ09N03A Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd YJJ09N03A 0.4100
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 23.6 NC @ 10 v ± 20V 1015 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
GR3M Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd gr3m 0.4200
RFQ
ECAD 2713 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 35pf @ 4V, 1MHz
MBR10200CT Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MBR10200CT 0.7100
RFQ
ECAD 1489 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 MBR10200 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 900 mV @ 5 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MUR1040D Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd MUR1040D 0.6800
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52C8V2 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52C8V2 0.1500
RFQ
ECAD 4960 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
GR3MB Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd GR3MB 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.3 v @ 3 a 500 ns 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
ES3J Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ES3J 0.4700
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 29pf @ 4V, 1MHz
BZX84C36 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZX84C36 0.1600
RFQ
ECAD 7361 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.56% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 25.2 v 36 v 90 옴
SS8050-H Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SS8050-H 0.1600
RFQ
ECAD 5559 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 25 v 1.5 a 100NA NPN 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
DB107S Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd DB107S 0.4500
RFQ
ECAD 1855 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DBS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 1,500 1 V @ 500 MA 5 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
HS2KA Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd HS2KA 0.2600
RFQ
ECAD 4112 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 2 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
SF38G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SF38G 0.3800
RFQ
ECAD 7029 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad (DO-27) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 2.5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 30pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고