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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
UPA1818GR-9JG-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA1818GR-9JG-E1-A 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-tssop 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 10A (TA) 15.2mohm @ 5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 20 nc @ 4 v 2200 pf @ 10 v -
FGA15N120FTDTU Fairchild Semiconductor fga15n120ftdtu -
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FGA15N120 기준 220 w to-3p 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 - 575 ns 트렌치 트렌치 정지 1200 v 30 a 45 a 2V @ 15V, 15a - 100 NC -
FDI33N25TU Fairchild Semiconductor FDI33N25TU 1.0000
RFQ
ECAD 7880 0.00000000 페어차일드 페어차일드 unifet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 33A (TC) 10V 94mohm @ 16.5a, 10V 5V @ 250µA 48 NC @ 10 v ± 30V 2135 pf @ 25 v - 235W (TC)
FDS7064N7 Fairchild Semiconductor FDS7064N7 1.0000
RFQ
ECAD 8665 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 16.5A (TA) 4.5V 7mohm @ 16.5a, 4.5v 2V @ 250µA 48 NC @ 4.5 v ± 12V 3355 pf @ 15 v - 3W (TA)
FQPF3N80CYDTU Fairchild Semiconductor fqpf3n80cydtu 0.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 형성 된 리드 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 (Y- 형성) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3A (TC) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 705 pf @ 25 v - 39W (TC)
FDS7060N7 Fairchild Semiconductor FDS7060N7 1.6000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 188 n 채널 30 v 19A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 19a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 5 v ± 20V 3274 pf @ 15 v - 3W (TA)
FQB2P25TM Fairchild Semiconductor FQB2P25TM -
RFQ
ECAD 8715 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() D2PAK (TO-263) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 250 v 2.3A (TC) 10V 4ohm @ 1.15a, 10V 5V @ 250µA 8.5 NC @ 10 v ± 30V 250 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 52W (TC)
UPA2802T1L-E2-AY Renesas Electronics America Inc UPA2802T1L-E2-ay 1.2900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 8-vdfn d 패드 MOSFET (금속 (() 8-DFN3333 (3.3x3.3) - Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 18A (TA) 5.8mohm @ 18a, 10V 2.5V @ 1mA 16 nc @ 5 v 1800 pf @ 10 v -
SGH30N60RUFTU Fairchild Semiconductor sgh30n60ruftu -
RFQ
ECAD 2893 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SGH30N60 기준 235 W. 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 450 300V, 30A, 7ohm, 15V - 600 v 48 a 90 a 2.8V @ 15V, 30A 919µJ (on), 814µJ (OFF) 85 NC 30ns/54ns
BSS79C Infineon Technologies BSS79C -
RFQ
ECAD 9419 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 800 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 250MHz
NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics America Inc NE3503M04-T2B-A 0.7600
RFQ
ECAD 163 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 4 v 4-SMD,, 리드 12GHz HFET M04 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 3,000 70ma 10 MA - 12db 0.45dB 2 v
FQU3N60TU Fairchild Semiconductor fqu3n60tu 0.5100
RFQ
ECAD 21 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 5,040 n 채널 600 v 2.4A (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10V 5V @ 250µA 13 nc @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
RJK0348DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0348DSP-00#J0 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 22A (TA) 3.4mohm @ 11a, 10V - 34 NC @ 4.5 v 5100 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
NDP603AL Fairchild Semiconductor NDP603AL 0.3200
RFQ
ECAD 34 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 45 n 채널 30 v 25A (TC) 4.5V, 10V 25A, 25A, 10V 3V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1100 pf @ 15 v - 50W (TC)
BUK7511-55B,127 NXP USA Inc. BUK7511-55B, 127 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 10V 11mohm @ 25a, 10V 4V @ 1MA 37 NC @ 10 v ± 20V 2604 pf @ 25 v - 157W (TC)
KSC5024RTU Fairchild Semiconductor KSC5024RTU 0.6700
RFQ
ECAD 496 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 90 W. 3pn 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 496 500 v 10 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 800MA, 4A 15 @ 800ma, 5V 18MHz
FQD7N10TM Fairchild Semiconductor fqd7n10tm 0.5100
RFQ
ECAD 176 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 5.8A (TC) 10V 350mohm @ 2.9a, 10V 4V @ 250µA 7.5 NC @ 10 v ± 25V 250 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
HGT1S20N36G3VL Fairchild Semiconductor HGT1S20N36G3VL 1.8700
RFQ
ECAD 58 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA 논리 150 W. I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 300V, 10A, 25ohm, 5V - 395 v 37.7 a 1.9V @ 5V, 20A - 28.7 NC -/15µs
NE4210S01-T1B Renesas Electronics America Inc NE4210S01-T1B 1.0000
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 4 v 4-SMD 12GHz HFET SMD 다운로드 적용 적용 수 할 귀 99 8541.21.0075 4,000 15MA 10 MA - 13db 0.5dB 2 v
UPA620TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA620TT-E1-A 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wsof - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 5A (TA) 38mohm @ 2.5a, 4.5v 1.5V @ 1mA 5.5 nc @ 4 v 450 pf @ 10 v -
FQD6N50CTF Fairchild Semiconductor fqd6n50ctf 0.6000
RFQ
ECAD 750 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 500 v 4.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.25a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 30V 700 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 61W (TC)
2N4124BU Fairchild Semiconductor 2N4124BU 0.0200
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-2N4124BU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 300MHz
HUFA76429P3 Fairchild Semiconductor hufa76429p3 -
RFQ
ECAD 2376 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 437 n 채널 60 v 47A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 47a, 10V 3V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 16V 1480 pf @ 25 v - 110W (TC)
SS9015ABU Fairchild Semiconductor SS9015ABU 0.0200
RFQ
ECAD 3817 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 450 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 2156-SS9015ABU-FS 귀 99 8541.21.0075 1,000 45 v 100 MA 50NA (ICBO) PNP 700mv @ 5ma, 100ma 60 @ 1ma, 5V 190mhz
CPH6434-TL-E onsemi CPH6434-TL-E 0.2300
RFQ
ECAD 168 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 6-CPH - 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 41mohm @ 3a, 4v - 7 nc @ 4 v 790 pf @ 10 v - 1.6W (TA)
FDS6572A Fairchild Semiconductor FDS6572A 1.7300
RFQ
ECAD 373 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 20 v 16A (TA) 2.5V, 4.5V 6ohm @ 16a, 4.5v 1.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 12V 5914 pf @ 10 v - 2.5W (TA)
FQAF40N25 Fairchild Semiconductor FQAF40N25 2.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 페어차일드 페어차일드 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 360 n 채널 250 v 24A (TC) 10V 70mohm @ 12a, 10V 5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 30V 4000 pf @ 25 v - 108W (TC)
UPA652TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA652TT-E1-A 0.2400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 대부분 쓸모없는 표면 표면 6-SMD,, 리드 MOSFET (금속 (() 6-wsof - Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2A (TA) 294mohm @ 1a, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4 v 126 pf @ 10 v -
TIP33A Motorola TIP33A 0.3700
RFQ
ECAD 10 0.00000000 모토로라 - 상자 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 80 W. TO-218 다운로드 rohs 비준수 귀 99 8541.29.0095 100 60 v 10 a - NPN - 100 @ 3a, 4v 3MHz
CP147-CEN1104-CT Central Semiconductor Corp CP147-CEN1104-CT -
RFQ
ECAD 4164 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - Rohs3 준수 1 (무제한) 1514-CP147-CEN1104-TR 쓸모없는 1 - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고