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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MPSH17RLRA | 0.0400 |  | 8 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IMW65R072M1HXKSA1 | 12.1700 | | 160 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolsic ™ M1 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IMW65R072 | sicfet ((카바이드) | PG-to247-3-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 650 v | 26A (TC) | 18V | 94mohm @ 13.3a, 18V | 5.7V @ 4mA | 22 nc @ 18 v | +23V, -5V | 744 pf @ 400 v | - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | APTCV60HM70RT3G | - | | 9408 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP3 | 250 W. | 단상 단상 정류기 | SP3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 전체 전체 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 50 a | 1.9V @ 15V, 50A | 250 µA | 예 | 3.15 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | spu03n60s5in | 0.5100 | | 1 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMIX1X100N60B3H1 | 28.6745 | | 4315 | 0.00000000 | ixys | genx3 ™, xpt ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powersmd, 21 리드 | mmix1x100 | 기준 | 400 W. | 24-SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | 360V, 70A, 2ohm, 15V | 140 ns | - | 600 v | 145 a | 440 a | 1.8V @ 15V, 70A | 1.9mj (on), 2mj (Off) | 143 NC | 30ns/120ns | |||||||||||||||||||||||||
 | MMBT4401_D87Z | - | | 3966 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT4401 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 v | 600 MA | - | NPN | 750mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | HUF76139P3 | 0.9500 | | 12 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 30 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 75a, 10V | 3V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 2700 pf @ 25 v | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SI7886ADP-T1-E3 | - | | 4383 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7886 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 15A (TA) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 1.5V @ 250µA | 60 nc @ 4.5 v | ± 12V | 6450 pf @ 15 v | - | 1.9W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
 | PUMH9-QH | 0.0368 | | 3598 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | pumh9 | 200MW | 6-TSSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 5ma, 5V | 230MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
| MBT2222ADW1T | 0.0200 | | 18 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AON6562 | - | | 8248 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 알파모 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-vdfn d 패드 | AON656 | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 29A (TA), 32A (TC) | 4.5V, 10V | 5MOHM @ 20A, 10V | 2.4V @ 250µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 6W (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC858CLT3 | 0.0400 | | 50 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDC6036P_F077 | - | | 7398 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP | FDC6036 | MOSFET (금속 (() | 900MW | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 5a | 44mohm @ 5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 14NC @ 4.5V | 992pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF1324LPBF | - | | 5251 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA | MOSFET (금속 (() | TO-262 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001564274 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 24 v | 195a (TC) | 10V | 1.65mohm @ 195a, 10V | 4V @ 250µA | 240 NC @ 10 v | ± 20V | 7590 pf @ 24 v | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RM8N700TI | 0.6800 | | 7906 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 700 v | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 31.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX5516H6327XTSA1 | 0.1920 | | 3131 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | BCX5516 | 2 w | PG-SOT89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 2v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SPD22N08S2L-50 | - | | 3049 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | spd22n | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3-11 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 11a, 10V | 2V @ 31µA | 33 NC @ 10 v | ± 20V | 850 pf @ 25 v | - | 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | SIHF22N60E-E3 | 1.8728 | | 5341 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | SIHF22 | MOSFET (금속 (() | TO-220 팩 풀 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | SIHF22N60EE3 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 21A (TC) | 180mohm @ 11a, 10V | 4V @ 250µA | 86 NC @ 10 v | 1920 pf @ 100 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| STK130N4LF7AG | 1.9500 | | 166 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-100, SOT-669 | STK130N | MOSFET (금속 (() | LFPAK56, POWER-SO8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3MOHM @ 50A, 10V | 2.5V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1850 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | NVTFS5C460NLTAG | 1.3500 | | 5207 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS5 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10V | 2V @ 40µA | 11 NC @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | IRLB3036GPBF | - | | 1983 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001558722 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 60 v | 195a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 165a, 10V | 2.5V @ 250µA | 140 nc @ 4.5 v | ± 16V | 11210 pf @ 50 v | - | 380W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | RN2710, LF | 0.3000 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | RN2710 | 200MW | USV | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 100NA (ICBO) | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 200MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TSM085NB03DCR RLG | 2.2400 | | 5 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM085 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 12A (TA), 51A (TC) | 8.5mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20NC @ 10V | 1091pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||
 | PJA3412-AU_R1_000A1 | 0.4000 | | 18 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3412 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 56mohm @ 4.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 350 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| SI7852ADP-T1-E3 | 2.7800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 | SI7852 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® SO-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 30A (TC) | 8V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 4.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 1825 pf @ 40 v | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | SISA16DN-T1-GE3 | 0.1995 | | 6070 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® 1212-8 | SISA16 | MOSFET (금속 (() | PowerPak® 1212-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 16A (TA) | 6.8mohm @ 15a, 10V | 2.3V @ 250µA | 47 NC @ 10 v | 2060 pf @ 15 v | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | R6009JNJGTL | 2.9400 | | 9436 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | R6009 | MOSFET (금속 (() | lpt | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 600 v | 9A (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38ma | 22 nc @ 15 v | ± 30V | 645 pf @ 100 v | - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
| 2SK2484 (1) -az | 3.1200 | | 276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSH202,215 | - | | 5824 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | BSN2 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS8692 | 0.5000 | | 65 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 12A (TA), 28A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1265 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 41W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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