전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IQFH68N06NM5ATMA1 | 3.1921 | ![]() | 2370 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD734E-AA | 0.2700 | ![]() | 307 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQPF4N25 | - | ![]() | 7422 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FQPF4 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 250 v | 2.8A (TC) | 10V | 1.75ohm @ 1.4a, 10V | 5V @ 250µA | 5.6 NC @ 10 v | ± 30V | 200 pf @ 25 v | - | 32W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMT3020LFDBQ-7 | 0.5500 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMT3020 | - | 700MW | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 7.7A (TA) | 20mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7NC @ 10V | 393pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3917-AC | 0.1000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IXTQ64N25P | 6.0250 | ![]() | 7749 | 0.00000000 | ixys | 극선 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | IXTQ64 | MOSFET (금속 (() | to-3p | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 250 v | 64A (TC) | 10V | 49mohm @ 500ma, 10V | 5V @ 250µA | 105 NC @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 25 v | - | 400W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RN1909, LF (Ct | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1909 | 200MW | US6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 70 @ 10ma, 5V | 250MHz | 47kohms | 22kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | hufa75823d3st | - | ![]() | 3972 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | hufa75 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 14A (TC) | 10V | 150mohm @ 14a, 10V | 4V @ 250µA | 54 NC @ 20 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113ZU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | DTA113 | 200 MW | UMT3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 33 @ 5MA, 5V | 250MHz | 1 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF8714TRPBFXTMA1 | 0.2965 | ![]() | 3681 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | Rohs3 준수 | 448-irf8714trpbfxtma1tr | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM20DUM10TG | - | ![]() | 3956 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP4 | APTM20 | MOSFET (금속 (() | 694W | SP4 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 채널 (채널) | 200V | 175a | 12MOHM @ 87.5A, 10V | 5V @ 5MA | 224NC @ 10V | 13700pf @ 25v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBFJ112,215 | - | ![]() | 8937 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | pmbfj1 | 300MW | SOT-23 (TO-236AB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 6pf @ 10v (VGS) | 40 v | 5 ma @ 15 v | 5 v @ 1 µa | 50 옴 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | YJS7328A | 0.1760 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJS7328AT | 귀 99 | 4,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NSBA144WDP6T5G | 0.0672 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOT-963 | NSBA144 | 408MW | SOT-963 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 pnp--바이어스 (듀얼) | 250MV @ 300µA, 10MA | 80 @ 5ma, 10V | - | 47kohms | 22kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3573-ZK-E1-AZ | 2.4500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1247S | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ATF-52189-BLK | - | ![]() | 8718 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 조각 | 쓸모없는 | 7 v | TO-243AA | 2GHz | e-pemt | SOT-89 | 다운로드 | 2 (1 년) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 100 | 500ma | 200 MA | 27dBM | 16db | 1.5dB | 4.5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJ4B01100L1 | - | ![]() | 2294 | 0.00000000 | 파나소닉 파나소닉 구성 전자 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 표면 표면 | 4-XFLGA, CSP | MOSFET (금속 (() | XLGA004-W-0808-RA01 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | p 채널 | 12 v | 2.2A (TA) | 1.5V, 4.5V | 74mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 1.2MA | 7 NC @ 4.5 v | ± 8V | 459 pf @ 10 v | - | 360MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPW60R090CFD7XKSA1 | 6.9100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IPW60R090 | MOSFET (금속 (() | PG-to247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 11.4a, 10V | 4.5V @ 570µA | 51 NC @ 10 v | ± 20V | 2103 PF @ 400 v | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DXTP07060BFGQ-7 | 0.2175 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | 1.1 w | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-DXTP07060BFGQ-7TR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 60 v | 3 a | 20NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 300ma, 3a | 100 @ 500ma, 2v | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SBC807-40LT3G | 0.2800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SBC807 | 300MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3455DV | - | ![]() | 5620 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | Powertrench® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SUPERSOT ™ -6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 3.6A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3.6a, 10V | 3V @ 250µA | 5 nc @ 5 v | ± 20V | 298 pf @ 15 v | - | 800MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | blc8g24ls-241avz | - | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Ampleon USA Inc. | - | 쟁반 | 쓸모없는 | 65 v | 섀시 섀시 | SOT-1252-1 | blc8 | 2.3GHz ~ 2.4GHz | LDMOS | DFM8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 20 | 이중, 소스 일반적인 | - | 500 MA | 56W | 14.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FMS7G20US60S | 17.3100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 상자 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 오후 25 a aa | 89 w | 단상 단상 정류기 | 오후 25 a aa | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | 브레이크가있는 3 인버터 단계 | - | 600 v | 20 a | 2.7V @ 15V, 20A | 250 µA | 예 | 1.277 NF @ 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6218-40C | - | ![]() | 6178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 40 v | 42A (TC) | 10V | 16MOHM @ 10A, 10V | 2.8V @ 1MA | 22 nc @ 10 v | 1170 pf @ 25 v | 60W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP1011LFV-13 | 0.2761 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | DMP1011 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 12 v | 19A (TC) | 2.5V, 4.5V | 11.7mohm @ 12a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 9.5 nc @ 6 v | -6V | 913 pf @ 6 v | - | 2.16W | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR3707Z | - | ![]() | 4183 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | *IRFR3707Z | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 30 v | 56A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 2.25V @ 250µA | 14 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1150 pf @ 15 v | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB45NQ10T, 118 | - | ![]() | 5158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PHB45 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FZ1000R45KL3B5NPSA1 | 1.0000 | ![]() | 8961 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 쟁반 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | FZ1000R45 | 1600000 w | 기준 | A-IHV130 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2 | 단일 단일 | 트렌치 트렌치 정지 | 4500 v | 1000 a | 3.05V @ 15V, 1KA | 5 MA | 아니요 | 185 NF @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DDTA143FKA-7-F | - | ![]() | 4073 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTA143 | 200 MW | SC-59-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | pnp- 사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 68 @ 10ma, 5V | 250MHz | 4.7 Kohms | 22 KOHMS |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고