SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
IQFH68N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQFH68N06NM5ATMA1 3.1921
RFQ
ECAD 2370 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 3,000
2SD734E-AA onsemi 2SD734E-AA 0.2700
RFQ
ECAD 307 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8541.21.0075 1
FQPF4N25 onsemi FQPF4N25 -
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF4 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 250 v 2.8A (TC) 10V 1.75ohm @ 1.4a, 10V 5V @ 250µA 5.6 NC @ 10 v ± 30V 200 pf @ 25 v - 32W (TC)
DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ-7 0.5500
RFQ
ECAD 5461 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT3020 - 700MW u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.7A (TA) 20mohm @ 9a, 10V 2.5V @ 250µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
2SC3917-AC onsemi 2SC3917-AC 0.1000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1
IXTQ64N25P IXYS IXTQ64N25P 6.0250
RFQ
ECAD 7749 0.00000000 ixys 극선 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ64 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 250 v 64A (TC) 10V 49mohm @ 500ma, 10V 5V @ 250µA 105 NC @ 10 v ± 20V 3450 pf @ 25 v - 400W (TC)
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909, LF (Ct 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RN1909 200MW US6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 70 @ 10ma, 5V 250MHz 47kohms 22kohms
HUFA75823D3ST onsemi hufa75823d3st -
RFQ
ECAD 3972 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 hufa75 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 14A (TC) 10V 150mohm @ 14a, 10V 4V @ 250µA 54 NC @ 20 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 85W (TC)
DTA113ZU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA113ZU3HZGT106 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTA113 200 MW UMT3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies IRF8714TRPBFXTMA1 0.2965
RFQ
ECAD 3681 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 448-irf8714trpbfxtma1tr 4,000
APTM20DUM10TG Microsemi Corporation APTM20DUM10TG -
RFQ
ECAD 3956 0.00000000 Microsemi Corporation - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SP4 APTM20 MOSFET (금속 (() 694W SP4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1 2 n 채널 (채널) 200V 175a 12MOHM @ 87.5A, 10V 5V @ 5MA 224NC @ 10V 13700pf @ 25v -
PMBFJ112,215 NXP USA Inc. PMBFJ112,215 -
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 NXP USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 pmbfj1 300MW SOT-23 (TO-236AB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 40 v 6pf @ 10v (VGS) 40 v 5 ma @ 15 v 5 v @ 1 µa 50 옴
YJS7328A Yangjie Technology YJS7328A 0.1760
RFQ
ECAD 400 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-YJS7328AT 귀 99 4,000
NSBA144WDP6T5G onsemi NSBA144WDP6T5G 0.0672
RFQ
ECAD 7407 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 NSBA144 408MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohms 22kohms
2SK3573-ZK-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3573-ZK-E1-AZ 2.4500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 800
2SD1247S onsemi 2SD1247S 0.4100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1
ATF-52189-BLK Broadcom Limited ATF-52189-BLK -
RFQ
ECAD 8718 0.00000000 Broadcom Limited - 조각 쓸모없는 7 v TO-243AA 2GHz e-pemt SOT-89 다운로드 2 (1 년) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 100 500ma 200 MA 27dBM 16db 1.5dB 4.5 v
FJ4B01100L1 Panasonic Electronic Components FJ4B01100L1 -
RFQ
ECAD 2294 0.00000000 파나소닉 파나소닉 구성 전자 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C (TA) 표면 표면 4-XFLGA, CSP MOSFET (금속 (() XLGA004-W-0808-RA01 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 1,000 p 채널 12 v 2.2A (TA) 1.5V, 4.5V 74mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 1.2MA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 459 pf @ 10 v - 360MW (TA)
IPW60R090CFD7XKSA1 Infineon Technologies IPW60R090CFD7XKSA1 6.9100
RFQ
ECAD 128 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IPW60R090 MOSFET (금속 (() PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 25A (TC) 10V 90mohm @ 11.4a, 10V 4.5V @ 570µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2103 PF @ 400 v - 125W (TC)
DXTP07060BFGQ-7 Diodes Incorporated DXTP07060BFGQ-7 0.2175
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.1 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DXTP07060BFGQ-7TR 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 3 a 20NA (ICBO) PNP 500mv @ 300ma, 3a 100 @ 500ma, 2v 140MHz
SBC807-40LT3G onsemi SBC807-40LT3G 0.2800
RFQ
ECAD 40 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SBC807 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
SI3455DV Fairchild Semiconductor SI3455DV -
RFQ
ECAD 5620 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.6a, 10V 3V @ 250µA 5 nc @ 5 v ± 20V 298 pf @ 15 v - 800MW (TA)
BLC8G24LS-241AVZ Ampleon USA Inc. blc8g24ls-241avz -
RFQ
ECAD 5794 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 쟁반 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-1252-1 blc8 2.3GHz ~ 2.4GHz LDMOS DFM8 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 500 MA 56W 14.5dB - 28 v
FMS7G20US60S Fairchild Semiconductor FMS7G20US60S 17.3100
RFQ
ECAD 28 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 오후 25 a aa 89 w 단상 단상 정류기 오후 25 a aa 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 30 브레이크가있는 3 인버터 단계 - 600 v 20 a 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 NF @ 30 v
BUK6218-40C NXP USA Inc. BUK6218-40C -
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 0000.00.0000 1 n 채널 40 v 42A (TC) 10V 16MOHM @ 10A, 10V 2.8V @ 1MA 22 nc @ 10 v 1170 pf @ 25 v 60W (TC)
DMP1011LFV-13 Diodes Incorporated DMP1011LFV-13 0.2761
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP1011 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 12 v 19A (TC) 2.5V, 4.5V 11.7mohm @ 12a, 4.5v 1.2V @ 250µA 9.5 nc @ 6 v -6V 913 pf @ 6 v - 2.16W
IRFR3707Z Infineon Technologies IRFR3707Z -
RFQ
ECAD 4183 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRFR3707Z 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 56A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 15a, 10V 2.25V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1150 pf @ 15 v - 50W (TC)
PHB45NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB45NQ10T, 118 -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 PHB45 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800
FZ1000R45KL3B5NPSA1 Infineon Technologies FZ1000R45KL3B5NPSA1 1.0000
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 FZ1000R45 1600000 w 기준 A-IHV130 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2 단일 단일 트렌치 트렌치 정지 4500 v 1000 a 3.05V @ 15V, 1KA 5 MA 아니요 185 NF @ 25 v
DDTA143FKA-7-F Diodes Incorporated DDTA143FKA-7-F -
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA143 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고