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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PN2222ATA | 0.4200 |  | 1843 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | PN2222 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 40 v | 1 a | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RN2311 (TE85L, F) | 0.2700 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RN2311 | 100MW | SC-70 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300MV @ 250µA, 5MA | 120 @ 1ma, 5V | 200MHz | 10 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CMPTA42 TR | 0.5500 | | 1519 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 2ma, 20ma | 40 @ 30MA, 10V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMSTA56/8X | - | | 2274 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 934660242115 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S18170HSR3 | - | | 8787 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 65 v | 표면 표면 | NI-880S | MRF7 | 1.81GHz | LDMOS | NI-880S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 1.4 a | 50W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| jantxv2n2218al | 9.6159 | | 3307 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/251 | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 | 2N2218 | 800MW | To-5 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002KHE3-TP | 0.2500 | | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 340ma | 4.5V, 10V | 2.5ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 1mA | ± 20V | 40 pf @ 10 v | - | 350MW | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU910F115 | 1.0000 | | 8233 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6N44FE, LM | 0.4300 | | 111 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | SSM6N44 | MOSFET (금속 (() | 150MW | ES6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 100ma | 4ohm @ 10ma, 4v | 1.5V @ 100µa | - | 8.5pf @ 3v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPA60R520C6 | - | | 7250 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 8.1A (TC) | 10V | 520mohm @ 2.8a, 10V | 3.5V @ 230µA | 23.4 NC @ 10 v | ± 20V | 512 pf @ 100 v | - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | stwa65n65dm2ag | 11.2600 | | 9147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA65 | MOSFET (금속 (() | TO-247 긴 7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 60A (TC) | 10V | 50mohm @ 30a, 10V | 5V @ 250µA | 120 nc @ 10 v | ± 25V | 5500 pf @ 100 v | - | 446W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
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 | FDS6986AS_SN00192 | - | | 1507 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | FDS69 | MOSFET (금속 (() | 900MW | 도 8- | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6.5A, 7.9A | 29mohm @ 6.5a, 10v, 20mohm @ 7.9a, 10v | 3V @ 250µA, 3V @ 1mA | 9nc @ 5v, 8nc @ 5v | 720pf @ 10v, 550pf @ 10v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BD242BG | 0.8900 | | 6607 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | BD242 | 40 W. | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 3 a | 300µA | PNP | 1.2v @ 600ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123JQA147 | 0.0300 | | 143 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | PDTC123 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TSM150NB04LCR RLG | 1.4100 | | 1 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | TSM150 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 10A (TA), 41A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 966 pf @ 20 v | - | 3.1W (TA), 56W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6000NZ_F077 | - | | 4196 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SSOT Flat-Lead, Supersot ™ -6 FLMP | FDC6000 | MOSFET (금속 (() | 1.2W | SUPERSOT ™ -6 FLMP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 7.3A | 20mohm @ 6.5a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 11nc @ 4.5v | 840pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BSS119E6327 | - | | 8245 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | SIPMOS® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | PG-SOT23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 170ma (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 170ma, 10V | 2.3V @ 50µA | 2.5 nc @ 10 v | ± 20V | 78 pf @ 25 v | - | 360MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CP188-2N5088-CT | - | | 6807 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP188 | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 625 MW | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-CP188-2N5088-CT | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | 30 v | 50 MA | 50NA (ICBO) | 500mv @ 1ma, 10ma | 350 @ 1ma, 5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR129E6327HTSA1 | 0.0495 | | 9791 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCR129 | 200 MW | PG-SOT23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 100NA (ICBO) | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 120 @ 5MA, 5V | 150MHz | 10 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS7698 | 0.7800 | | 3 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS76 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 13.5A (TA), 22A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 13.5a, 10V | 3V @ 250µA | 24 nc @ 10 v | ± 20V | 1605 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA), 29W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MMIX1T600N04T2 | 39.4400 | | 20 | 0.00000000 | ixys | FRFET®, Supremos® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 24-powersmd, 21 리드 | MMIX1T600 | MOSFET (금속 (() | 24-SMPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 20 | n 채널 | 40 v | 600A (TC) | 10V | 1.3mohm @ 100a, 10V | 3.5V @ 250µA | 590 NC @ 10 v | ± 20V | 40000 pf @ 25 v | - | 830W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCXB900UEZ | 0.4000 | | 165 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | PMCXB900 | MOSFET (금속 (() | 265MW | DFN1010B-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 5,000 | n 보완 p 채널 및 | 20V | 600ma, 500ma | 620mohm @ 600ma, 4.5v | 950MV @ 250µA | 0.7NC @ 4.5V | 21.3pf @ 10V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | STL90N10F7 | 2.3400 | | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | DeepGate ™, Stripfet ™ vii | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | STL90 | MOSFET (금속 (() | Powerflat ™ (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 70A (TC) | 10V | 10.5mohm @ 8a, 10V | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 3550 pf @ 50 v | - | 5W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | APTM10UM01FAG | 359.2800 | | 4660 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM10 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 100 v | 860A (TC) | 10V | 1.6mohm @ 275a, 10V | 4V @ 12mA | 2100 NC @ 10 v | ± 30V | 60000 pf @ 25 v | - | 2500W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AUIRF9952QTR | - | | 6192 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AUIRF9952 | MOSFET (금속 (() | 2W | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001517940 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 및 p 채널 | 30V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 3V @ 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKZ75N65NH5XKSA1 | - | | 7297 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | TrenchStop ™ 5 | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-4 | IKZ75N | 기준 | 395 w | PG-to247-4 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 37.5A, 27OHM, 15V | 59 ns | 도랑 | 650 v | 90 a | 300 a | 2.1V @ 15V, 75A | 880µJ (on), 520µJ (OFF) | 166 NC | 52ns/412ns |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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