전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압 - 테스트 | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | FDP7030L | - | ![]() | 7824 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP70 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 30 v | 80A (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 40a, 10V | 3V @ 250µA | 33 NC @ 5 v | ± 20V | 2440 pf @ 15 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | irg4bc10kpbf | - | ![]() | 8170 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 기준 | 38 w | TO-220AB | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 480V, 5A, 100ohm, 15V | - | 600 v | 9 a | 18 a | 2.62V @ 15V, 5A | 160µJ (on), 100µJ (OFF) | 19 NC | 11ns/51ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4310 | - | ![]() | 9964 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | AO43 | MOSFET (금속 (() | 8-SOIC | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 36 v | 27A (TA) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 250µA | 57 NC @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 18 v | - | 3.6W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S23100HSR3 | - | ![]() | 8454 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 68 v | 섀시 섀시 | NI-780S | MRF6 | 2.4GHz | LDMOS | NI-780S | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 1 a | 20W | 15.4dB | - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | jantxv2n2060L | 82.0610 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/270 | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | 2N2060 | 2.12W | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 500ma | 10µA (ICBO) | 2 NPN (() | 300mv @ 5ma, 50ma | 50 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BC640,126 | - | ![]() | 7198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | BC64 | 830 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 145MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
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MD7003 | - | ![]() | 8244 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | MD700 | - | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 40V | 50ma | - | 2 PNP (() | - | 40 @ 100µa, 10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | auirfr2905ztr | - | ![]() | 1465 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Hexfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | D-PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001522330 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 55 v | 42A (TC) | 14.5mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 44 NC @ 10 v | 1380 pf @ 25 v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P01BATTL1 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | RD3P01 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | p 채널 | 100 v | 10A (TA) | 6V, 10V | 240mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 19.4 NC @ 10 v | ± 20V | 660 pf @ 50 v | - | 25W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD60R650CEBTMA1 | - | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ CE | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD60R | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | SP001369530 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 650mohm @ 2.4a, 10V | 3.5V @ 200µA | 20.5 nc @ 10 v | ± 20V | 440 pf @ 100 v | - | 82W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD50N04S308ATMA1 | - | ![]() | 1497 | 0.00000000 | 국제 국제 | 최적화 ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | IPD50 | MOSFET (금속 (() | PG-to252-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 50A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 40µA | 35 NC @ 10 v | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD8880-G | - | ![]() | 4373 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252, (D-PAK) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 요청시 요청시 도달하십시오 | 2832-FDD8880-GTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 58A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 35a, 10V | 2.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1260 pf @ 15 v | - | 55W (TC) |
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