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트랜지스터 (100539)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | TK560A60Y, S4X | 1.5300 | | 1059 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | DTMOSV | 튜브 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | TK560A60 | MOSFET (금속 (() | TO-220SIS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 560mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 240µA | 14.5 nc @ 10 v | ± 30V | 380 pf @ 300 v | - | 30W | |||||||||||||||||||||
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 | NTMFS0D9N03CGT1G | 3.2900 | | 466 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS0 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 48A (TA), 298A (TC) | 10V | 0.9mohm @ 20a, 10V | 2.2V @ 200µA | 131.4 NC @ 10 v | ± 20V | 9450 pf @ 15 v | - | 3.8W (TA), 144W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RN1902, LXHF (Ct | 0.3600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba 반도체 a 저장 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | RN1902 | 200MW | US6 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100ma | 500NA | 2 npn--바이어스 (듀얼) | 300MV @ 250µA, 5MA | 50 @ 10ma, 5V | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||||||||||||||||||||||
| IQD063N15NM5CGATMA1 | 4.8300 | | 5141 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | PDTC143ZQBZ | 0.2700 | | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | PDTC143 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | npn-사전- | 100MV @ 250µA, 5MA | 100 @ 10ma, 5V | 180MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | SI1303DL-T1-E3 | - | | 3053 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | SI1303 | MOSFET (금속 (() | SC-70-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 670MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 430mohm @ 1a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 2.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | - | 290MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | G12P06K | 0.4900 | | 1 | 0.00000000 | goford 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | 다운로드 | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0000 | 2,500 | p 채널 | 60 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1108 pf @ 30 v | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | RJK0351DPA-01#J0 | 0.9200 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RXH090N03TB1 | 1.4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | RXH090 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 4V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 1mA | 6.8 NC @ 5 v | ± 20V | 440 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
| MS1336 | - | | 6180 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | 200 ° C (TJ) | 섀시, 마운트 스터드 | M135 | 70W | M135 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 10db | 18V | 8a | NPN | 20 @ 250ma, 5V | 175MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||
| SQD100N02_3M5L4GE3 | 0.6209 | | 5786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SQD100 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 742-sqd100n02_3m5l4ge3tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 5500 pf @ 10 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | IXFH15N100 | - | | 5175 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | IXFH15 | MOSFET (금속 (() | TO-247AD (IXFH) | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 15A (TC) | 10V | 700mohm @ 500ma, 10V | 4.5V @ 4mA | 220 NC @ 10 v | ± 20V | 4500 pf @ 25 v | - | 360W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| FDBL86210 | - | | 8016 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | * | 대부분 | 활동적인 | FDBL862 | - | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 2,000 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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