SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 전압 - 테스트 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC238A Fairchild Semiconductor BC238A 0.0500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 500MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 250MHz
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies IPA028N08N3GXKSA1 -
RFQ
 ECAD 7935 0.00000000 인피온 인피온 최적화 ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 IPA028 MOSFET (금속 (() PG-to220-FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 89A (TC) 6V, 10V 2.8mohm @ 89a, 10V 3.5V @ 270µA 206 NC @ 10 v ± 20V 14200 pf @ 40 v - 42W (TC)
IXTA32P05T-TRL IXYS IXTA32P05T-TRL 1.7646
RFQ
 ECAD 6930 0.00000000 ixys Trenchp ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IXTA32 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 238-IXTA32P05T-TRLTR 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 50 v 32A (TC) 10V 39mohm @ 16a, 10V 4.5V @ 250µA 46 NC @ 10 v ± 15V 1975 pf @ 25 v - 83W (TC)
BFP843H6327 Infineon Technologies BFP843H6327 0.1700
RFQ
 ECAD 194 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 125MW SOT-343 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000 24.5dB 2.25V 55MA NPN 150 @ 15ma, 1.8v - 0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies IPN70R900P7SATMA1 0.7800
RFQ
 ECAD 7992 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ P7 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA IPN70R900 MOSFET (금속 (() PG-SOT223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 1.1a, 10V 3.5V @ 60µA 6.8 NC @ 10 v ± 16V 211 PF @ 400 v - 6.5W (TC)
AOT15S65L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT15S65L 2.8200
RFQ
 ECAD 230 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS ™ 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT15 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 290mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 17.2 NC @ 10 v ± 30V 841 pf @ 100 v - 208W (TC)
JANTX2N3724L Microchip Technology Jantx2N3724L -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AA, TO-5-3 금속 캔 To-5 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 0000.00.0000 1 30 v 500 MA - NPN - - -
SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 1.7342
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 Vishay Siliconix 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SQM100 MOSFET (금속 (() To-263 (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 2.7mohm @ 30a, 10V 3.5V @ 250µA 145 NC @ 10 v ± 20V 7910 pf @ 25 v - 157W (TC)
PHM2230DLS/1X Nexperia USA Inc. PHM2230DLS/1X -
RFQ
 ECAD 4882 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1727-PHM2230DLS/1X 쓸모없는 1
MCH5815-TL-E Sanyo MCH5815-TL-E 0.1200
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Sanyo * 대부분 활동적인 MCH5815 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8542.39.0001 3,000 -
CP307-2N5308-CT Central Semiconductor Corp CP307-2N5308-CT -
RFQ
 ECAD 1334 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 쟁반 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 주사위 625 MW 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1514-CP307-2N5308-CT 귀 99 8541.21.0095 1 40 v 300 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.4V @ 200µA, 200mA 20000 @ 100MA, 5V 60MHz
IRFR120NTRRPBF International Rectifier irfr120ntrrpbf -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() D-PAK 다운로드 귀 99 8542.39.0001 145 n 채널 100 v 9.4A (TC) 10V 210mohm @ 5.6a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 48W (TC)
JANTXV2N1613L Microchip Technology jantxv2n1613L 365.7500
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/181 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N1613 800MW To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1 30 v 500 MA 10µA (ICBO) NPN 1.5V @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V -
2N5551RLRMG onsemi 2N5551RLRMG -
RFQ
 ECAD 9644 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2N5551 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
PJA3404-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3404-AU_R1_000A1 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3404 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.6a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 343 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
MPS2222AZL1G onsemi MPS2222AZL1g -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPS222 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 600 MA 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
MMSS8550W-L-TP Micro Commercial Co MMSS8550W-L-TP 0.0386
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMSS8550 200 MW SOT-323 다운로드 353-MMSS8550W-L-TP 귀 99 8541.21.0075 1 25 v 1.5 a 100NA PNP 500mv @ 80ma, 800ma 120 @ 100MA, 1V 100MHz
BLF7G27LS-100,118 Ampleon USA Inc. BLF7G27LS-100,118 -
RFQ
 ECAD 4641 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 65 v 섀시 섀시 SOT-502B BLF7 2.5GHz ~ 2.7GHz LDMOS SOT502B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 934064592118 귀 99 8541.29.0095 100 28a 900 MA 20W 18db - 28 v
FF300R12KT4PHOSA1 Infineon Technologies FF300R12KT4PHOSA1 202.4000
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 인피온 인피온 기음 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 섀시 섀시 기준 기준 FF300R12 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 8 반 반 트렌치 트렌치 정지 1200 v 300 a 2.15V @ 15V, 300A 5 MA 아니요 19 nf @ 25 v
NSS40601CF8T1G onsemi NSS40601CF8T1G 1.0300
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 NSS40601 830 MW Chipfet ™ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 6 a 100NA (ICBO) NPN 135mv @ 400ma, 4a 200 @ 1a, 2v 140MHz
NTD80N02G onsemi NTD80N02G -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD80 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 24 v 80A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 80a, 10V 3V @ 250µA 42 NC @ 4.5 v ± 20V 2600 pf @ 20 v - 75W (TC)
PJMF390N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF390N65EC_T0_00001 3.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF390 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF390N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 29.5W (TC)
HUF75329S3 onsemi HUF75329S3 -
RFQ
 ECAD 1031 0.00000000 온세미 Ultrafet ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB HUF75 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 55 v 49A (TC) 10V 24mohm @ 49a, 10V 4V @ 250µA 75 NC @ 20 v ± 20V 1060 pf @ 25 v - 128W (TC)
DTA113ZE3HZGTL Rohm Semiconductor dta113ze3hzgtl 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-75, SOT-416 DTA113 150 MW EMT3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-dta113ze3hzgtlct 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
BUZ60BU Harris Corporation buz60bu 9.8400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 해리스 해리스 * 대부분 활동적인 buz60 - - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 0000.00.0000 1 -
BSV52 onsemi BSV52 -
RFQ
 ECAD 9342 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSV52 225 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 12 v 200 MA 100NA (ICBO) NPN 400mv @ 5ma, 50ma 40 @ 10ma, 1v 400MHz
SPU30P06P Infineon Technologies spu30p06p -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 인피온 인피온 SIPMOS® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA spu30p MOSFET (금속 (() PG-to251-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 p 채널 60 v 30A (TC) 10V 75mohm @ 21.5a, 10V 4V @ 1.7ma 48 NC @ 10 v ± 20V 1535 pf @ 25 v - 125W (TC)
IXFH10N100Q IXYS IXFH10N100Q -
RFQ
 ECAD 7476 0.00000000 ixys Hiperfet ™, Q 클래스 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 IXFH10 MOSFET (금속 (() TO-247AD (IXFH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1000 v 10A (TC) 10V 1.2ohm @ 5a, 10V 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 300W (TC)
FJNS4213RBU onsemi FJNS4213RBU -
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns42 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 200MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
ALD110808ASCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808ASCL 8.9544
RFQ
 ECAD 6140 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® 튜브 활동적인 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ALD110808 MOSFET (금속 (() 500MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1014-1025 귀 99 8541.21.0095 50 4 n 채널, 채널 쌍 10.6v 12MA, 3MA 500ohm @ 4.8V 810mv @ 1µa - 2.5pf @ 5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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