전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | TSM60NB190CI | 4.4264 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | TSM60 | MOSFET (금속 (() | ITO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-TSM60NB190CI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 18A (TC) | 10V | 190mohm @ 6a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1273 pf @ 100 v | - | 33.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||
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![]() | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | 자동차, AEC-Q101, Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | PowerPak® SO-8 듀얼 | MOSFET (금속 (() | 93W (TC) | PowerPak® SO-8L 듀얼 BWL | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3,000 | 2 n 채널 | 40V | 123A (TC) | 3.4mohm @ 7a, 10V | 3.5V @ 250µA | 56NC @ 10V | 3143pf @ 25v | 기준 | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | SI3456DDV-T1-GE3 | 0.4300 | ![]() | 107 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | SI3456 | MOSFET (금속 (() | 6TSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.3A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | 9 NC @ 10 v | ± 20V | 325 pf @ 15 v | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||
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![]() | NVBG095N065SC1 | 10.6268 | ![]() | 6243 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA | NVBG095 | sicfet ((카바이드) | D2PAK-7 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 488-NVBG095N065SC1TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 30A (TC) | 15V, 18V | 105mohm @ 12a, 18V | 4.3V @ 4mA | 50 nc @ 18 v | 956 pf @ 325 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||||||||||
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![]() | YJQ15GP10A | 0.2750 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-YJQ15GP10ATR | 귀 99 | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | auirfr2407trl | - | ![]() | 6821 | 0.00000000 | 국제 국제 | Hexfet® | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | AUIRFR2407 | MOSFET (금속 (() | D-PAK (TO-252AA) | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | n 채널 | 75 v | 42A (TC) | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | 2400 pf @ 25 v | - | 110W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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