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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 얻다 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDMS86310 | 2.6400 | ![]() | 730 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 17A (TA), 50A (TC) | 8V, 10V | 4.8mohm @ 17a, 10V | 4.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 6290 pf @ 40 v | - | 2.5W (TA), 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9512-55B, 127 | - | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | 31 NC @ 5 v | ± 15V | 3693 pf @ 25 v | - | 157W (TC) | |||||||||||||||||||||||
2pd601art-qvl | 0.0264 | ![]() | 1694 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | TO-236AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1727-2pd601art-qvltr | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 210 @ 2MA, 10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7226-75A, 118 | - | ![]() | 6351 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 75 v | 45A (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 48 NC @ 10 v | ± 20V | 2385 pf @ 25 v | - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BUK969R3-100E, 118 | 1.3361 | ![]() | 3474 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101, Trenchmos ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | BUK969 | MOSFET (금속 (() | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 100 v | 100A (TC) | 5V, 10V | 8.9mohm @ 25a, 10V | 2.1v @ 1ma | 94.3 NC @ 5 v | ± 10V | 11650 pf @ 25 v | - | 263W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3135S-SPA-AC | 0.0700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 온세미 | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75345S3 | - | ![]() | 7505 | 0.00000000 | 온세미 | Ultrafet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | HUF75 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | n 채널 | 55 v | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | 275 NC @ 20 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 325W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | KSD5041QTA | - | ![]() | 4914 | 0.00000000 | 온세미 | - | 컷 컷 (CT) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | KSD5041 | 750 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 20 v | 5 a | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 100MA, 3A | 230 @ 500ma, 2V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDP100N10 | 3.6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | FDP100 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 75A (TC) | 10V | 10mohm @ 75a, 10v | 4.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 7300 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143EQBZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면, 마운트 측면 | 3-xdfn d 패드 | PDTA143 | 340 MW | DFN1110D-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 100NA | pnp- 사전- | 100mv @ 500µa, 10ma | 30 @ 10ma, 5V | 180MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | AOTF10N60_006 | - | ![]() | 1940 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | AOTF10 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 10A (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 4.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 30V | 1600 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BC550BBU | - | ![]() | 2313 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 500MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 667 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ISC011N06LM5ATMA1 | 4.0900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | 최적화 ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | ISC011N | MOSFET (금속 (() | PG-TDSON-8-17 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 37A (TA), 288A (TC) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 50a, 10V | 2.3V @ 116µA | 170 nc @ 10 v | ± 20V | 11000 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 188W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IRGS6B60KPBF | 1.0000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 국제 국제 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | 기준 | 90 W. | PG-to263-3-901 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 0000.00.0000 | 1 | 400V, 5A, 100ohm, 15V | - | 600 v | 13 a | 26 a | 2.2V @ 15V, 5A | 110µJ (on), 135µJ (OFF) | 18.2 NC | 25NS/215NS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9524-55A, 127 | - | ![]() | 7249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | buk95 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 55 v | 46A (TC) | 4.5V, 10V | 21.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1mA | ± 10V | 1815 pf @ 25 v | - | 105W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | IXFE80N50 | - | ![]() | 3665 | 0.00000000 | ixys | Hiperfet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | IXFE80 | MOSFET (금속 (() | SOT-227B | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 500 v | 72A (TC) | 10V | 55mohm @ 40a, 10V | 4.5V @ 8mA | 380 nc @ 10 v | ± 20V | 9890 pf @ 25 v | - | 580W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | APTM50DAM19G | 200.7200 | ![]() | 1400 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SP6 | APTM50 | MOSFET (금속 (() | SP6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 500 v | 163A (TC) | 10V | 22.5mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10MA | 492 NC @ 10 v | ± 30V | 22400 pf @ 25 v | - | 1136W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SIHG73N60E-GE3 | 12.6600 | ![]() | 7443 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | SIHG73 | MOSFET (금속 (() | TO-247AC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 25 | n 채널 | 600 v | 73A (TC) | 10V | 39mohm @ 36a, 10V | 4V @ 250µA | 362 NC @ 10 v | ± 30V | 7700 pf @ 100 v | - | 520W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | TN0610N3-G-P013 | 1.0500 | ![]() | 2151 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TN0610 | MOSFET (금속 (() | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 100 v | 500MA (TJ) | 3V, 10V | 1.5ohm @ 750ma, 10V | 2V @ 1mA | ± 20V | 150 pf @ 25 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFS5C460NLWFT1G | - | ![]() | 4561 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NVMFS5 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 40 v | 78A (TC) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 35a, 10V | 2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1300 pf @ 25 v | - | 3.6W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
TSM045NB06CR RLG | 3.8400 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | TSM045 | MOSFET (금속 (() | 8-PDFN (5.2x5.75) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TSM045NB06CRRLGTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 16A (TA), 104A (TC) | 10V | 5mohm @ 16a, 10V | 4V @ 250µA | 104 NC @ 10 v | ± 20V | 6870 pf @ 30 v | - | 3.1W (TA), 136W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40W-AQ | 0.0363 | ![]() | 5059 | 0.00000000 | diotec 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2796-BC807-40W-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPA03N60C3XK | 1.0000 | ![]() | 8162 | 0.00000000 | 인피온 인피온 | Coolmos ™ | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | PG-to220-3-111 | 다운로드 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 600 v | 3.2A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 135µA | 17 nc @ 10 v | ± 20V | 400 pf @ 25 v | - | 29.7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPR-001011-850S00 | 619.6350 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | Macom 기술 솔루션 | - | 대부분 | 활동적인 | 200 ° C | 섀시 섀시 | 2L-FLG | MAPR-001011 | 11.6kW | 2L-FLG | - | 1465-MAPR-001011-850S00 | 1 | 7.8dB | 80V | 250A | NPN | - | 1.15GHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMC7692S-F126 | - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | 페어차일드 페어차일드 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | MOSFET (금속 (() | 8MLP (3.3x3.3) | - | 2156-FDMC7692S-F126 | 1 | n 채널 | 30 v | 12.5A (TA), 18A (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 12.5a, 10V | 3V @ 1mA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1385 pf @ 15 v | - | 2.3W (TA), 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1111-AA | - | ![]() | 6161 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 600MW | 3-NP | - | rohs 비준수 | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2156-2SD1111-AA-488 | 1 | 50 v | 700 MA | 100NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.2v @ 100µa, 100ma | 5000 @ 50MA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | 0.5900 | ![]() | 140 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | DMN10 | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 2.3A (TA) | 4.5V, 10V | 220mohm @ 1.6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.3 NC @ 10 v | ± 20V | 401 pf @ 25 v | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | PMCM440VNE084 | - | ![]() | 8894 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | 대부분 | 활동적인 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pmpb55xneax | 0.4700 | ![]() | 6779 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | PMPB55 | MOSFET (금속 (() | DFN2020MD-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 3.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 72mohm @ 3.8a, 4.5v | 1.25V @ 250µA | 5 nc @ 4.5 v | ± 12V | 255 pf @ 15 v | - | 550MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | stwa50n65dm2ag | 5.8831 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | STWA50 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 600 | n 채널 | 650 v | 38A (TC) | 10V | 87mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 69 NC @ 10 v | ± 25V | 3200 pf @ 100 v | - | 300W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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