SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 저항 -rds (on) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
MMBT3904-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3904-7-F-52 0.0253
RFQ
 ECAD 5850 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 31-MMBT3904-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MCU95N06KY-TP Micro Commercial Co MCU95N06KY-TP 1.5700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MCU95 MOSFET (금속 (() DPAK (TO-252) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 95A 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 72.84 NC @ 10 v ± 20V 4159 pf @ 30 v - 160W
MMDT3906-7-F-52 Diodes Incorporated MMDT3906-7-F-52 0.0873
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3906 200MW SOT-363 다운로드 31-MMDT3906-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA 2 PNP (() 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
55GN01MA-TL-E onsemi 55GN01MA-TL-E 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 55GN01 400MW 3MCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 10dB @ 1GHz 10V 70ma NPN 100 @ 10ma, 5V 4.5GHz ~ 5.5GHz 1.9dB @ 1GHz
AOD458 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD458 0.3471
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD45 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 250 v 14A (TC) 10V 280mohm @ 7a, 10V 4.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 770 pf @ 25 v - 150W (TC)
MMBTA06-7-F Diodes Incorporated MMBTA06-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 258 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA06 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
BCP54 onsemi BCP54 0.5200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP54 1.5 w SOT-223-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 45 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
STF17N62K3 STMicroelectronics STF17N62K3 5.4300
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 stmicroelectronics Supermesh3 ™ 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 STF17 MOSFET (금속 (() TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 620 v 15.5A (TC) 10V 340mohm @ 7.5a, 10V 4.5V @ 100µa 105 NC @ 10 v ± 30V 3100 pf @ 50 v - 40W (TC)
IP111N15N3G Infineon Technologies IP111N15N3G -
RFQ
 ECAD 5769 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1
BC549C onsemi BC549C -
RFQ
 ECAD 5692 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC549 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 250MHz
IRF3711Z Infineon Technologies IRF3711Z -
RFQ
 ECAD 2401 0.00000000 인피온 인피온 Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 *IRF3711Z 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 20 v 92A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 15A, 10V 2.45V @ 250µA 24 nc @ 4.5 v ± 20V 2150 pf @ 10 v - 79W (TC)
SPI12N50C3IN Infineon Technologies SPI12N50C3IN 1.1300
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 인피온 인피온 Coolmos ™ 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA MOSFET (금속 (() PG-to262-3-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 500 v 11.6A (TC) 10V 380mohm @ 7a, 10V 3.9V @ 500µA 49 NC @ 10 v ± 20V 1200 pf @ 25 v - 125W (TC)
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier auirf1010ezstrl 1.0000
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 국제 국제 Hexfet® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() PG-to263-3 다운로드 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 60 v 75A (TC) 10V 8.5mohm @ 51a, 10V 4V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 2810 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJW5P06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjw5p06a-au_r2_000a1 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW5P06 MOSFET (금속 (() SOT-223 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
BUK9506-55A,127 NXP USA Inc. BUK9506-55A, 127 -
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 buk95 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 55 v 75A (TC) 4.5V, 10V 5.8mohm @ 25a, 10V 2V @ 1mA ± 15V 8600 pf @ 25 v - 300W (TC)
NTD78N03R-1G onsemi NTD78N03R-1G 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1
RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT50TS65DGC11 2.5127
RFQ
 ECAD 8936 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 RGT50 기준 174 w TO-247N 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RGT50TS65DGC11 귀 99 8541.29.0095 30 400V, 25A, 10ohm, 15V 58 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 48 a 75 a 2.1V @ 15V, 25A - 49 NC 27ns/88ns
SI3441DV Fairchild Semiconductor SI3441DV -
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.5A (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 3.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 779 pf @ 10 v - 800MW (TA)
JANSD2N3810L Microchip Technology JANSD2N3810L 198.9608
RFQ
 ECAD 1120 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/336 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 78-6 금속 6 2N3810 350MW To-78-6 - 영향을받지 영향을받지 150-JANSD2N3810L 1 60V 50ma 10µA (ICBO) 2 PNP (() 250mv @ 100µa, 1ma 150 @ 1ma, 5V -
HFA3127BZ Renesas Electronics America Inc HFA3127BZ 12.9800
RFQ
 ECAD 9592 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 16-SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) HFA3127 150MW 16- 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 45 - 12V 65MA 5 NPN 40 @ 10ma, 2v 8GHz 3.5dB @ 1GHz
IMH20TR1 onsemi IMH20TR1 -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-74, SOT-457 IMH20 300MW SC-74R 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 15V 600ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 80MV @ 2.5MA, 50MA 100 @ 50MA, 5V - 2.2kohms -
SG2024J Microchip Technology SG2024J -
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 쟁반 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TA) 구멍을 구멍을 16-CDIP (0.300 ", 7.62mm) SG2024 - 16-Cerdip 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-SG2024J 귀 99 8541.29.0095 25 95V 500ma - 7 npn 달링턴 1.6V @ 500µa, 350ma 1000 @ 350MA, 2V -
FDP8443 Fairchild Semiconductor FDP8443 1.2300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 페어차일드 페어차일드 Powertrench® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 40 v 20A (TA), 80A (TC) 10V 3.5mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 185 NC @ 10 v ± 20V 9310 pf @ 25 v - 188W (TC)
PMV48XPA215 NXP USA Inc. PMV48XPA215 -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0095 3,000
J310ZL1G onsemi J310ZL1g -
RFQ
 ECAD 8888 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) J310 100MHz JFET TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60ma 10 MA - 16db - 10 v
MPS651G onsemi MPS651G -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPS651 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 60 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 75 @ 1a, 2v 75MHz
MJF47G onsemi MJF47G 1.4600
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MJF47 2 w TO-220FP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 250 v 1 a 200µA NPN 1V @ 200MA, 1A 30 @ 300ma, 10V 10MHz
MQ2N4091UB Microchip Technology MQ2N4091UB 81.2497
RFQ
 ECAD 6682 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 없음 360 MW ub - 영향을받지 영향을받지 150-MQ2N4091UB 1 n 채널 40 v 16pf @ 20V 40 v 30 ma @ 20 v 30 옴
KSD1408OTU Fairchild Semiconductor KSD1408OTU 1.0000
RFQ
 ECAD 9824 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 25 W. TO-220F-3 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µA (ICBO) NPN 1.5V @ 300MA, 3A 70 @ 500ma, 5V 8MHz
ZXT690BKTC Diodes Incorporated ZXT690BKTC 1.0100
RFQ
 ECAD 7537 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXT690 3.9 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 45 v 3 a 20NA NPN 350MV @ 150MA, 3A 150 @ 2a, 2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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