SIC
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트랜지스터 (100539)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 테스트 테스트 현재 - 테스트 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전압 - 테스트 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
NTTFS012N10MDTAG onsemi NTTFS012N10MDTAG 1.7000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 100 v 9.2A (TA), 45A (TC) 6V, 10V 14.4mohm @ 15a, 10V 4V @ 78µA 13 nc @ 10 v ± 20V 965 pf @ 50 v - 2.7W (TA), 62W (TC)
AOM033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOM033V120X2 17.9071
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 AOM033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOM033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOD780A70 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD780A70 0.6229
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD7 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOD780A70TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 700 v 7A (TC) 10V 780mohm @ 1.4a, 10V 4.1V @ 250µA 11.5 nc @ 10 v ± 20V 675 pf @ 100 v - 83W (TC)
AOGF60B65H2AL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOGF60B65H2AL 2.1920
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 AOGF60 기준 74 w to-3pf 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aogf60b65h2al 귀 99 8541.29.0095 480 400V, 60A, 5ohm, 15V 318 ns - 650 v 120 a 180 a 2.5V @ 15V, 60A 2.36mj (on), 1.17mj (OFF) 84 NC 35ns/168ns
AOD66919 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD66919 0.6619
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 AOD66 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aod66919tr 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 22A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.6V @ 250µA 66 NC @ 10 v ± 20V 3420 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 156W (TC)
AOT2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2144L 1.0036
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2144 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 205A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 187W (TC)
AOB2140L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB2140L 1.8278
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB AOB21 MOSFET (금속 (() TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOB2140LTR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 40 v 57A (TA), 195a (TC) 4.5V, 10V 1.5mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 180 NC @ 10 v ± 20V 9985 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 272W (TC)
AOT10B60M1 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10B60M1 0.8005
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphaigbt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT10 기준 83 w TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT10B60M1TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 30ohm, 15V - 600 v 20 a 25 a 2.9V @ 15V, 10A 190µJ (on), 140µJ (OFF) 14 NC 5.5ns/61ns
AONS36304 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONS36304 0.3032
RFQ
 ECAD 3625 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powersmd, 평평한 리드 AONS363 MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-aons36304tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 37A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 1.9V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 20V 2430 pf @ 15 v - 6.2W (TA), 42W (TC)
AOK040A60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK040A60 6.7519
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AMOS5 ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK040 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK040A60 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 600 v 70A (TC) 10V 40mohm @ 25a, 10V 3.6V @ 250µA 175 NC @ 10 v ± 20V 9320 pf @ 100 v - 500W (TC)
AOT2146L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT2146L 0.9409
RFQ
 ECAD 9974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 AOT2146 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOT2146LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 42A (TA), 105A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3830 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 119W (TC)
AOTF2144L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF2144L 1.1829
RFQ
 ECAD 6211 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 AOTF2144 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOTF2144LTR 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 46A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA 95 NC @ 10 v ± 20V 5225 pf @ 20 v - 8.3W (TA), 32W (TC)
AOK033V120X2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOK033V120X2 16.3538
RFQ
 ECAD 9615 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 AOK033 sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터) TO-247 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOK033V120X2 귀 99 8541.29.0095 240 n 채널 1200 v 68A (TC) 15V 43mohm @ 20a, 15V 2.8V @ 17.5mA 104 NC @ 15 v +15V, -5V 2908 pf @ 800 v - 300W (TA)
AOY66920 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOY66920 0.5595
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Alphasgt ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK AOY669 MOSFET (금속 (() TO-251B 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 785-AOY66920 귀 99 8541.29.0095 3,500 n 채널 100 v 19.5A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8.2MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 2500 pf @ 50 v - 6.2W (TA), 89W (TC)
JFE150DBVR Texas Instruments JFE150DBVR 1.2493
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 텍사스 텍사스 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-74A, SOT-753 JFE150 SOT-23-5 - Rohs3 준수 1 (무제한) 296-JFE150DBVR 3,000 n 채널 40 v 24pf @ 5V 40 v 24 ma @ 10 v 1.5 V @ 100 NA 50 MA
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Inc. BLS7G2729LS-350P, 1 716.0700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Ampleon USA Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 65 v 표면 표면 SOT-539B BLS7G2729 2.7GHz ~ 2.9GHz LDMOS SOT539B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 20 이중, 소스 일반적인 - 200 MA 350W 13db - 32 v
FF450R12ME4BDLA1 Infineon Technologies FF450R12ME4BDLA1 133.5700
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 20 MW 기준 Ag-Econod-3-2 - 2156-FF450R12ME4BDLA1 2 하프 하프 인버터 트렌치 트렌치 정지 1200 v 450 a 2.1V @ 15V, 450A 3 MA 예 28 nf @ 25 v
IPA50R280E6 Infineon Technologies IPA50R280E6 0.9400
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 2156-IPA50R280E6 349
MW7IC930NR1 NXP Semiconductors MW7IC930NR1 59.9800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 플랫 리드 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270WB-16 - 2156-MW7IC930NR1 귀 99 8542.33.0001 6 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
PQMH9Z NXP Semiconductors PQMH9Z 0.0300
RFQ
 ECAD 8934 0.00000000 nxp 반도체 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 표면 표면 6-xfdfn 노출 패드 230MW DFN1010B-6 - 2156-PQMH9Z 2,592 50V 100ma 1µA 2 npn--바이어스 100MV @ 250µA, 5MA 100 @ 5ma, 5V 230MHz 10kohms 47kohms
HGTP14N36G3VL Fairchild Semiconductor HGTP14N36G3VL -
RFQ
 ECAD 8017 0.00000000 페어차일드 페어차일드 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 논리 100 W. TO-220AB - 2156-HGTP14N36G3VL 1 - 도랑 390 v 18 a 2.2V @ 5V, 14a - 24 NC -
2SJ179-T2-AZ Renesas 2SJ179-T2-AZ -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SJ179-T2-AZ 1
2SK3366-AZ Renesas 2SK3366-AZ -
RFQ
 ECAD 5372 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MOSFET (금속 (() MP-3 - 2156-2SK3366-az 1 n 채널 30 v 20A (TA) 10V 21mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 1mA 15 nc @ 10 v ± 20V 730 pf @ 10 v - 1W (TA), 30W (TC)
2SK1591W-T1B-A Renesas 2SK1591W-T1B-A -
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-2SK1591W-T1B-A 1
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas RJH65D27BDPQ-A0#T2 -
RFQ
 ECAD 7829 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 기준 375 w TO-247A - 2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2 1 400V, 50A, 10ohm, 15V 80 ns 도랑 650 v 100 a 200a 1.65V @ 15V, 50A 1mj (on), 1.5mj (OFF) 175 NC 20ns/165ns
RJP4301APP-00#T2 Renesas RJP4301APP-00#T2 -
RFQ
 ECAD 4204 0.00000000 Renesas - 대부분 쓸모없는 - 2156-RJP4301APP-00#T2 1
PMPB15XP/S500H Nexperia USA Inc. PMPB15XP/S500H 0.1200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() DFN2020MD-6 - 2156-PMPB15XP/S500H 2,520 p 채널 12 v 8.2A (TA) 1.8V, 4.5V 19mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 100 nc @ 4.5 v ± 12V 2875 pf @ 6 v - 1.7W (TA), 12.5W (TC)
MW7IC930GNR1 NXP Semiconductors MW7IC930GNR1 -
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 65 v 표면 표면 to-270-16 0, 갈매기 날개 920MHz ~ 960MHz ldmos (() TO-270 WBL-16 갈매기 - 2156-MW7IC930GNR1 1 2 n 채널 10µA 285 MA 3.2W 35.9dB - 28 v
RJK03E2DNS-00#J5 onsemi RJK03E2DNS-00#J5 -
RFQ
 ECAD 5128 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-HWSON (3.3x3.3) - 2156-RJK03E2DNS-00#J5 1 n 채널 30 v 16A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 1mA 1.8 nc @ 4.5 v ± 20V 1100 pf @ 10 v - 12.5W (TC)
MRF6V2150NBR1 NXP Semiconductors MRF6V2150NBR1 59.8400
RFQ
 ECAD 164 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 쓸모없는 110 v 섀시 섀시 TO-272BB 450MHz LDMOS TO-272 WB-4 - 2156-MRF6V2150NBR1 귀 99 8541.21.0075 6 n 채널 - 450 MA 150W 25db - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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