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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 입력 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | vce (on) (max) @ vge, ic | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | NTC 스터 서머 | 입력 입력 (cie) @ vce |
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![]() | VS-ENQ030L120S | - | ![]() | 7672 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | EMIPAK-1B | ENQ030 | 216 W. | 기준 | EMIPAK-1B | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 98 | 3 레벨 인버터 | 도랑 | 1200 v | 61 a | 2.52V @ 15V, 30A | 230 µA | 예 | 3.34 NF @ 30 v | ||||||||||||||
![]() | vs-gb90da60u | - | ![]() | 9603 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4 | GB90 | 625 w | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs-gb90da60ugi | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 하나의 | NPT | 600 v | 147 a | 2.8V @ 15V, 100A | 100 µa | 아니요 | ||||||||||||||
VS-CPV362M4FPBF | - | ![]() | 9826 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 19-SIP (13 13), IMS-2 | CPV362 | 23 w | 기준 | IMS-2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSCPV362M4FPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | - | 600 v | 8.8 a | 1.7V @ 15V, 4.8A | 250 µA | 아니요 | 340 pf @ 30 v | |||||||||||||||
![]() | vs-gt300fd060n | 670.5450 | ![]() | 4047 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 듀얼 int-a-pak (4 + 8) | GT300 | 1250 w | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsgt300fd060n | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 3 레벨 인버터 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 379 a | 2.5V @ 15V, 300A | 250 µA | 아니요 | 23.3 NF @ 30 v | |||||||||||||
VS-CPV364M4KPBF | - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 19-SIP (13 13), IMS-2 | CPV364 | 63 W. | 기준 | IMS-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 3 단계 인버터 | - | 600 v | 24 a | 1.8V @ 15V, 24A | 250 µA | 아니요 | 1.6 NF @ 30 v | |||||||||||||||
![]() | vs-gb400th120U | - | ![]() | 5555 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 4) | GB400 | 2660 W. | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGB400th120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | NPT | 1200 v | 660 a | 3.6V @ 15V, 400A | 5 MA | 아니요 | 33.7 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | vs-gt100tp120n | - | ![]() | 7011 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | int-a-pak (3 + 4) | GT100 | 652 w | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsgt100tp120n | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 반 반 | 도랑 | 1200 v | 180 a | 2.35V @ 15V, 100A | 5 MA | 아니요 | 12.8 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | vs-gt50tp120n | - | ![]() | 9172 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | int-a-pak (3 + 4) | GT50 | 405 w | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsgt50tp120n | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 반 반 | 도랑 | 1200 v | 100 a | 2.35V @ 15V, 50A | 5 MA | 아니요 | 6.24 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | GA200SA60U | - | ![]() | 1337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GA200 | 500 W. | 기준 | SOT-227B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600 v | 200a | 1.9V @ 15V, 100A | 1 MA | 아니요 | 16.5 NF @ 30 v | |||||||||||||||
CPV364M4U | - | ![]() | 7732 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 19-SIP (13 13), IMS-2 | CPV364 | 63 W. | 기준 | IMS-2 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 3 단계 인버터 | - | 600 v | 20 a | 1.84V @ 15V, 20A | 250 µA | 아니요 | 2.1 NF @ 30 v | |||||||||||||||
![]() | VS-50MT060TFT | 61.7800 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 20mtp 모듈 | 50MT060 | 144 w | 기준 | 20MTP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-VS-50MT060TFT | 1 | 전체 전체 | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 55 a | 2.1V @ 15V, 50A | 40 µA | 아니요 | 3000 pf @ 25 v | ||||||||||||||||
![]() | vs-gt400th120U | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 8) | GT400 | 2344 w | 기준 | int-a-pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGT400th120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | 도랑 | 1200 v | 750 a | 2.35V @ 15V, 400A | 5 MA | 아니요 | 51.2 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | VS-70MT060WHTAPBF | - | ![]() | 6381 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 12MTP 모듈 | 70mt060 | 347 w | 기준 | MTP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS70MT060WHTAPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 105 | 반 반 | NPT | 600 v | 100 a | 3.4V @ 15V, 140A | 700 µA | 아니요 | 8 nf @ 30 v | |||||||||||||
![]() | VS-GB75NA60UF | - | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GB75 | 447 w | 기준 | SOT-227 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 하나의 | NPT | 600 v | 109 a | 2V @ 15V, 35A | 50 µA | 아니요 | |||||||||||||||
![]() | VS-GB55NA120UX | - | ![]() | 6073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfred® | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GB55 | 431 w | 기준 | SOT-227 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 하나의 | NPT | 1200 v | 84 a | 50 µA | 아니요 | ||||||||||||||||
![]() | VS-GT200TS065 | 115.8100 | ![]() | 3012 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | pt® | 상자 | 활동적인 | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 1 kW | 기준 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 112-VS-GT200TS065S | 15 | 하프 하프 인버터 | 도랑 | 650 v | 476 a | 200 µA | 아니요 | ||||||||||||||||||||
VS-50MT060WHTAPBF | - | ![]() | 2346 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 12MTP 모듈 | 50MT060 | 658 w | 기준 | MTP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS50MT060WHTAPBF | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | - | 600 v | 114 a | 3.2V @ 15V, 100A | 400 µA | 아니요 | 7.1 NF @ 30 v | ||||||||||||||
![]() | VS-GT75LP120N | - | ![]() | 6088 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | int-a-pak | GT75 | 543 w | 기준 | int-a-pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 24 | 반 반 | - | 1200 v | 150 a | 2.35V @ 15V, 75A | 5 MA | 아니요 | 5.52 NF @ 25 v | |||||||||||||||
![]() | VS-20MT120UFP | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 16MTP 모듈 | 20mt120 | 240 W. | 기준 | MTP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vs20mt120ufp | 귀 99 | 8541.29.0095 | 105 | 전체 전체 인버터 | NPT | 1200 v | 40 a | 4.66V @ 15V, 40A | 250 µA | 아니요 | 3.79 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | vs-gb150th120U | - | ![]() | 6104 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 4) | GB150 | 1147 w | 기준 | int-a-pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGB150th120U | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | - | 1200 v | 280 a | 3.6V @ 15V, 150A | 5 MA | 아니요 | 12.7 NF @ 30 v | |||||||||||||
![]() | vs-ga200th60s | - | ![]() | 8699 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 이중 int-a-pak (3 + 4) | GA200 | 1042 w | 기준 | int-a-pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSGA200th60S | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 반 반 | - | 600 v | 260 a | 1.9V @ 15V, 200a (타이핑) | 5 µA | 아니요 | 13.1 NF @ 25 v | |||||||||||||
![]() | vs-gt105la120ux | - | ![]() | 3465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GT105 | 463 w | 기준 | SOT-227 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 하나의 | NPT | 1200 v | 134 a | 75 µA | 아니요 | ||||||||||||||||
CPV363M4K | - | ![]() | 3068 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 19-SIP (13 13), IMS-2 | CPV363 | 36 w | 기준 | IMS-2 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 160 | 3 단계 인버터 | - | 600 v | 11 a | 2V @ 15V, 11a | 250 µA | 아니요 | 740 pf @ 30 v | |||||||||||||||
CPV364M4F | - | ![]() | 6788 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 19-SIP (13 13), IMS-2 | CPV364 | 63 W. | 기준 | IMS-2 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 84 | 3 단계 인버터 | - | 600 v | 27 a | 1.6V @ 15V, 27a | 250 µA | 아니요 | 2.2 NF @ 30 v | ||||||||||||||||
![]() | vs-gb75sa120up | - | ![]() | 1928 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GB75 | 658 w | 기준 | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | VSGB75SA120UP | 귀 99 | 8541.29.0095 | 180 | 하나의 | NPT | 1200 v | 3.8V @ 15V, 75A | 250 µA | 아니요 | ||||||||||||||||
![]() | VS-GB300AH120N | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 더블 int-a-pak (5) | GB300 | 2500 W | 기준 | int-a-pak | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsgb300ah120n | 귀 99 | 8541.29.0095 | 12 | 하나의 | - | 1200 v | 620 a | 1.9V @ 15V, 300A (유형) | 5 MA | 아니요 | 21 NF @ 25 v | |||||||||||||
![]() | 50MT060WH | - | ![]() | 2289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 12MTP 모듈 | 50MT060 | 658 w | 기준 | 12MTP | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 15 | 반 반 | Pt | 600 v | 114 a | 3.2V @ 15V, 100A | 400 µA | 아니요 | 7.1 NF @ 30 v | |||||||||||||||
![]() | FB180SA10 | - | ![]() | 8744 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | Hexfet® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | FB180 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 10V | 6.5mohm @ 108a, 10V | 4V @ 250µA | 380 nc @ 10 v | ± 20V | 10700 pf @ 25 v | - | 480W (TC) | ||||||||||||
![]() | vs-ga250sa60s | - | ![]() | 3119 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4 | GA250 | 961 w | 기준 | SOT-227 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | 하나의 | - | 600 v | 400 a | 1.66V @ 15V, 200a | 1 MA | 아니요 | 16.25 NF @ 30 v | ||||||||||||||
![]() | VS-FC420SA15 | 25.6600 | ![]() | 2260 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | FC420 | MOSFET (금속 (() | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10 | n 채널 | 150 v | 400A (TC) | 10V | 2.75mohm @ 200a, 10V | 5.4V @ 1mA | 250 nc @ 10 v | ± 20V | 13700 pf @ 25 v | - | 909W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
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