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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce
VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENQ030L120S -
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 EMIPAK-1B ENQ030 216 W. 기준 EMIPAK-1B 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 98 3 레벨 인버터 도랑 1200 v 61 a 2.52V @ 15V, 30A 230 µA 3.34 NF @ 30 v
VS-GB90DA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb90da60u -
RFQ
ECAD 9603 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4 GB90 625 w 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-gb90da60ugi 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 600 v 147 a 2.8V @ 15V, 100A 100 µa 아니요
VS-CPV362M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4FPBF -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV362 23 w 기준 IMS-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSCPV362M4FPBF 귀 99 8541.29.0095 160 - 600 v 8.8 a 1.7V @ 15V, 4.8A 250 µA 아니요 340 pf @ 30 v
VS-GT300FD060N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt300fd060n 670.5450
RFQ
ECAD 4047 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 듀얼 int-a-pak (4 + 8) GT300 1250 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgt300fd060n 귀 99 8541.29.0095 12 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 600 v 379 a 2.5V @ 15V, 300A 250 µA 아니요 23.3 NF @ 30 v
VS-CPV364M4KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV364M4KPBF -
RFQ
ECAD 2726 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV364 63 W. 기준 IMS-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 3 단계 인버터 - 600 v 24 a 1.8V @ 15V, 24A 250 µA 아니요 1.6 NF @ 30 v
VS-GB400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb400th120U -
RFQ
ECAD 5555 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB400 2660 W. 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGB400th120U 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 NPT 1200 v 660 a 3.6V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 33.7 NF @ 30 v
VS-GT100TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt100tp120n -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 4) GT100 652 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgt100tp120n 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 도랑 1200 v 180 a 2.35V @ 15V, 100A 5 MA 아니요 12.8 NF @ 30 v
VS-GT50TP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt50tp120n -
RFQ
ECAD 9172 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak (3 + 4) GT50 405 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgt50tp120n 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 도랑 1200 v 100 a 2.35V @ 15V, 50A 5 MA 아니요 6.24 NF @ 30 v
GA200SA60U Vishay General Semiconductor - Diodes Division GA200SA60U -
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GA200 500 W. 기준 SOT-227B 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 200a 1.9V @ 15V, 100A 1 MA 아니요 16.5 NF @ 30 v
CPV364M4U Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV364M4U -
RFQ
ECAD 7732 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV364 63 W. 기준 IMS-2 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 3 단계 인버터 - 600 v 20 a 1.84V @ 15V, 20A 250 µA 아니요 2.1 NF @ 30 v
VS-50MT060TFT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060TFT 61.7800
RFQ
ECAD 8553 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 20mtp 모듈 50MT060 144 w 기준 20MTP 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 112-VS-50MT060TFT 1 전체 전체 트렌치 트렌치 정지 600 v 55 a 2.1V @ 15V, 50A 40 µA 아니요 3000 pf @ 25 v
VS-GT400TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt400th120U -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 8) GT400 2344 w 기준 int-a-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGT400th120U 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 도랑 1200 v 750 a 2.35V @ 15V, 400A 5 MA 아니요 51.2 NF @ 30 v
VS-70MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70MT060WHTAPBF -
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 12MTP 모듈 70mt060 347 w 기준 MTP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS70MT060WHTAPBF 귀 99 8541.29.0095 105 반 반 NPT 600 v 100 a 3.4V @ 15V, 140A 700 µA 아니요 8 nf @ 30 v
VS-GB75NA60UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB75NA60UF -
RFQ
ECAD 4811 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB75 447 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 600 v 109 a 2V @ 15V, 35A 50 µA 아니요
VS-GB55NA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB55NA120UX -
RFQ
ECAD 6073 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfred® 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB55 431 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 1200 v 84 a 50 µA 아니요
VS-GT200TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT200TS065 115.8100
RFQ
ECAD 3012 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 상자 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 1 kW 기준 - Rohs3 준수 1 (무제한) 112-VS-GT200TS065S 15 하프 하프 인버터 도랑 650 v 476 a 200 µA 아니요
VS-50MT060WHTAPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50MT060WHTAPBF -
RFQ
ECAD 2346 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 12MTP 모듈 50MT060 658 w 기준 MTP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS50MT060WHTAPBF 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 - 600 v 114 a 3.2V @ 15V, 100A 400 µA 아니요 7.1 NF @ 30 v
VS-GT75LP120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT75LP120N -
RFQ
ECAD 6088 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 int-a-pak GT75 543 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 24 반 반 - 1200 v 150 a 2.35V @ 15V, 75A 5 MA 아니요 5.52 NF @ 25 v
VS-20MT120UFP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20MT120UFP -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 16MTP 모듈 20mt120 240 W. 기준 MTP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs20mt120ufp 귀 99 8541.29.0095 105 전체 전체 인버터 NPT 1200 v 40 a 4.66V @ 15V, 40A 250 µA 아니요 3.79 NF @ 30 v
VS-GB150TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb150th120U -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GB150 1147 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGB150th120U 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 - 1200 v 280 a 3.6V @ 15V, 150A 5 MA 아니요 12.7 NF @ 30 v
VS-GA200TH60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ga200th60s -
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 이중 int-a-pak (3 + 4) GA200 1042 w 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSGA200th60S 귀 99 8541.29.0095 12 반 반 - 600 v 260 a 1.9V @ 15V, 200a (타이핑) 5 µA 아니요 13.1 NF @ 25 v
VS-GT105LA120UX Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt105la120ux -
RFQ
ECAD 3465 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GT105 463 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 하나의 NPT 1200 v 134 a 75 µA 아니요
CPV363M4K Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV363M4K -
RFQ
ECAD 3068 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV363 36 w 기준 IMS-2 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 160 3 단계 인버터 - 600 v 11 a 2V @ 15V, 11a 250 µA 아니요 740 pf @ 30 v
CPV364M4F Vishay General Semiconductor - Diodes Division CPV364M4F -
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 19-SIP (13 13), IMS-2 CPV364 63 W. 기준 IMS-2 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 84 3 단계 인버터 - 600 v 27 a 1.6V @ 15V, 27a 250 µA 아니요 2.2 NF @ 30 v
VS-GB75SA120UP Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gb75sa120up -
RFQ
ECAD 1928 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GB75 658 w 기준 SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) VSGB75SA120UP 귀 99 8541.29.0095 180 하나의 NPT 1200 v 3.8V @ 15V, 75A 250 µA 아니요
VS-GB300AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300AH120N -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 더블 int-a-pak (5) GB300 2500 W 기준 int-a-pak - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsgb300ah120n 귀 99 8541.29.0095 12 하나의 - 1200 v 620 a 1.9V @ 15V, 300A (유형) 5 MA 아니요 21 NF @ 25 v
50MT060WH Vishay General Semiconductor - Diodes Division 50MT060WH -
RFQ
ECAD 2289 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 12MTP 모듈 50MT060 658 w 기준 12MTP 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 15 반 반 Pt 600 v 114 a 3.2V @ 15V, 100A 400 µA 아니요 7.1 NF @ 30 v
FB180SA10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FB180SA10 -
RFQ
ECAD 8744 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division Hexfet® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FB180 MOSFET (금속 (() SOT-227 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 100 v 180A (TC) 10V 6.5mohm @ 108a, 10V 4V @ 250µA 380 nc @ 10 v ± 20V 10700 pf @ 25 v - 480W (TC)
VS-GA250SA60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-ga250sa60s -
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4 GA250 961 w 기준 SOT-227 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 하나의 - 600 v 400 a 1.66V @ 15V, 200a 1 MA 아니요 16.25 NF @ 30 v
VS-FC420SA15 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FC420SA15 25.6600
RFQ
ECAD 2260 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 FC420 MOSFET (금속 (() SOT-227 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10 n 채널 150 v 400A (TC) 10V 2.75mohm @ 200a, 10V 5.4V @ 1mA 250 nc @ 10 v ± 20V 13700 pf @ 25 v - 909W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고