SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJX8805_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8805_R1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8805 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJX8805_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 30V 500MA (TA) 390mohm @ 500ma, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.6NC @ 4.5V 137pf @ 15V -
PJS6801_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6801_S1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6801 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 3.2A (TA) 74mohm @ 3.2a, 10V 1.3V @ 250µA 15NC @ 10V 633pf @ 15V -
PJL9804_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9804_R2_00001 0.1494
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9804 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9804_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TA) 28mohm @ 6a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8NC @ 10V 343pf @ 15V -
PJT7002H_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7002H_R1_00001 0.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 5ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 1.3NC @ 4.5V 25V @ 25V -
PJL9433A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9433A_R2_00001 0.5100
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9433 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9433A_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
PJQ4548VP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. pjq4548vp-au_r2_002a1 0.7900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4548 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 11.6A (TA), 40A (TC) 7V, 10V 10A, 10A, 10V 3.5V @ 50µA 9.5 nc @ 10 v ± 20V 673 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 30W (TC)
MMBT5401-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT5401-AU_R1_000A1 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
PJT7413_S2_00001 Panjit International Inc. PJT7413_S2_00001 -
RFQ
ECAD 6624 0.00000000 Panjit International Inc. - 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7413 MOSFET (금속 (() SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7413_S2_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.5V, 4.5V 85mohm @ 2.5a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 12V 522 pf @ 10 v - 750MW (TA)
PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3P10A_R2_00001 0.6800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3p10a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 210mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1419 pf @ 25 v - 3.1W (TA)
BC856B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC856B-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC856-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC856B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
BC858C_R1_00001 Panjit International Inc. BC858C_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC858C_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
PJD60R620E_L2_00001 Panjit International Inc. PJD60R620E_L2_00001 0.6218
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD60 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD60R620E_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1.2A (TA), 7A (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 457 pf @ 25 v - 2W (TA), 78W (TC)
PJP10NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP10NA80_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9712 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP10NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 10A (TA) 10V 1.15ohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1517 pf @ 25 v - 180W (TC)
BC857CW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857CW-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
ECAD 8655 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857CW-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
BC856BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC856BS_R1_00001 0.3200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC856 150MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC856BS_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP (() 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PJMP390N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP390N65EC_T0_00001 3.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJMP390 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMP390N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 87.5W (TC)
PJL9410_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9410_R2_00001 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9410 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9410_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
PBHV8110DW-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PBHV8110DW-AU_R2_000A1 0.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PBHV8110 2.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 450MV @ 100MA, 1A 140 @ 150ma, 2V 100MHz
PBHV9110DA_R1_00001 Panjit International Inc. PBHV9110DA_R1_00001 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBHV9110 1.25 w SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV9110DA_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100ma, 1a 100 @ 500ma, 5V 100MHz
MMDT3904TB6_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT3904TB6_R1_00001 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT3904 225MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 4,000 40V 200ma 50NA 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BC817-16W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-16W-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817-16W-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJX8803_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8803_R1_00001 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8803 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJX8803_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 p 채널 (채널) 20V 600MA (TA) 340mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 4.5V 151pf @ 10V -
PJA3461-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pja3461-au_r1_000a1 0.5400
RFQ
ECAD 3292 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3461 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3461-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 170mohm @ 1.9a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 430 pf @ 30 v - 1.25W (TA)
BC847B_R1_00001 Panjit International Inc. BC847B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. BC847 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC847B_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V -
PJA3402-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3402-AU_R1_000A1 0.4400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3402 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3402-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 1.8V, 10V 48mohm @ 4.4a, 10V 1.2V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 12V 447 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
PJQ5466A1_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5466A1_R2_00001 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5466 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5466A1_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.4A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2W (TA), 83W (TC)
MMBT3904W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904W_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBT3904 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3904W_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
BC850C_R1_00001 Panjit International Inc. BC850C_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC850 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 330 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC850C_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PJD7NA60_R2_00001 Panjit International Inc. PJD7NA60_R2_00001 0.5160
RFQ
ECAD 4429 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd7n MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD7NA60_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - -
PJP10NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJP10NA65_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9994 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP10NA65_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10A (TA) 10V 1ohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 156W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고