SIC
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트랜지스터 (860)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
PJD5NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD5NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 2985 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD5NA50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD5NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 491 pf @ 25 v - 76W (TC)
PJD12P06-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD12P06-AU_L2_000A1 0.4009
RFQ
 ECAD 2278 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD12 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd12p06-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.6A (TA), 12A (TC) 10V 155mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 10.9 NC @ 10 v ± 20V 385 pf @ 25 v - 2W (TA), 50W (TC)
MMBTA55_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA55_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA55 225 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBTA55_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJQ4402P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4402P-AU_R2_000A1 0.6900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4402 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4402P-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 16A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2436 pf @ 25 v - 2W (TA), 39W (TC)
PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD35N06A_L2_00001 0.6300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD35 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.7A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 1.1W (TA), 63W (TC)
BCX56-16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BCX56-16-AU_R1_000A1 0.3700
RFQ
 ECAD 1210 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX56 1.4 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BCX56-16-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 150ma, 2v 100MHz
PJP60R620E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R620E_T0_00001 0.7138
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R620E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.2A (TA), 7A (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 457 pf @ 25 v - 2W (TA), 78W (TC)
PJW3P10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3P10A_R2_00001 0.6800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3p10a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 210mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1419 pf @ 25 v - 3.1W (TA)
BC847A_R1_00001 Panjit International Inc. BC847A_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC847 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC847A_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PJD4NA70_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA70_L2_00001 0.9500
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA70 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA70_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
PSMQC040N08NS2_R2_00201 Panjit International Inc. PSMQC040N08NS2_R2_00201 1.9800
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040 - Rohs3 준수 1 (무제한) 3,000
PJA3441-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3441-AU_R1_000A1 0.4600
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3441 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3441-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 88mohm @ 3.1a, 10V 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 v ± 20V 505 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
PJQ5848_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5848_R2_00001 0.3152
RFQ
 ECAD 3075 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5848 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA), 20W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5848_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 8.6A (TA), 30A (TC) 12mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1040pf @ 20V -
MMBTA92-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA92-AU_R1_000A1 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA92 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-mmbta92-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 250NA PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
MMDT3946_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT3946_R1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3946 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMDT3946_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PJS6834_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6834_S2_00001 0.1178
RFQ
 ECAD 5115 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6834 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6834_S2_00001TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 750MA (TA) 400mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10V -
PJD25N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N03_L2_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD25 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD25N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 7A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 20V 392 pf @ 25 v - 2W (TA), 25W (TC)
PJMF600N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF600N65E1_T0_00001 1.7700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF600 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF600N65E1_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 7.3A (TC) 10V 600mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 554 pf @ 400 v - 32W (TC)
PJMF900N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF900N60EC_T0_00001 3.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF900 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF900N60EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 30V 310 pf @ 400 v - 22.5W (TC)
PSMB050N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMB050N10NS2_R2_00601 2.5300
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMB050N10 MOSFET (금속 (() TO-263 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 120A (TJ) 6V, 10V 5mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 270µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 50 v - 138W (TC)
MMBT918_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT918_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT918 225MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT918_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 15V 50ma NPN 20 @ 3ma, 1v 600MHz -
2SC2411K_R1_00001 Panjit International Inc. 2SC2411K_R1_00001 0.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SC2411K 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-2SC2411K_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 500 MA 1µA (ICBO) NPN 600mv @ 50ma, 500ma 120 @ 100MA, 3V 250MHz
MMBT3904_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904_R1_00001 0.1100
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3904_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PJD40N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N06A_L2_00001 0.2329
RFQ
 ECAD 4568 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD40 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD40N06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 40A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 60W (TC)
BC846APN_R1_00001 Panjit International Inc. BC846APN_R1_00001 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846APN_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc. PJL9812_R2_00201 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9812 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TA) 35mohm @ 6a, 10V 1.3V @ 250µA 5.1NC @ 4.5V 421pf @ 15V -
PJMF120N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF120N60EC_T0_00001 6.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF120 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF120N60EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 400 v - 33W (TC)
PJMP130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP130N65EC_T0_00001 6.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJMP130 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMP130N65EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 29A (TC) 10V 130mohm @ 10.8a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 1920 pf @ 400 v - 235W (TC)
BC849BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC849BW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 2762 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC849 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PJA3440_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3440_R1_00001 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3440 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 42MOHM @ 4.3A, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 410 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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