SIC
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트랜지스터 (860)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJL9413_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9413_R2_00001 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9413 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9413_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
BC850CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC850CW_R1_00001 0.0189
RFQ
 ECAD 1164 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC856BW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC856BW-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC856 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC856BW-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
PSMP032N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP032N08NS1_T0_00601 2.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP032N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP032N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 166A (TC) 7V, 10V 3.4mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 76 NC @ 7 v ± 20V 7430 pf @ 40 v - 156W (TC)
PJD5P10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD5P10A_L2_00001 0.1816
RFQ
 ECAD 7322 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD5 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd5p10a_l2_00001tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 1.3A (TA), 5A (TC) 4.5V, 10V 650mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 8 nc @ 10 v ± 20V 448 pf @ 15 v - 2W (TA), 30W (TC)
BC847C_R1_00001 Panjit International Inc. BC847C_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. BC847 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V -
BC817-40-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-40-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PJE138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pje138k-au_r1_000a1 0.4100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 PJE138 MOSFET (금속 (() SOT-523 5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 50 v 350MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 223MW (TA)
PJQ4546P-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. pjq4546p-au_r2_002a1 0.8700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4546 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 15.7A (TA), 64A (TC) 4.5V, 10V 5.6mohm @ 15a, 10V 2.3V @ 50µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1320 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 42W (TC)
MMDT3946_S1_00001 Panjit International Inc. MMDT3946_S1_00001 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3946 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA NPN, PNP 보완 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
PJC7412_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7412_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 3747 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7412 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7412_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.2ohm @ 500ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.87 NC @ 4.5 v ± 10V 34 pf @ 15 v - 350MW (TA)
PBHV8110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV8110DA-AU_R1_000A1 0.3200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBHV8110 1.25 w SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 450MV @ 100MA, 1A 140 @ 150ma, 2V 100MHz
BC807-16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC807-16-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 330 MW SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC807-16-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJQ2463A_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2463A_R1_00001 0.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2463 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA)
PBHV9110DH_R1_00001 Panjit International Inc. PBHV9110DH_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 621 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV9110 1.4 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV9110DH_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100ma, 1a 140 @ 150ma, 2V 100MHz
PJP9NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP9NA90_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2389 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP9 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP9NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 205W (TC)
PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit International Inc. PJMH120N60EC_T0_00601 5.2600
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 PJMH120 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMH120N60EC_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 30A (TC) 10V 120mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 30V 1960 pf @ 400 v - 235W (TC)
PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802_R1_00001 0.5100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7802 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7802_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 39pf @ 10V -
PJS6600_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6600_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6600 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 1.6A (TA), 1.1A (TA) 200mohm @ 1.6a, 4.5v, 370mohm @ 1.1a, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.5nc @ 4.5v, 1.6nc @ 4.5v 93pf @ 15v, 125pf @ 15v -
PJS6405_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6405_S1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6405 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6405_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.6A (TA) 4.5V, 10V 72mohm @ 4.6a, 10V 2.1V @ 250µA 5.2 NC @ 10 v ± 20V 417 pf @ 15 v - 2W (TA)
MMBTA42_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA42_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 195 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA42 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBTA42_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5466a1-au_r2_000a1 0.9500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5466 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5466a1-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.4A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 100W (TC)
PJP60R980E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R980E_T0_00001 0.5557
RFQ
 ECAD 1147 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R980E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 14.4 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 58W (TC)
PJD2NA1K_L2_00001 Panjit International Inc. PJD2NA1K_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 1260 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd2n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4463ap-au_r2_000a1 0.7900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
PJD9N10A_L2_00001 Panjit International Inc. pjd9n10a_l2_00001 0.5500
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD9 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD9N10A_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.4A (TA), 9A (TC) 4.5V, 10V 152mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1021 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
PJD45P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD45P03_L2_00001 0.2402
RFQ
 ECAD 1797 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD45P03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 2W (TA), 40W (TC)
PJQ5458A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5458A-AU_R2_000A1 0.6600
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5458 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5458A-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.4A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 8a, 10a 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 32.6W (TC)
PJQ5461A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5461A_R2_00001 0.1963
RFQ
 ECAD 8481 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5461 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5461A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA), 11.5A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA), 26W (TC)
PJQ5460A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5460A_R2_00001 0.1963
RFQ
 ECAD 6004 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5460 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5460A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.6A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 685 pf @ 25 v - 2W (TA), 41W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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