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트랜지스터 (860)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJU7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU7NA60_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5275 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA pju7na60 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU7NA60_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJU6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJU6NA40_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU6NA40 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU6NA40_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 400 v 6A (TA) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 553 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJZ9NA90_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ9NA90_T0_10001 -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ9NA90 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ9NA90_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 240W (TC)
PJQ1906_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00001 -
RFQ
 ECAD 1425 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1x0.6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1906_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
PJQ1906_R1_00201 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00201 -
RFQ
 ECAD 1514 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5546V-AU_R2_002A1 1.0400
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5546 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.7A (TA), 79A (TC) 7V, 10V 5.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 50µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1283 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 65W (TC)
PJA3415AE-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3415AE-AU_R1_000A1 0.4000
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pja3415ae-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.3A (TA) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.3a, 4.5v 1V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 8V 907 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
BC817DPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817DPN-AU_R1_000A1 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 BC817 330MW SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) NPN, PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJZ18NA50_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ18NA50_T0_10001 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ18NA50 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ18NA50_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 500 v 18A (TA) 10V 350mohm @ 9a, 10V 4V @ 250µA 38 NC @ 10 v ± 30V 2407 pf @ 25 v - 240W (TC)
PJMF190N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF190N60E1_T0_00001 2.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF190 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF190N60E1_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1410 pf @ 400 v - 38W (TC)
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJQ4443P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4443P-AU_R2_000A1 0.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4443 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.8A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2767 pf @ 25 v - 2.1W (TA), 59.5W (TC)
PJL9411_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9411_R2_00001 0.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9411 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9411_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
PJMB390N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB390N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB390 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 87.5W (TC)
PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4401p-au_r2_000a1 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4401 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4401p-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP055N08NS1_T0_00601 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP055N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP055N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 111A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 136W (TC)
MMBT2907A-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. MMBT2907A-AU_R1_000A2 0.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT2907A-AU_R1_000A2CT 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMQC040N10NS2_R2_00601 2.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040N10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
PJU4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 5360 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJS6421_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6421_S1_00001 0.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6421 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.4A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 16.5 nc @ 4.5 v ± 10V 1620 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJC7472B_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7472B_R1_00001 0.0987
RFQ
 ECAD 5610 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7472 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC7472B_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 250MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 600ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nc @ 4.5 v ± 30V 34 pf @ 25 v - 350MW (TA)
BC817-25-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC817-25-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJP60R390E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R390E_T0_00001 2.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R390E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.5A (TA), 11A (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 2W (TA), 124W (TC)
BC846BS_R1_00001 Panjit International Inc. BC846BS_R1_00001 0.2400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 250MW SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846BS_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PSMB055N08NS1_R2_00601 Panjit International Inc. PSMB055N08NS1_R2_00601 1.6100
RFQ
 ECAD 398 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PSMB055N08 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMB055N08NS1_R2_00601TR 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 80 v 108A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 113.6W (TC)
PJL9458AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9458AL_R2_00001 0.3261
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9458 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9458AL_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1519 pf @ 30 v - 2.5W (TA)
PJD1NA60A_R2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60A_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v - 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - -
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
 ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
MMBT3904FN3_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3904FN3_R1_00001 0.2700
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn MMBT3904 250 MW 3-DFN (1x0.6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v -
PJP7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP7NA80_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP7 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 154W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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