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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJE8428_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8428_R1_00001 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8428 MOSFET (금속 (() SOT-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8428_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 300MW (TA)
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PJL9812_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9812_R2_00001 -
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9812 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TA) 35mohm @ 6a, 10V 1.3V @ 250µA 5.1NC @ 4.5V 421pf @ 15V -
PBHV9110DH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV9110DH-AU_R1_000A1 0.1272
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV9110 1.4 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV9110DH-AU_R1_000A1TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100ma, 1a 140 @ 150ma, 2V 100MHz
PJMD990N65EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD990N65EC_L2_00001 6.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJMD990 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 650 v 4.7A (TC) 10V 990mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 306 PF @ 400 v - 47.5W (TC)
PJQ1906_R1_00201 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00201 -
RFQ
ECAD 1514 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB210N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
ECAD 276 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB210 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 19A (TC) 10V 210mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 1412 pf @ 400 v - 150W (TC)
PJQ1906_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00001 -
RFQ
ECAD 1425 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() 3-DFN (1x0.6) 다운로드 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1906_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 1 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
PJU7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU7NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA pju7na60 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU7NA60_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJU6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJU6NA40_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU6NA40 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU6NA40_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 400 v 6A (TA) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 553 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJZ9NA90_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ9NA90_T0_10001 -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ9NA90 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ9NA90_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 240W (TC)
PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5546V-AU_R2_002A1 1.0400
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5546 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.7A (TA), 79A (TC) 7V, 10V 5.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 50µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1283 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 65W (TC)
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJQ4443P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4443P-AU_R2_000A1 0.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4443 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.8A (TA), 46A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2767 pf @ 25 v - 2.1W (TA), 59.5W (TC)
PJQ4401P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4401p-au_r2_000a1 0.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4401 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4401p-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
PJL9411_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9411_R2_00001 0.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9411 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9411_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 8.4A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 8.4a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
PJMB390N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB390N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB390 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 10A (TC) 10V 390mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 726 pf @ 400 v - 87.5W (TC)
PJP60R980E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R980E_T0_00001 0.5557
RFQ
ECAD 1147 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP60R MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP60R980E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 14.4 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 58W (TC)
PJD45P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD45P03_L2_00001 0.2402
RFQ
ECAD 1797 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD45P03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 2W (TA), 40W (TC)
PJD9N10A_L2_00001 Panjit International Inc. pjd9n10a_l2_00001 0.5500
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD9 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD9N10A_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.4A (TA), 9A (TC) 4.5V, 10V 152mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 20V 1021 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
PSMP055N08NS1_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP055N08NS1_T0_00601 1.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP055N08 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP055N08NS1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 80 v 111A (TC) 7V, 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 3.75V @ 250µA 48 NC @ 7 v ± 20V 4773 pf @ 40 v - 136W (TC)
PJQ5466A1-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5466a1-au_r2_000a1 0.9500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5466 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5466a1-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 7.4A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 100W (TC)
PJD2NA1K_L2_00001 Panjit International Inc. PJD2NA1K_L2_00001 -
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd2n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJQ4463AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4463ap-au_r2_000a1 0.7900
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4463 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 60 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
PJQ5461A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5461A_R2_00001 0.1963
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5461 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5461A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA), 11.5A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA), 26W (TC)
PSMQC040N10NS2_R2_00601 Panjit International Inc. PSMQC040N10NS2_R2_00601 2.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 PSMQC040N10 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
PJU4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5360 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA70 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA70_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJD1NA60A_R2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60A_R2_00001 -
RFQ
ECAD 8578 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v - 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - -
PJD1NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA50_L2_00001 -
RFQ
ECAD 4810 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd1na50 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD1NA50_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 1A (TA) 10V 9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 4.2 NC @ 10 v ± 30V 95 pf @ 25 v - 25W (TC)
PJF7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9238 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 45W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고