전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PJS6415AE_S1_00001 | 0.4000 | ![]() | 3688 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | PJS6415 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJS6415AE_S1_00001CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 4.9A (TA) | 1.8V, 10V | 60mohm @ 4.9a, 10V | 1.2V @ 250µA | 6.9 NC @ 4.5 v | ± 12V | 602 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||
![]() | PJQ4448P-AU_R2_000A1 | 0.5900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4448 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-pjq4448p-au_r2_000a1ct | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 40 v | 10A (TA), 42A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1040 pf @ 20 v | - | 2.4W (TA), 42W (TC) | ||||||||||
![]() | pjq4848p-au_r2_000a1 | 0.7700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | PJQ4848 | MOSFET (금속 (() | 2.4W (TA), 39.6W (TC) | DFN3333B-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 40V | 9A (TA), 37A (TC) | 15mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 1040pf @ 20V | - | |||||||||||||
![]() | BC848A_R1_00001 | 0.0189 | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | BC848 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BC848 | 330 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 120,000 | 30 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | PJD1NA60B_L2_00001 | - | ![]() | 2418 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJD1NA60 | MOSFET (금속 (() | TO-252 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 600 v | 1A (TA) | 10V | 10ohm @ 500ma, 10V | 3.5V @ 250µA | 6.1 NC @ 10 v | ± 30V | 210 pf @ 25 v | - | 28W (TC) | ||||||||||||
![]() | PJQ1902_R1_00001 | 0.4400 | ![]() | 9553 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | PJQ1902 | MOSFET (금속 (() | 3-DFN (0.6x1) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ1902_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 30 v | 500MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 1.2ohm @ 350ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | 0.87 NC @ 4.5 v | ± 10V | 34 pf @ 15 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||
![]() | PJF60R190E_T0_00001 | 0.1728 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | PJF60R190E | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJF60R190E_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 2.1A (TA), 20A (TC) | 10V | 196MOHM @ 10A, 10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 v | ± 20V | 1421 pf @ 25 v | - | 1.04W (TA), 68W (TC) | ||||||||||
![]() | PJP4NA90_T0_00001 | - | ![]() | 1089 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PJP4 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3757-PJP4NA90_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 4A (TA) | 10V | 3.4ohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 17 nc @ 10 v | ± 30V | 710 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||
![]() | PJT7808_R1_00001 | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7808 | MOSFET (금속 (() | 350MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJT7808_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 20V | 500MA (TA) | 400mohm @ 500ma, 4.5v | 900MV @ 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브 | ||||||||||||
![]() | PJE8400_R1_00001 | 0.0987 | ![]() | 2206 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | PJE8400 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJE8400_R1_00001TR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n 채널 | 20 v | 1.1A (TA) | 1.8V, 4.5V | 88mohm @ 1.1a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4.6 NC @ 4.5 v | ± 12V | 350 pf @ 10 v | - | 300MW (TA) | ||||||||||
![]() | PJL9807_R2_00001 | 0.1699 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | PJL9807 | MOSFET (금속 (() | 1.7W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJL9807_R2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 p 채널 (채널) | 30V | 4A (TA) | 52mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.8nc @ 4.5v | 516pf @ 15V | - | ||||||||||||
![]() | PJQ4466AP_R2_00001 | 0.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4466 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 6A (TA), 33A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 28 nc @ 10 v | ± 20V | 1680 pf @ 20 v | - | 2W (TA), 44.6W (TC) | ||||||||||
![]() | PJP2NA90_T0_00001 | - | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | PJP2 | MOSFET (금속 (() | TO-220AB | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 3757-PJP2NA90_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 900 v | 2A (TA) | 10V | 6.4ohm @ 1a, 10V | 4V @ 250µA | 11.1 NC @ 10 v | ± 30V | 396 pf @ 25 v | - | 80W (TC) | |||||||||||
![]() | PJL9430A_R2_00001 | 0.1523 | ![]() | 8642 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | PJL9430 | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJL9430A_R2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 4.8A (TA) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 4.8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 815 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||
![]() | PJQ4408P_R2_00001 | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ4408 | MOSFET (금속 (() | DFN3333-8 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ4408P_R2_00001CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA), 42A (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 16a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 763 pf @ 25 v | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||
![]() | PJD7NA65_R2_00001 | 0.5160 | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | pjd7n | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJD7NA65_R2_00001TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 650 v | 7A (TA) | 10V | 1.5ohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 16.8 nc @ 10 v | ± 30V | 754 pf @ 25 v | - | - | ||||||||||
![]() | PJF60R390E_T0_00001 | 0.9041 | ![]() | 5672 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | PJF60R390E | MOSFET (금속 (() | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJF60R390E_T0_00001 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 600 v | 1.5A (TA), 11A (TC) | 10V | 390mohm @ 3.8a, 10V | 4V @ 250µA | 32 NC @ 10 v | ± 20V | 531 pf @ 25 v | - | 1.04W (TA), 53W (TC) | ||||||||||
![]() | PJS6403_S1_00001 | 0.4000 | ![]() | 668 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | PJS6403 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJS6403_S1_00001DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.4A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.8 NC @ 4.5 v | ± 20V | 870 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | ||||||||||
![]() | PJE8428_R1_00001 | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | PJE8428 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJE8428_R1_00001DKR | 귀 99 | 8541.21.0095 | 4,000 | n 채널 | 30 v | 300MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.2ohm @ 300ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.9 nc @ 4.5 v | ± 10V | 45 pf @ 10 v | - | 300MW (TA) | ||||||||||
![]() | PJQ5450-AU_R2_000A1 | 0.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ5450 | MOSFET (금속 (() | DFN5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 5.9A (TA), 21A (TC) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | 4.4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 425 pf @ 25 v | - | 2.4W (TA), 30W (TC) | ||||||||||
![]() | PJL9812_R2_00001 | - | ![]() | 9273 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | PJL9812 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 6A (TA) | 35mohm @ 6a, 10V | 1.3V @ 250µA | 5.1NC @ 4.5V | 421pf @ 15V | - | |||||||||||||
![]() | PBHV9110DH-AU_R1_000A1 | 0.1272 | ![]() | 7347 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | PBHV9110 | 1.4 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PBHV9110DH-AU_R1_000A1TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 100 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 100ma, 1a | 140 @ 150ma, 2V | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | PJMD990N65EC_L2_00001 | 6.8300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PJMD990 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 650 v | 4.7A (TC) | 10V | 990mohm @ 2a, 10V | 4V @ 250µA | 9.7 NC @ 10 v | ± 30V | 306 PF @ 400 v | - | 47.5W (TC) | ||||||||||
![]() | PJQ1906_R1_00201 | - | ![]() | 1514 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | PJQ1906 | MOSFET (금속 (() | DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 30 v | 300MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 1.2ohm @ 300ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.9 nc @ 4.5 v | ± 10V | 45 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | PJMB210N65EC_R2_00601 | 2.2700 | ![]() | 276 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | PJMB210 | MOSFET (금속 (() | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 650 v | 19A (TC) | 10V | 210mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 30V | 1412 pf @ 400 v | - | 150W (TC) | ||||||||||
![]() | PJU7NA60_T0_00001 | - | ![]() | 5275 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | pju7na60 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | 3757-PJU7NA60_T0_00001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 600 v | 7A (TA) | 10V | 1.2ohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250µA | 15.2 NC @ 10 v | ± 30V | 723 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PJU6NA40_T0_00001 | - | ![]() | 1840 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | PJU6NA40 | MOSFET (금속 (() | TO-251AA | - | 3757-PJU6NA40_T0_00001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 400 v | 6A (TA) | 10V | 950mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | 11.4 NC @ 10 v | ± 30V | 553 pf @ 25 v | - | 77W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PJZ9NA90_T0_10001 | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3, SC-65-3 | PJZ9NA90 | MOSFET (금속 (() | to-3pl | - | 3757-PJZ9NA90_T0_10001 | 쓸모없는 | 1 | n 채널 | 900 v | 9A (TA) | 10V | 1.4ohm @ 4.5a, 10V | 4V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 30V | 1634 pf @ 25 v | - | 240W (TC) | ||||||||||||||
![]() | PJQ5546V-AU_R2_002A1 | 1.0400 | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | PJQ5546 | MOSFET (금속 (() | DFN5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 40 v | 17.7A (TA), 79A (TC) | 7V, 10V | 5.9mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 50µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1283 pf @ 25 v | - | 3.3W (TA), 65W (TC) | |||||||||||
![]() | PJA3416A_R1_00001 | 0.3500 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3416 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.8A (TA) | 1.8V, 4.5V | 24mohm @ 5.8a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 10.4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 592 pf @ 10 v | - | 1.25W (TA) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고