SIC
close
영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJS6415AE_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6415AE_S1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 3688 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6415 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6415AE_S1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.9A (TA) 1.8V, 10V 60mohm @ 4.9a, 10V 1.2V @ 250µA 6.9 NC @ 4.5 v ± 12V 602 pf @ 10 v - 2W (TA)
PJQ4448P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4448P-AU_R2_000A1 0.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4448 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4448p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2.4W (TA), 42W (TC)
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4848p-au_r2_000a1 0.7700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn PJQ4848 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 39.6W (TC) DFN3333B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 2 n 채널 (채널) 40V 9A (TA), 37A (TC) 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1040pf @ 20V -
BC848A_R1_00001 Panjit International Inc. BC848A_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 Panjit International Inc. BC848 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PJD1NA60B_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60B_L2_00001 -
RFQ
ECAD 2418 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1A (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 250µA 6.1 NC @ 10 v ± 30V 210 pf @ 25 v - 28W (TC)
PJQ1902_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1902_R1_00001 0.4400
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1902 MOSFET (금속 (() 3-DFN (0.6x1) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1902_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 30 v 500MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.2ohm @ 350ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.87 NC @ 4.5 v ± 10V 34 pf @ 15 v - 700MW (TA)
PJF60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R190E_T0_00001 0.1728
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R190E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R190E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 2.1A (TA), 20A (TC) 10V 196MOHM @ 10A, 10V 4V @ 250µA 62 NC @ 10 v ± 20V 1421 pf @ 25 v - 1.04W (TA), 68W (TC)
PJP4NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP4NA90_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1089 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP4 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP4NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 4A (TA) 10V 3.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJT7808_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7808_R1_00001 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7808 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7808_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
PJE8400_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8400_R1_00001 0.0987
RFQ
ECAD 2206 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8400 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8400_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 20 v 1.1A (TA) 1.8V, 4.5V 88mohm @ 1.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 350 pf @ 10 v - 300MW (TA)
PJL9807_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9807_R2_00001 0.1699
RFQ
ECAD 7645 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9807 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9807_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 30V 4A (TA) 52mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 4.8nc @ 4.5v 516pf @ 15V -
PJQ4466AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4466AP_R2_00001 0.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4466 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4466AP_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 6A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 21mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 2W (TA), 44.6W (TC)
PJP2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA90_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP2 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP2NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 2A (TA) 10V 6.4ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 396 pf @ 25 v - 80W (TC)
PJL9430A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9430A_R2_00001 0.1523
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9430 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9430A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4.8A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.8a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
PJQ4408P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4408P_R2_00001 0.5000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4408 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4408P_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 10A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 35W (TC)
PJD7NA65_R2_00001 Panjit International Inc. PJD7NA65_R2_00001 0.5160
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd7n MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD7NA65_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 7A (TA) 10V 1.5ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 16.8 nc @ 10 v ± 30V 754 pf @ 25 v - -
PJF60R390E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R390E_T0_00001 0.9041
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R390E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R390E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.5A (TA), 11A (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 1.04W (TA), 53W (TC)
PJS6403_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6403_S1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 668 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6403 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6403_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJE8428_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8428_R1_00001 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8428 MOSFET (금속 (() SOT-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8428_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 300MW (TA)
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PJL9812_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9812_R2_00001 -
RFQ
ECAD 9273 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9812 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 6A (TA) 35mohm @ 6a, 10V 1.3V @ 250µA 5.1NC @ 4.5V 421pf @ 15V -
PBHV9110DH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV9110DH-AU_R1_000A1 0.1272
RFQ
ECAD 7347 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV9110 1.4 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV9110DH-AU_R1_000A1TR 귀 99 8541.29.0095 1,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100ma, 1a 140 @ 150ma, 2V 100MHz
PJMD990N65EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD990N65EC_L2_00001 6.8300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJMD990 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMD990N65EC_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 650 v 4.7A (TC) 10V 990mohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 30V 306 PF @ 400 v - 47.5W (TC)
PJQ1906_R1_00201 Panjit International Inc. PJQ1906_R1_00201 -
RFQ
ECAD 1514 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1906 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 700MW (TA)
PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB210N65EC_R2_00601 2.2700
RFQ
ECAD 276 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB PJMB210 MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMB210N65EC_R2_00601CT 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 650 v 19A (TC) 10V 210mohm @ 9.5a, 10V 4V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 30V 1412 pf @ 400 v - 150W (TC)
PJU7NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU7NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5275 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA pju7na60 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU7NA60_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJU6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJU6NA40_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU6NA40 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU6NA40_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 400 v 6A (TA) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 553 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJZ9NA90_T0_10001 Panjit International Inc. PJZ9NA90_T0_10001 -
RFQ
ECAD 6592 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 PJZ9NA90 MOSFET (금속 (() to-3pl - 3757-PJZ9NA90_T0_10001 쓸모없는 1 n 채널 900 v 9A (TA) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 30V 1634 pf @ 25 v - 240W (TC)
PJQ5546V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5546V-AU_R2_002A1 1.0400
RFQ
ECAD 8220 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5546 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17.7A (TA), 79A (TC) 7V, 10V 5.9mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 50µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1283 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 65W (TC)
PJA3416A_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416A_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TA) 1.8V, 4.5V 24mohm @ 5.8a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10.4 NC @ 4.5 v ± 12V 592 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고