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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJD40N04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N04_L2_00001 0.5800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD40 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD40N04_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 10A (TA), 40A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2W (TA), 36W (TC)
PJQ5472A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5472A_R2_00001 0.2226
RFQ
ECAD 7110 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5472 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5472A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 13A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 6.5a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1413 pf @ 25 v - 2W (TA), 41W (TC)
PJL9426_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9426_R2_00001 0.1787
RFQ
ECAD 4142 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9426 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9426_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 10A (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2.1W (TA)
PJD60N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd60n04-au_l2_000a1 0.3762
RFQ
ECAD 9217 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD60 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd60n04-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1759 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 75W (TC)
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9850 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9850_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 5.4A (TA) 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4nc @ 4.5v 425pf @ 25v -
MMBT4401-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT4401-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
ECAD 1621 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4401 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT4401-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
PJD50P04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd50p04-au_l2_000a1 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD50 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd50p04-au_l2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 9A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2767 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 75W (TC)
PJMP900N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP900N60EC_T0_00001 3.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJMP900 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMP900N60EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.3a, 10V 4V @ 250µA 8.8 NC @ 10 v ± 30V 310 pf @ 400 v - 47.5W (TC)
BC847AW_R1_00001 Panjit International Inc. BC847AW_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PJA3432-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3432-AU_R1_000A1 0.3300
RFQ
ECAD 101 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3432 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 1.6A (TA) 1.8V, 4.5V 200mohm @ 1.6a, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 93 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
PJQ5542V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5542V-AU_R2_002A1 1.6700
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5542 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3,000 n 채널 40 v 24.8A (TA), 136A (TC) 7V, 10V 3MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 50µA 43 NC @ 10 v ± 20V 3050 pf @ 25 v - 3.3W (TA), 100W (TC)
PJQ5444_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5444_R2_00001 0.2655
RFQ
ECAD 8132 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5444 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5444_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1759 pf @ 25 v - 2W (TA), 83W (TC)
PJS6407_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6407_S1_00001 0.4700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6407 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.9A (TA) 4.5V, 10V 64mohm @ 4.9a, 10V 2.1V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 528 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJP2NA1K_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA1K_T0_00001 -
RFQ
ECAD 8126 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP2 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP2NA1K_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 80W (TC)
MMBTA44_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA44_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA44 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 400 v 300 MA 100NA (ICBO) NPN 750mv @ 5ma, 50ma 50 @ 10ma, 10V 50MHz
PJD35P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD35P03_L2_00001 0.5900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD35 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD35P03_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.4A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 2W (TA), 35W (TC)
PJQ5866A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5866a-au_r2_000a1 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5866 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 68.2W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 7A (TA), 40A (TC) 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5NC @ 4.5V 1574pf @ 25v -
PJQ2460_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2460_R1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2460 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2460_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJS6417_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6417_S1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6417 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6417_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 6.5a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.9 NC @ 4.5 v ± 8V 1760 pf @ 10 v - 2W (TA)
PJP40N06A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP40N06A_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5954 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP40 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP40N06A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 50A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 93W (TC)
BC859B_R1_00001 Panjit International Inc. BC859B_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 6356 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC859 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
PJMF360N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF360N60EC_T0_00001 6.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF360 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF360N60EC_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 18.7 NC @ 10 v ± 30V 735 pf @ 400 v - 30W (TC)
PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3428_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3428 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3428_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 10 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 500MW (TA)
PJQ5606_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5606_R2_00001 0.3076
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5606 MOSFET (금속 (() 1.7W (TA), 21W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5606_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 7A (TA), 25A (TC), 6.1A (TA), 22A (TC) 19mohm @ 8a, 10v, 30mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250µA 4.8nc @ 4.5v, 7.8nc @ 4.5v 429pf @ 25v, 846pf @ 15v -
PBHV8110DH-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV8110DH-AU_R1_000A1 0.4100
RFQ
ECAD 8904 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PBHV8110 1.4 w SOT-89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV8110DH-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 450MV @ 100MA, 1A 140 @ 150ma, 2V 100MHz
BC858C-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC858C-AU_R1_000A1 0.0189
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC856-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
PJP4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJP4NA70_T0_00001 -
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ECAD 1815 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP4 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP4NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 100W (TC)
PJD11N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD11N06A_L2_00001 0.1611
RFQ
ECAD 5139 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD11 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD11N06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.7A (TA), 11A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 2W (TA), 25W (TC)
PJS6601_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6601_S2_00001 0.1333
RFQ
ECAD 1799 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6601 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6601_S2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 4.1A (TA), 3.1A (TA) 56mohm @ 4.1a, 4.5v, 100mohm @ 3.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.6nc @ 4.5v, 5.4nc @ 4.5v 350pf @ 10v, 416pf @ 10v -
PJQ1916_R1_00201 Panjit International Inc. PJQ1916_R1_00201 0.4300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn PJQ1916 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1916_R1_00201CT 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 950MA (TA) 1.2V, 4.5V 300mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 8V 46 pf @ 10 v - 500MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고