RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (860)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
PJQ4414P_R2_00001	0.4900	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	PJQ4414	MOSFET (금속 (()		DFN3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJQ4414P_R2_00001DKR	귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	8A (TA), 25A (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 9a, 10V	2.5V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 v	± 20V	392 pf @ 25 v	-	2W (TA), 21W (TC)
pjw5n06a-au_r2_000a1	0.1953	RFQ	6215	Panjit International Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	PJW5N06	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-pjw5n06a-au_r2_000a1tr	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	5A (TA)	4.5V, 10V	75mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 v	± 20V	509 pf @ 15 v	-	3.72W (TA)
MMBT4403W_R1_00001	0.1900	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	MMBT4403		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-MMBT4403W_R1_00001DKR	귀 99	8541.21.0075	3,000													40 v	600 MA	100NA	PNP	750mv @ 50ma, 500ma	100 @ 150ma, 2v	200MHz
PJMD900N60EC_L2_00001	2.0900	RFQ	5	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PJMD900	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJMD900N60EC_L2_00001DKR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	5A (TC)	10V	900mohm @ 2.3a, 10V	4V @ 250µA	8.8 NC @ 10 v	± 30V	310 pf @ 400 v	-	47.5W (TC)
PJMP360N60EC_T0_00001	2.9700	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	PJMP360	MOSFET (금속 (()		TO-220AB-L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJMP360N60EC_T0_00001	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	11A (TC)	10V	360mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250µA	18.7 NC @ 10 v	± 30V	735 pf @ 400 v	-	87.5W (TC)
PJT7413_S1_00001	0.4700	RFQ	7	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7413	MOSFET (금속 (()		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJT7413_S1_00001TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.5A (TA)	1.5V, 4.5V	85mohm @ 2.5a, 4.5v	1.2V @ 250µA	7 NC @ 4.5 v	± 12V	522 pf @ 10 v	-	750MW (TA)
PJMB130N65EC_R2_00601	-	RFQ	7904	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	PJMB130	MOSFET (금속 (()		TO-263	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	650 v	29A (TC)	10V	130mohm @ 10.8a, 10V	4V @ 250µA	51 NC @ 10 v	± 30V	1920 pf @ 400 v	-	235W (TC)
PBHV8050SA_R1_00001	0.4000	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PBHV8050		500MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PBHV80550SA_R1_00001TR	귀 99	8541.21.0095	3,000													500 v	150 MA	100NA	NPN	500mv @ 10ma, 50ma	150 @ 1ma, 10V	50MHz
BC846BW-AU_R1_000A1	0.1900	RFQ	324	Panjit International Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC846		250 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-BC846BW-AU_R1_000A1DKR	귀 99	8541.21.0095	3,000													65 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	-
PJQ4448P_R2_00001	0.5100	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	PJQ4448	MOSFET (금속 (()		DFN3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	40 v	10A (TA), 42A (TC)	4.5V, 10V	11mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 20V	1040 pf @ 20 v	-	2W (TA), 35W (TC)
PJF4NA90_T0_00001	-	RFQ	9837	Panjit International Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	PJF4NA90	MOSFET (금속 (()		ITO-220AB-F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		3757-PJF4NA90_T0_00001	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	900 v	4A (TA)	10V	3.4ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 30V	710 pf @ 25 v	-	44W (TC)
PJA3470_R1_00001	0.1261	RFQ	4654	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3470	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJA3470_R1_00001TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	100 v	1.3A (TA)	4.5V, 10V	320mohm @ 1.3a, 10V	2.5V @ 250µA	9.1 NC @ 10 v	± 20V	508 pf @ 30 v	-	1.2W (TA)
BC849B_R1_00001	0.0162	RFQ	6899	Panjit International Inc.	BC849	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC849		330 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	120,000													30 v	100 MA	15NA (ICBO)	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PJP8NA50_T0_00001	-	RFQ	1010	Panjit International Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	PJP8	MOSFET (금속 (()		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		3757-PJP8NA50_T0_00001	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	500 v	8A (TA)	10V	900mohm @ 4a, 10V	4V @ 250µA	16.2 NC @ 10 v	± 30V	826 pf @ 25 v	-	134W (TC)
PJD4NA60_R2_00001	0.8900	RFQ	5438	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	PJD4NA60	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJD4NA60_R2_00001DKR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	600 v	4A (TA)	10V	2.4ohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	11.1 NC @ 10 v	± 30V	450 pf @ 25 v	-	-
BC807-40-AU_R1_000A1	0.1900	RFQ	51	Panjit International Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC807		330 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-BC807-40-AU_R1_000A1DKR	귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA (ICBO)	PNP	700mv @ 50ma, 500ma	250 @ 100MA, 1V	100MHz
BC856AW_R1_00001	0.0194	RFQ	1596	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	BC856		250 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	120,000													65 v	100 MA	15NA (ICBO)	PNP	650MV @ 5MA, 100MA	110 @ 2MA, 5V	200MHz
PJW2P10A_R2_00001	0.4300	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	pjw2p10a	MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	100 v	1.5A (TA)	4.5V, 10V	650mohm @ 1.5a, 10V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	448 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
PJA3438_R1_00001	0.4700	RFQ	31	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3438	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJA3438_R1_00001TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	50 v	500MA (TA)	1.8V, 10V	1.45ohm @ 500ma, 10V	1V @ 250µA	0.95 nc @ 4.5 v	± 20V	36 pf @ 25 v	-	500MW (TA)
PJQ5866A_R2_00001	0.8700	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	PJQ5866	MOSFET (금속 (()	1.7W (TA), 56W (TC)	DFN5060B-8	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		60V	7A (TA), 40A (TC)		17mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	13.5NC @ 4.5V		1574pf @ 25v	-
PJT138K-AU_R1_000A1	0.3800	RFQ	380	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT138	MOSFET (금속 (()	236MW (TA)	SOT-363	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		50V	360MA (TA)		1.6ohm @ 500ma, 10V	1.5V @ 250µA	1NC @ 4.5V		50pf @ 25V	-
PJS6833_S2_00001	0.0967	RFQ	4913	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	PJS6833	MOSFET (금속 (()	1.25W (TA)	SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJS6833_S2_00001TR	귀 99	8541.29.0095	10,000	2 p 채널 (채널)		30V	1.1A (TA)		370mohm @ 1.1a, 4.5v	1.3V @ 250µA	1.6NC @ 4.5V		125pf @ 15V	-
PJA3411_R1_00001	0.4900	RFQ	138	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	PJA3411	MOSFET (금속 (()		SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJA3411_R1_00001DKR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3.1A (TA)	1.8V, 4.5V	100mohm @ 3.1a, 4.5v	1.2V @ 250µA	5.4 NC @ 10 v	± 12V	416 pf @ 10 v	-	1.25W (TA)
PJC7409_R1_00001	0.4700	RFQ	5	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	PJC7409	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	500MA (TA)	1.2V, 4.5V	1.2ohm @ 500ma, 4.5v	1V @ 250µA	1.4 NC @ 4.5 v	± 10V	38 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
PJD6NA40_R2_00001	0.3784	RFQ	1127	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	pjd6n	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJD6NA40_R2_00001TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	400 v	6A (TA)	10V	950mohm @ 3a, 10V	4V @ 250µA	11.4 NC @ 10 v	± 30V	553 pf @ 25 v	-	-
BC847BPN_R1_00001	0.2100	RFQ	117	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-BC847BPN_R1_00001DKR	귀 99	8541.21.0075	3,000													45V	100ma	15NA (ICBO)	NPN, PNP 보완	400mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma	200 @ 2mA, 5V	100MHz
PJC7428_R1_00001	0.4100	RFQ	19	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	PJC7428	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJC7428_R1_00001TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	300MA (TA)	1.2V, 4.5V	1.2ohm @ 300ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.9 nc @ 4.5 v	± 10V	45 pf @ 10 v	-	350MW (TA)
MMDT2222ATB6_R1_00001	0.0513	RFQ	7422	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	MMDT2222		200MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	120,000													40V	600ma	10NA	2 NPN (()	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
MMDT3906TB6_R1_00001	0.3800	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	MMDT3906		200MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	4,000													40V	200ma	50NA	2 PNP (()	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
PJX8839_R1_00001	0.0832	RFQ	3270	Panjit International Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	PJX8839	MOSFET (금속 (()	300MW (TA)	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	3757-PJX8839_R1_00001TR	귀 99	8541.21.0095	4,000	2 p 채널 (채널)		60V	200MA (TA)		4ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 250µA	1.1NC @ 4.5V		51pf @ 25V	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (860)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²