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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJQ4441P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4441P_R2_00001 0.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4441 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 44A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 59.5W (TC)
PJQ5426_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5426_R2_00001 0.4525
RFQ
ECAD 6743 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5426 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5426_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TA), 115A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 4305 pf @ 25 v - 2W (TA), 136W (TC)
PJF4NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA65A_T0_00001 0.3398
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ECAD 5214 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF4NA65 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF4NA65A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 4A (TA) 10V 2.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 30V 555 pf @ 25 v - 33W (TC)
PJD2NA70_L2_00001 Panjit International Inc. PJD2NA70_L2_00001 -
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ECAD 1745 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd2n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD2NA70_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 39W (TC)
PJW8N03_R2_00001 Panjit International Inc. PJW8N03_R2_00001 0.5100
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ECAD 5136 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW8N03 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 5A (TA), 7.2A (TC) 4.5V, 10V 38mohm @ 5.6a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 343 pf @ 15 v - 1.5W (TA), 3W (TC)
PJD80N04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD80N04_L2_00001 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD80 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD80N04_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 80A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2W (TA), 66W (TC)
BC847BFN3_R1_00001 Panjit International Inc. BC847BFN3_R1_00001 0.2700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn BC847 250 MW 3-DFN (0.6x1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PJX8828_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8828_R1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8828 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJX8828_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 300MA (TA) 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9NC @ 4.5V 45pf @ 10V -
PJQ5476AL-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq5476al-au_r2_000a1 0.9200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5476 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.5A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1519 pf @ 30 v - 2W (TA), 83W (TC)
PJQ5442-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5442-AU_R2_000A1 0.9500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5442 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5442-AU_R2_000A1CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 14A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 99.3W (TC)
PJL9425_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9425_R2_00001 0.2412
RFQ
ECAD 2235 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9425 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9425_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 10A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 23 NC @ 4.5 v ± 20V 2767 pf @ 25 v - 2.1W (TA)
PJQ4401P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4401P_R2_00001 0.6700
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ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4401 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4401P_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 10A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 60W (TC)
PJT7601_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7601_R1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7601 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7601_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v, 1.2ohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10v, 38pf @ 10v 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
PJF6NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJF6NA90_T0_00001 -
RFQ
ECAD 4651 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF6NA90 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF6NA90_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 900 v 6A (TA) 10V 2.3ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 23.6 NC @ 10 v ± 30V 915 pf @ 25 v - 56W (TC)
PJP3NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP3NA80_T0_00001 0.5292
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP3 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP3NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 3A (TA) 10V 4.8ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 406 pf @ 25 v - 106W (TC)
PJS6414_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6414_S1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6414 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6414_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.6A (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 6.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.1 NC @ 4.5 v ± 12V 400 pf @ 10 v - 2W (TA)
PJE8404_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8404_R1_00001 0.4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8404 MOSFET (금속 (() SOT-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8404_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 600MA (TA) 1.8V, 4.5V 220mohm @ 600ma, 4,5v 1.3V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 93 pf @ 15 v - 300MW (TA)
PJD7NA60_L2_00001 Panjit International Inc. PJD7NA60_L2_00001 -
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd7n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD7NA60_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 7A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 15.2 NC @ 10 v ± 30V 723 pf @ 25 v - 140W (TC)
PJL9415_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9415_R2_00001 0.6500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9415 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 20V 3168 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
PJD25P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25P03_L2_00001 -
RFQ
ECAD 5501 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD25 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.5A (TA), 25A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2W (TA), 30W (TC)
BC847AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC847AS-AU_R1_000A1 0.0270
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ECAD 8126 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 250MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 120,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd50n04-au_l2_000a1 0.9500
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD50 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 9.6A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 64.9W (TC)
PJF8NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJF8NA65A_T0_00001 -
RFQ
ECAD 5840 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJF8NA65 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF8NA65A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1245 pf @ 25 v - 46W (TC)
PJQ5461A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5461A-AU_R2_000A1 0.2922
RFQ
ECAD 9513 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5461 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5461a-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA), 11.5A (TC) 4.5V, 10V 110mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 2W (TA), 26W (TC)
PJA3463_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3463_R1_00001 0.4100
RFQ
ECAD 3603 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3463 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 1.25W (TA)
PJS6601-AU_S1_000A1 Panjit International Inc. PJS6601-AU_S1_000A1 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6601 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6601-AU_S1_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 4.1A (TA), 3.1A (TA) 56mohm @ 4.1a. 4.5v, 115mohm @ 3.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.6nc @ 4.5v, 5.4nc @ 4.5v 350pf @ 10v, 416pf @ 10v -
PJD15P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd15p06a-au_l2_000a1 0.6200
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ECAD 30 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD15 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd15p06a-au_l2_000a1dkr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 4A (TA), 15A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
BC846BPN_R1_00001 Panjit International Inc. BC846BPN_R1_00001 0.2900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846BPN_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PJS6832_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6832_S2_00001 0.1096
RFQ
ECAD 5469 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6832 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6832_S2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 1.6A (TA) 200mohm @ 1.6a, 4.5v 1.3V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 93pf @ 15V -
PJF12NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF12NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1826 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF12NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF12NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 700mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1492 pf @ 25 v - 51W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고