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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJC7438_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7438_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7438 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 400MA (TA) 1.8V, 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 350MW (TA)
PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc. PJP18N20_T0_00001 1.0700
RFQ
ECAD 5419 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP18 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJP18N20_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 160mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1017 pf @ 25 v - 89W (TC)
PJD8NA50_R2_00001 Panjit International Inc. PJD8NA50_R2_00001 0.5160
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ECAD 6540 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd8n MOSFET (금속 (() TO-252AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD8NA50_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 8A (TA) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16.2 NC @ 10 v ± 30V 826 pf @ 25 v - -
PJF6NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF6NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 3254 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF6NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF6NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 6A (TA) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 831 pf @ 25 v - 45W (TC)
PJD14P10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD14P10A_L2_00001 0.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD14 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 100 v 2.5A (TA), 14A (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 7a, 10V 3V @ 250µA 40.7 NC @ 10 v ± 20V 2298 pf @ 30 v - 2W (TA), 60W (TC)
BC807-40W_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-40W_R1_00001 0.2200
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ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC807-16W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 300MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PJX8804_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8804_R1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 7507 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8804 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJX8804_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 30V 600MA (TA) 220mohm @ 600ma, 4,5v 1.3V @ 250µA 1.5NC @ 4.5V 93pf @ 15V -
PJMF380N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF380N65E1_T0_00001 2.1700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF380 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 650 v 10.6A (TC) 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 30V 769 pf @ 400 v - 33W (TC)
PJD30N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD30N15_L2_00001 1.0700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD30 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD30N15_L2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 3.5A (TA), 25A (TC) 6V, 10V 65mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 29.5 nc @ 10 v ± 25V 1764 pf @ 30 v - 2W (TA), 102W (TC)
PJQ5476AL_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5476AL_R2_00001 0.9400
RFQ
ECAD 994 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5476 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5476AL_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 100 v 6.5A (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 25ohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 31 NC @ 10 v ± 20V 1519 pf @ 30 v - 2W (TA), 83W (TC)
PJD45N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd45n06a-au_l2_000a1 0.4959
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjd45n06a-au_l2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2256 pf @ 25 v - 75W (TC)
PJQ4442P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4442P-AU_R2_000A1 0.3260
RFQ
ECAD 8578 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4442 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4442p-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1759 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 53.6W (TC)
PJA3472B_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3472B_R1_00001 0.0565
RFQ
ECAD 4400 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3472 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3472B_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 600ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nc @ 4.5 v ± 30V 34 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PJA3411-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJA3411-AU_R2_000A1 -
RFQ
ECAD 9509 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3411 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 12,000 p 채널 20 v 3.1A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 3.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.4 NC @ 4.5 v ± 12V 416 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJQ1821_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1821_R1_00001 0.0986
RFQ
ECAD 7924 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn PJQ1821 MOSFET (금속 (() 400MW (TA) DFN1010-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ1821_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 5,000 2 p 채널 (채널) 20V 600MA (TA) 600mohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.1NC @ 4.5V 51pf @ 10V -
PJF2NA1K_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA1K_T0_00001 -
RFQ
ECAD 7138 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF2NA1K MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF2NA1K_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 39W (TC)
PJD1NA60A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD1NA60A_L2_00001 -
RFQ
ECAD 5189 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD1NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 1A (TA) 10V 7.9ohm @ 500ma, 10V 4V @ 250µA 3.1 NC @ 10 v ± 30V 148 pf @ 25 v - 28W (TC)
PJX8603_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8603_R1_00001 0.4100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8603 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 보완 p 채널 및 50V, 60V 360MA (TA), 200MA (TA) 1.5ohm @ 500ma, 10v, 6ohm @ 500ma, 10v 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V, 1.1NC @ 4.5V 36pf @ 25v, 51pf @ 25v -
PJP6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJP6NA40_T0_00001 -
RFQ
ECAD 2706 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP6 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP6NA40_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 400 v 6A (TA) 10V 950mohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 553 pf @ 25 v - 100W (TC)
PJD6NA70_L2_00001 Panjit International Inc. PJD6NA70_L2_00001 0.5530
RFQ
ECAD 5083 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 pjd6n MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD6NA70_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 700 v 6A (TA) 10V 1.7ohm @ 3a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 30V 831 pf @ 25 v - 128W (TC)
BC848BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC848BW_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 9775 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC848 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PJQ5445_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5445_R2_00001 0.3322
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ECAD 3479 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5445 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5445_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 63W (TC)
PJD4NA50A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA50A_L2_00001 0.2302
RFQ
ECAD 7692 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA50 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA50A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 500 v 4A (TA) 10V 2.3ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 9.8 nc @ 10 v ± 30V 449 pf @ 25 v - 78W (TC)
BC849CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC849CW_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC849 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC849CW_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PJW3N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW3N10A_R2_00001 0.4300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw3n10a MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 2.2A (TA) 4.5V, 10V 310mohm @ 2.2a, 10V 2.5V @ 250µA 9.1 NC @ 10 v ± 20V 508 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
PJQ4446P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4446P_R2_00001 0.6000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4446 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4446P_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 10.5A (TA), 48A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2W (TA), 41.7W (TC)
PJMF580N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF580N60E1_T0_00001 1.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF580 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF580N60E1_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 8A (TC) 10V 580mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 30V 497 pf @ 400 v - 28W (TC)
PJS6811_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6811_S1_00001 0.1341
RFQ
ECAD 5699 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6811 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6811_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 2.7A (TA) 105mohm @ 2.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.4NC @ 4.5V 416pf @ 10V -
PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6816_S1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6816 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 5.2A (TA) 29mohm @ 5.2a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7NC @ 4.5V 513pf @ 10V -
PJA3403_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3403_R1_00001 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3403 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 2.5V, 10V 98mohm @ 3.1a, 10V 1.3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 443 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고