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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJA3404-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3404-AU_R1_000A1 0.4700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3404 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.6A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5.6a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 343 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
2N7002K-AU_R1_000A2 Panjit International Inc. 2N7002K-AU_R1_000A2 0.2200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.8 nc @ 5 v ± 20V 35 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PJA3412-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3412-AU_R1_000A1 0.4000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3412 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 4.1A (TA) 1.8V, 4.5V 56mohm @ 4.1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.6 NC @ 4.5 v ± 12V 350 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJA3415_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3415_R1_00001 0.3700
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3415 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4A (TA) 1.8V, 4.5V 57mohm @ 4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 18 nc @ 4.5 v ± 12V 756 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
BC807-25-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC807-25-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJE8406_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8406_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 947 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-89, SOT-490 PJE8406 MOSFET (금속 (() SOT-523 5 리드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8406_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 20 v 800MA (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.92 nc @ 4.5 v ± 12V 50 pf @ 10 v - 350MW (TA)
PJA3439-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pja3439-au_r1_000a1 0.4300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3439 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3439-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 2.5V, 10V 4ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4.5 v ± 20V 51 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PJC7401_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7401_R1_00001 0.4500
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC7401 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 1.5A (TA) 2.5V, 10V 115mohm @ 1.5a, 10V 1.3V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 12V 443 pf @ 15 v - 350MW (TA)
MMBTA56-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA56-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA56 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-mmbta56-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJC138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJC138K_R1_00001 0.2200
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 PJC138K MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJC138K_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 360MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 236MW (TA)
PJP12NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJP12NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 6155 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP12 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 600 v 12A (TA) 10V 700mohm @ 6a, 10V 4V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 30V 1492 pf @ 25 v - 225W (TC)
PJF4NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF4NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF4NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF4NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 4A (TA) 10V 2.8ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 10.5 nc @ 10 v ± 30V 514 pf @ 25 v - 33W (TC)
PJQ5423_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5423_R2_00001 0.7300
RFQ
ECAD 65 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5423 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 11A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 63W (TC)
PJQ5420_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5420_R2_00001 0.1992
RFQ
ECAD 9821 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5420 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5420_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
PJF5NA50_T0_00001 Panjit International Inc. PJF5NA50_T0_00001 -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF5NA50 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF5NA50_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 5A (TA) 10V 1.55ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 30V 491 pf @ 25 v - 42W (TC)
BC817-16W_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-16W_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Panjit International Inc. BC817-16W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817-16W_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 100MHz
PJD55N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD55N03_L2_00001 0.1992
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD55 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD55N03_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 10.5A (TA), 55A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 763 pf @ 25 v - 2W (TA), 54W (TC)
PJD18N20_L2_00001 Panjit International Inc. PJD18N20_L2_00001 0.9600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD18N20 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD18N20_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 18A (TC) 10V 160mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1017 pf @ 25 v - 83W (TC)
PJF60R390E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R390E_T0_00001 0.9041
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R390E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R390E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.5A (TA), 11A (TC) 10V 390mohm @ 3.8a, 10V 4V @ 250µA 32 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 1.04W (TA), 53W (TC)
PJS6403_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6403_S1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 668 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6403 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6403_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 6.4A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJW7N06A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW7N06A_R2_00001 0.5400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW7N06 MOSFET (금속 (() SOT-223 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6.6A (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1173 pf @ 25 v - 3.1W (TC)
PJF7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA80_T0_00001 -
RFQ
ECAD 8035 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF7NA80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF7NA80_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 800 v 7A (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1082 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJF2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA70_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9272 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF2NA70 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF2NA70_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 700 v 2A (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 30V 260 pf @ 25 v - 28W (TC)
PJQ5448_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5448_R2_00001 -
RFQ
ECAD 6875 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5448 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5448_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 9.6A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 20V 1040 pf @ 20 v - 2W (TA), 54W (TC)
PBSS4232DD_L2_00001 Panjit International Inc. PBSS4232DD_L2_00001 0.5300
RFQ
ECAD 8152 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PBSS4232 2 w TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBSS4232DD_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 32 v 2 a 100NA NPN 800mv @ 200ma, 2a 180 @ 500ma, 3v 270MHz
PJE8428_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8428_R1_00001 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 PJE8428 MOSFET (금속 (() SOT-523 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJE8428_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 4,000 n 채널 30 v 300MA (TA) 1.2V, 4.5V 1.2ohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 10V 45 pf @ 10 v - 300MW (TA)
PJQ5450-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5450-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5450 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5450-AU_R2_000A1DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 5.9A (TA), 21A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 4.4 NC @ 4.5 v ± 20V 425 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PJP45N06A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP45N06A_T0_00001 0.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP45 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP45N06A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 55A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2256 pf @ 25 v - 96W (TC)
BC858B_R1_00001 Panjit International Inc. BC858B_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC858 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC858B_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
PJQ5465A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5465A_R2_00001 0.6100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5465 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1256 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고