SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BC857BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857BW_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857BW_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
PJQ4464AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4464ap-au_r2_000a1 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4464 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4464ap-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 7.3A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 48W (TC)
PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838_R1_00001 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7838 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 400MA (TA) 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V 36pf @ 25V -
PJQ2888_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2888_R1_00001 -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 PJQ2888 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) DFN2020-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2888_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A (TA) 325mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 4.5V 150pf @ 10V -
BC817-25_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-25_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. BC817 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817-25_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc. PJMH190N60E1_T0_00601 3.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 PJMH190 MOSFET (금속 (() TO-247AD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJMH190N60E1_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 600 v 20.6A (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10V 3.8V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1410 pf @ 400 v - 160W (TC)
PJA3436_R2_00001 Panjit International Inc. PJA3436_R2_00001 -
RFQ
ECAD 4470 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3436 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 3757-PJA3436_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 1 n 채널 20 v 1.2A (TA) 1.8V, 4.5V 380mohm @ 1.2a, 4.5v 1V @ 250µA 0.9 nc @ 4.5 v ± 12V 39 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJF60R540E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R540E_T0_00001 0.7272
RFQ
ECAD 7762 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R540E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R540E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.3A (TA), 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 23.7 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 48W (TC)
PJW5N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10A_R2_00001 0.5300
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw5n10 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 3.5A (TA), 5A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1413 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 5.2W (TC)
PJP8NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP8NA65A_T0_00001 0.4445
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP8NA65A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1245 pf @ 25 v - 145W (TC)
BC857BW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857BW-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
PJQ5494_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5494_R2_00001 0.6536
RFQ
ECAD 9733 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5494 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5494_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 150 v 5A (TA), 40A (TC) 10V 35mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 52 NC @ 10 v ± 20V 2207 pf @ 75 v - 2W (TA), 131W (TC)
PJD70P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD70P03_L2_00001 0.7100
RFQ
ECAD 771 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD70 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD70P03_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 11A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 27 NC @ 4.5 v ± 20V 3228 pf @ 15 v - 2W (TA), 63W (TC)
PJS6809_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6809_S1_00001 0.5300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6809 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6809_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 30V 2.6A (TA) 115mohm @ 2.6a, 10V 2.1V @ 250µA 9.8NC @ 10V 396pf @ 15V -
PJQ4409P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4409P_R2_00001 0.1398
RFQ
ECAD 7329 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4409 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4409P_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 6.5A (TA), 24A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 2W (TA), 30W (TC)
PJX138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJX138L_R1_00001 0.5100
RFQ
ECAD 150 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX138 MOSFET (금속 (() 223MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJX138L_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 60V 160MA (TA) 4.2ohm @ 160ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.7NC @ 4.5V 15pf @ 15V -
PJD90N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD90N03_L2_00001 1.0500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD90 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD90N03_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 20A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 2.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 4305 pf @ 25 v - 2W (TA), 100W (TC)
PJP10NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJP10NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 7506 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP10 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJP10NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 900mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1192 pf @ 25 v - 156W (TC)
PJL9408_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9408_R2_00001 0.4900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9408 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 8A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 20V 392 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
PJA3438-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pja3438-au_r1_000a1 0.3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3438 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3438-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 500MA (TA) 1.8V, 10V 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95 nc @ 4.5 v ± 20V 36 pf @ 25 v - 500MW (TA)
PJQ2416_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2416_R1_00001 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2416 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2416_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 11A (TA) 1.8V, 4.5V 11mohm @ 9.5a, 4.5v 1V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 10V 1177 pf @ 10 v - 2W (TA)
BC807-40_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-40_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC807 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC807-40_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PJQ4442P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4442P_R2_00001 0.2693
RFQ
ECAD 6224 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4442 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4442P_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 40 v 12.7A (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1759 pf @ 25 v - 2W (TA), 45W (TC)
BC858CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC858CW_R1_00001 0.0210
RFQ
ECAD 4749 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
BSS123_R1_00001 Panjit International Inc. BSS123_R1_00001 0.2200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2.5V @ 250µA 1.8 nc @ 10 v ± 20V 45 pf @ 25 v - 500MW (TA)
BC817-40_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-40_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Panjit International Inc. BC817 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC817 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817-40_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
BC807-25W_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-25W_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. BC807-16W 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC807 300MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC807-25W_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC856B_R1_00001 Panjit International Inc. BC856B_R1_00001 0.1900
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ECAD 10 0.00000000 Panjit International Inc. BC856 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 200MHz
BC848B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC848B-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC848-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC848B-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V -
PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3406_R1_00001 0.4900
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3406 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3406_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4.4A (TA) 4.5V, 10V 48mohm @ 4.4a, 10V 2.1V @ 250µA 5.8 nc @ 10 v ± 20V 235 pf @ 15 v - 1.25W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고