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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
BCP56-16-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. BCP56-16-AU_R2_000A1 0.3600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP56 2.6 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 100ma, 1a 100 @ 150ma, 2v 100MHz
MMBT3906W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906W_R1_00001 0.1600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBT3906 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3906W_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PJL9436A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9436A_R2_00001 0.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9436 MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9436A_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 28 nc @ 10 v ± 20V 1680 pf @ 20 v - 2.5W (TA)
PJD16N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD16N06A_L2_00001 0.1816
RFQ
ECAD 1532 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD16 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD16N06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 4.4A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 20V 815 pf @ 15 v - 2W (TA), 27W (TC)
PJS6815_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6815_S1_00001 0.1523
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6815 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6815_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 3.6A (TA) 57mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 18NC @ 4.5V 756pf @ 10V -
BC850B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC850B-AU_R1_000A1 0.0216
RFQ
ECAD 6618 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC850-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PJS6416_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6416_S1_00001 0.4200
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6416 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6416_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.4A (TA) 1.8V, 4.5V 27mohm @ 7.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 6.8 NC @ 4.5 v ± 12V 513 pf @ 10 v - 2W (TA)
BC850BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC850BW_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 8453 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC850 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
PJS6401_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6401_S1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6401 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6401_S1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 4.6A (TA) 2.5V, 10V 71mohm @ 4.6a, 10V 1.3V @ 250µA 15.5 nc @ 10 v ± 12V 637 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJQ5419_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5419_R2_00001 0.2139
RFQ
ECAD 2475 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5419 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5419_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.5A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 2W (TA), 27W (TC)
BC857A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857A-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC856-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857A-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 200MHz
PJS6413_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6413_S1_00001 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6413 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6413_S1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.8V, 4.5V 82mohm @ 4.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 12V 522 pf @ 10 v - 2W (TA)
BC846BPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846BPN-AU_R1_000A1 0.3400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-bc846bpn-au_r1_000a1dkr 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 100MHz
PJU2NA1K_T0_00001 Panjit International Inc. PJU2NA1K_T0_00001 -
RFQ
ECAD 1024 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA pju2na1k MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU2NA1K_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 1000 v 2A (TA) 10V 9ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 14 nc @ 10 v ± 30V 385 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJT7603_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7603_R1_00001 0.4000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7603 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJT7603_R1_00001TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 50V 400ma (TA), 250ma (TA) 1.5ohm @ 500ma, 10v, 4ohm @ 500ma, 10v 1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V, 1.1NC @ 4.5V 36pf @ 25v, 51pf @ 25v -
BC859CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC859CW_R1_00001 0.0210
RFQ
ECAD 2327 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC859 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
PJMF280N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N65E1_T0_00001 2.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 PJMF280 MOSFET (금속 (() ITO-220AB-F 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJMF280N65E1_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 13.8A (TC) 10V 280mohm @ 4.4a, 10V 4V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 30V 1040 pf @ 400 v - 35.7W (TC)
PBHV8110DA_R1_00001 Panjit International Inc. PBHV8110DA_R1_00001 0.4400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBHV8110 1.25 w SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PBHV8110DA_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 100 v 1 a 500NA (ICBO) NPN 450MV @ 100MA, 1A 140 @ 150ma, 2V 100MHz
PJQ2461-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2461-AU_R1_000A1 0.1644
RFQ
ECAD 8016 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2461 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq2461-au_r1_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 170mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 8.3 NC @ 10 v ± 20V 430 pf @ 30 v - 2W (TA)
PJU4NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA65_T0_00001 -
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA65 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA65_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 650 v 4A (TA) 10V 2.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 463 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJP100P03_T0_00001 Panjit International Inc. PJP100P03_T0_00001 -
RFQ
ECAD 6694 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP100 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP100P03_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 30 v 15.8A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6067 pf @ 25 v - 2W (TA), 119W (TC)
BC846A_R1_00001 Panjit International Inc. BC846A_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. BC846 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V -
BC849C_R1_00001 Panjit International Inc. BC849C_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC849 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC849 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC849C_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PJQ4404P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4404p-au_r2_000a1 0.6500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4404 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4404p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
BC817DS-25_R1_00001 Panjit International Inc. BC817DS-25_R1_00001 0.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 BC817 330MW SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817DS-25_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJQ2815_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2815_R1_00001 0.6700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-vdfn d 패드 PJQ2815 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) DFN2020-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 4.2A (TA) 52mohm @ 4.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 24NC @ 4.5V 907pf @ 10V -
BC857BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857BW_R1_00001 0.1900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 250 MW SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857BW_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 200 @ 2mA, 5V 200MHz
PJQ4464AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4464ap-au_r2_000a1 0.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4464 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4464ap-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 60 v 7.3A (TA), 33A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 16a, 10V 2.5V @ 250µA 13.5 nc @ 4.5 v ± 20V 1574 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 48W (TC)
PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838_R1_00001 0.5100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PJT7838 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 400MA (TA) 1.45ohm @ 500ma, 10V 1V @ 250µA 0.95NC @ 4.5V 36pf @ 25V -
PJQ2888_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2888_R1_00001 -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-Wfdfn d 패드 패드 PJQ2888 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) DFN2020-8 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2888_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.5A (TA) 325mohm @ 1.5a, 4.5v 1V @ 250µA 2.2NC @ 4.5V 150pf @ 10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고