SIC
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트랜지스터 (860)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJQ5848-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5848-AU_R2_000A1 0.4950
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn PJQ5848 MOSFET (금속 (() 2W (TA), 23.8W (TC) DFN5060B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq5848-au_r2_000a1tr 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 40V 8.6A (TA), 30A (TC) 12mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 1040pf @ 20V -
PJQ4407P_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ4407P_R1_00001 0.2139
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4407 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4407P_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 8.5A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 11 NC @ 4.5 v ± 20V 1169 pf @ 15 v - 2W (TA), 27W (TC)
PJD60R980E_L2_00001 Panjit International Inc. PJD60R980E_L2_00001 0.4625
RFQ
 ECAD 6353 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD60 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD60R980E_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 4A (TC) 10V 980mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 14.4 NC @ 10 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 58W (TC)
PJD45N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD45N06A_L2_00001 0.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD45 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD45N06A_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 2256 pf @ 25 v - 63W (TC)
BC858AW_R1_00001 Panjit International Inc. BC858AW_R1_00001 0.0210
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC858 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 120,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 200MHz
PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416AE_R1_00001 0.3800
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3416 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3416AE_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 6.5A (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5v 1V @ 250µA 8.6 NC @ 4.5 v ± 8V 836 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
MMBTA92_R1_00001 Panjit International Inc. MMBTA92_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 549 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA92 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 10ma, 10V 50MHz
PJQ5446_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5446_R2_00001 0.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5446 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5446_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 12A (TA), 70A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1258 pf @ 25 v - 2W (TA), 70W (TC)
PJD16P06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD16P06A_L2_00001 0.2357
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD16 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD16P06A_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 5A (TA), 16A (TC) 4.5V, 10V 48mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 22 nc @ 10 v ± 20V 1256 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
PJD4NA90_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA90_L2_00001 1.4200
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA90 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA90_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 900 v 4A (TA) 10V 3.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 710 pf @ 25 v - 90W (TC)
PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC_L2_00001 2.9700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJMD360 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 11A (TC) 10V 360mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA 18.7 NC @ 10 v ± 30V 735 pf @ 400 v - 87.5W (TC)
PJQ5445-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5445-AU_R2_000A1 -
RFQ
 ECAD 8939 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5445 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8.5A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 19 NC @ 4.5 v ± 20V 2030 pf @ 25 v - 2W (TA), 63W (TC)
BC846A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846A-AU_R1_000A1 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC846-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC846A-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V -
PSMP050N10NS2_T0_00601 Panjit International Inc. PSMP050N10NS2_T0_00601 2.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PSMP050N10 MOSFET (금속 (() TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PSMP050N10NS2_T0_00601 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 120A (TC) 6V, 10V 5mohm @ 50a, 10V 3.8V @ 270µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 50 v - 138W (TC)
PJF60R540E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R540E_T0_00001 0.7272
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF60R540E MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJF60R540E_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 1.3A (TA), 9A (TC) 10V 535mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250µA 23.7 NC @ 10 v ± 20V 531 pf @ 25 v - 48W (TC)
PJS6812_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6812_S1_00001 0.4700
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6812 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 3.7A (TA) 56mohm @ 3.7a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4.57NC @ 4.5V 350pf @ 10V -
PJW5N10A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10A_R2_00001 0.5300
RFQ
 ECAD 4291 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA pjw5n10 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 3.5A (TA), 5A (TC) 4.5V, 10V 115mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1413 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 5.2W (TC)
PJP8NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP8NA65A_T0_00001 0.4445
RFQ
 ECAD 1776 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP8 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP8NA65A_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 7.5A (TA) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 30V 1245 pf @ 25 v - 145W (TC)
PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808_R1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX8808 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 400mohm @ 500ma, 4.5v 900MV @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 67pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
MMBT2222A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT2222A_R1_00001 0.1600
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2222 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT222A_R1_00001CT 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V -
MMBT3906W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906W_R1_00001 0.1600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBT3906 150 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3906W_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA PNP 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
PJU4NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA65_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 7547 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA PJU4NA65 MOSFET (금속 (() TO-251AA - 3757-PJU4NA65_T0_00001 쓸모없는 1 n 채널 650 v 4A (TA) 10V 2.7ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.4 NC @ 10 v ± 30V 463 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJS6413_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6413_S1_00001 0.4200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6413 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6413_S1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 4.4A (TA) 1.8V, 4.5V 82mohm @ 4.4a, 4.5v 1.2V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 12V 522 pf @ 10 v - 2W (TA)
BC857A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857A-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC856-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC857A-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 200MHz
PJP100P03_T0_00001 Panjit International Inc. PJP100P03_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 6694 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 PJP100 MOSFET (금속 (() TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJP100P03_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 30 v 15.8A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 5MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6067 pf @ 25 v - 2W (TA), 119W (TC)
BC849C_R1_00001 Panjit International Inc. BC849C_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. BC849 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC849 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC849C_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BC846A_R1_00001 Panjit International Inc. BC846A_R1_00001 0.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. BC846 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V -
BC817DS-25_R1_00001 Panjit International Inc. BC817DS-25_R1_00001 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 BC817 330MW SOT-23-6 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC817DS-25_R1_00001DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 500ma 100NA (ICBO) 2 NPN (() 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
PJQ4404P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjq4404p-au_r2_000a1 0.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4404 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjq4404p-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 15A (TA), 60A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 1323 pf @ 25 v - 2W (TA), 31W (TC)
BC846BPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846BPN-AU_R1_000A1 0.3400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-bc846bpn-au_r1_000a1dkr 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) NPN, PNP 보완 600mv @ 5ma, 100ma / 650mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2ma, 5V / 220 @ 2MA, 5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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