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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
PJA3456E_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3456E_R1_00001 0.4300
RFQ
ECAD 1701 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3456 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3456E_R1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 15.5mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 16 nc @ 4.5 v ± 10V 1177 pf @ 10 v - 1.25W (TA)
PJA3448_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3448_R1_00001 0.0794
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PJA3448 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJA3448_R1_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 3.3A (TA) 4.5V, 10V 71mohm @ 3.3a, 10V 2.1V @ 250µA 6.1 NC @ 10 v ± 20V 241 pf @ 20 v - 1.25W (TA)
MMBT3904-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT3904-AU_R1_000A1 0.1600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT3904 225 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MMBT3904-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
BC850C-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC850C-AU_R1_000A1 0.2100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC850-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC850 330 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC850C-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V -
BC847CW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC847CW-AU_R1_000A1 0.2200
RFQ
ECAD 6375 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101, BC847-AU 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-BC847CW-AU_R1_000A1DKR 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V -
PJF5NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF5NA80_T0_00001 -
RFQ
ECAD 8425 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF5NA80 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 800 v 5A (TA) 10V 2.7ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 30V 660 pf @ 25 v - 48W (TC)
PJS6835_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6835_S2_00001 0.1178
RFQ
ECAD 8235 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6835 MOSFET (금속 (() 500MW (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6835_S2_00001TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 20V 500MA (TA) 1.2ohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1.4NC @ 4.5V 38pf @ 10V 로직 로직 게이트, 1.2v 드라이브
PJQ5411_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5411_R2_00001 0.6000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5411 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 10A (TA), 45A (TC) 4.5V, 10V 15.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 14 nc @ 4.5 v ± 20V 1556 pf @ 15 v - 2W (TA), 40W (TC)
PJD11N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. pjd11n06a-au_l2_000a1 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD11 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 60 v 3.7A (TA), 11A (TC) 4.5V, 10V 75mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 9.3 NC @ 10 v ± 20V 509 pf @ 15 v - 2.4W (TA), 30W (TC)
PJF10NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJF10NA65_T0_00001 -
RFQ
ECAD 6870 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF10NA65 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF10NA65_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 650 v 10A (TA) 10V 1ohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJQ5440_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5440_R2_00001 1.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5440 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5440_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 40 v 17A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 4.5 v ± 20V 5214 pf @ 25 v - 2W (TA), 70W (TC)
PJL9407_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9407_R2_00001 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9407 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9407_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 516 pf @ 15 v - 2.1W (TA)
PJD15P06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD15P06A_L2_00001 0.6400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD15 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 4A (TA), 15A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 879 pf @ 30 v - 2W (TA), 25W (TC)
PJQ2405_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2405_R1_00001 0.6100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 PJQ2405 MOSFET (금속 (() DFN2020B-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ2405_R1_00001CT 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 7.2A (TA) 1.8V, 4.5V 32mohm @ 7.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 18.9 NC @ 4.5 v ± 8V 1785 pf @ 10 v - 2.8W (TA)
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. pjx138k-au_r1_000a1 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 PJX138 MOSFET (금속 (() 223MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjx138k-au_r1_000a1dkr 귀 99 8541.21.0095 4,000 2 n 채널 (채널) 50V 350MA (TA) 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 1NC @ 4.5V 50pf @ 25V -
BC847CS_R1_00001 Panjit International Inc. BC847CS_R1_00001 0.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC847 225MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45V 100ma 15NA (ICBO) 2 NPN (() 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
PJQ5425_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5425_R2_00001 0.4895
RFQ
ECAD 1753 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ5425 MOSFET (금속 (() DFN5060-8 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ5425_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 15.8A (TA), 90A (TC) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6067 pf @ 25 v - 2W (TA), 60W (TC)
PJF10NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF10NA60_T0_00001 -
RFQ
ECAD 9358 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 PJF10NA60 MOSFET (금속 (() ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF10NA60_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 10A (TA) 10V 900mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 30V 1192 pf @ 25 v - 50W (TC)
PJL9808_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9808_R2_00001 -
RFQ
ECAD 8843 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9808 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 30V 8A (TA) 19mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 4.3NC @ 4.5V 392pf @ 25V -
PJW4P06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. pjw4p06a-au_r2_000a1 0.5400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PJW4P06 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-pjw4p06a-au_r2_000a1ct 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 4A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 10 nc @ 10 v ± 20V 785 pf @ 30 v - 3.1W (TA)
PJL9438A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9438A_R2_00001 0.1816
RFQ
ECAD 6544 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9438 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9438A_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 6A (TA) 10V 34mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1173 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
BC847CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC847CW_R1_00001 0.0189
RFQ
ECAD 3409 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 250 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 120,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
PJD4NA60_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA60_L2_00001 -
RFQ
ECAD 5511 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA60 MOSFET (금속 (() TO-252 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA60_L2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 4A (TA) 10V 2.4ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA 11.1 NC @ 10 v ± 30V 450 pf @ 25 v - 77W (TC)
PJQ4410P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4410P_R2_00001 0.4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4410 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4410P_R2_00001CT 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 10A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12ohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 7.1 NC @ 4.5 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 2W (TA), 27W (TC)
PJQ4413P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4413P_R2_00001 0.1289
RFQ
ECAD 2452 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn PJQ4413 MOSFET (금속 (() DFN3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJQ4413P_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 5,000 p 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 20V 516 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJS6404_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6404_S1_00001 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 PJS6404 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJS6404_S1_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6.8A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 6.8a, 10V 2.1V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 20V 343 pf @ 15 v - 2W (TA)
PJD4NA65H_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA65H_L2_00001 0.2357
RFQ
ECAD 7375 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 PJD4NA65 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJD4NA65H_L2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 650 v 3A (TA) 10V 3.75ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA 16.1 NC @ 10 v ± 30V 423 pf @ 25 v - 34W (TC)
PJL9409_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9409_R2_00001 0.1494
RFQ
ECAD 4633 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9409 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9409_R2_00001TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 6A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7.8 NC @ 4.5 v ± 20V 870 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
PJL9417_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9417_R2_00001 -
RFQ
ECAD 7126 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) PJL9417 MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-PJL9417_R2_00001DKR 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 15A (TA) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 107 NC @ 10 v ± 20V 6067 pf @ 25 v - 1.7W (TA)
PJF8NA50_T0_00001 Panjit International Inc. PJF8NA50_T0_00001 -
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 pjf8na50 MOSFET (금속 (() ITO-220AB - Rohs3 준수 1 (무제한) 3757-PJF8NA50_T0_00001 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 8A (TA) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 16.2 NC @ 10 v ± 30V 826 pf @ 25 v - 49W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고