SIC
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트랜지스터(102)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 소스-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대)
EPC2032 EPC EPC2032 6.8500
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 ECAD 2 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0040 500 N채널 100V 48A(타) 5V 4m옴 @ 30A, 5V 2.5V @ 11mA 15nC @ 5V +6V, -4V 50V에서 1530pF - -
EPC2308ENGRT EPC EPC2308ENGRT 7.2600
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 ECAD 18 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 7-PowerWQFN EPC2308 GaNFET(질화갈륨) 7-QFN(3x5) 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 3,000 N채널 150V 48A(TC) 5V 6m옴 @ 15A, 5V 2.5V @ 5mA 13.8nC @ 5V +6V, -4V 75V에서 2103pF - -
EPC2018 EPC EPC2018 -
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 ECAD 7576 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 N채널 150V 12A(타) 5V 25m옴 @ 6A, 5V 2.5V @ 3mA 7.5nC @ 5V +6V, -5V 100V에서 540pF - -
EPC2103 EPC EPC2103 9.2800
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 ECAD 4 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC210 GaNFET(질화갈륨) - 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 2 N 채널(하프 다리) 80V 28A 5.5m옴 @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 6.5nC @ 5V 40V에서 760pF -
EPC2110 EPC EPC2110 2.2600
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 ECAD 14 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 분수 EPC211 GaNFET(질화갈륨) - 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 2 N채널(이중) 둘째 소스 120V 3.4A 60m옴 @ 4A, 5V 700μA에서 2.5V 0.8nC @ 5V 80pF @ 60V -
EPC2052 EPC EPC2052 1.5800
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 ECAD 149 0.00000000 EPC - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 8.2A(타) 5V 13.5m옴 @ 11A, 5V 2.5V @ 3mA 4.5nC @ 5V +6V, -4V 575pF @ 50V - -
EPC2037 EPC EPC2037 1.2800
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 ECAD 1 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 1.7A(타) 5V 550m옴 @ 100mA, 5V 80μA에서 2.5V 0.12nC @ 5V +6V, -4V 50V에서 14pF - -
EPC2212 EPC EPC2212 2.9700
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 ECAD 155 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 18A(타) 5V 13.5m옴 @ 11A, 5V 2.5V @ 3mA 4nC @ 5V +6V, -4V 50V에서 407pF - -
EPC2219 EPC EPC2219 1.3200
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 ECAD 8 0.00000000 EPC - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 917-EPC2219TR EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 65V 500mA(타) 5V 3.3옴 @ 59mA, 5V 100μA에서 2.5V 0.064nC @ 5V - 32.5V에서 10pF - -
EPC2305ENGRT EPC EPC2305ENGRT 8.2500
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 ECAD 10 0.00000000 EPC - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 7-PowerWQFN MOSFET(금속) 7-QFN(3x5) 다운로드 ROHS3 준수 2(1년) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 150V 80A(타) 5V 2.2m옴 @ 30A, 5V 2.5V @ 11mA 21nC @ 5V 6V 75V에서 2900pF - -
EPC2015C EPC EPC2015C 4.6200
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 ECAD 19 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 40V 53A(타) 5V 4m옴 @ 33A, 5V 2.5V @ 9mA 8.7nC @ 5V +6V, -4V 20V에서 1180pF - -
EPC2059 EPC EPC2059 4.4500
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 ECAD 32 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 170V 24A(타) 5V 9m옴 @ 10A, 5V 2.5V @ 3mA 7.4nC @ 5V +6V, -4V 836pF @ 85V - -
EPC2031ENGRT EPC EPC2031ENGRT -
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 ECAD 8490 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 N채널 60V 31A(타) 5V 2.6m옴 @ 30A, 5V 2.5V @ 15mA 17nC @ 5V +6V, -4V 300V에서 1800pF - -
EPC2055 EPC EPC2055 2.5400
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 ECAD 24 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 917-EPC2055TR EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 40V 29A(타) 5V 3.6m옴 @ 15A, 5V 2.5V @ 7mA 8.5nC @ 5V +6V, -4V 20V에서 1111pF 기준 -
EPC2039 EPC EPC2039 1.6800
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 ECAD 72 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 80V 6.8A(타) 5V 25m옴 @ 6A, 5V 2.5V @ 2mA 2.4nC @ 5V +6V, -4V 40V에서 210pF - -
EPC2016 EPC EPC2016 -
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 ECAD 7644 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 125°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 11A(타) 5V 16m옴 @ 11A, 5V 2.5V @ 3mA 5.2nC @ 5V +6V, -5V 50V에서 520pF - -
EPC8009 EPC EPC8009 3.3100
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 ECAD 12 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 65V 4A(타) 5V 130m옴 @ 500mA, 5V 2.5V @ 250μA 0.45nC @ 5V +6V, -4V 52pF @ 32.5V - -
EPC2069 EPC EPC2069 6.7400
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 ECAD 8 0.00000000 EPC - 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. - - - EPC20 GaNFET(질화갈륨) - 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 1,000 N채널 40V - - - - +6V, -4V - -
EPC2020 EPC EPC2020 7.8700
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 ECAD 2 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 N채널 60V 90A(타) 5V 2.2m옴 @ 31A, 5V 2.5V @ 16mA 16nC @ 5V +6V, -4V 30V에서 1780pF - -
EPC2038 EPC EPC2038 1.2800
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 ECAD 214 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 500mA(타) 5V 3.3옴 @ 50mA, 5V 2.5V @ 20μA 0.044nC @ 5V +6V, -4V 50V에서 8.4pF - -
EPC2054 EPC EPC2054 1.7700
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 ECAD 30 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 200V 3A(타) 5V 43m옴 @ 1A, 5V 2.5V @ 1mA 4.3nC @ 5V +6V, -4V 100V에서 573pF - -
EPC2066 EPC EPC2066 6.2500
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 ECAD 7 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 1,000 N채널 40V 90A(타) 5V 1.1m옴 @ 50A, 5V 2.5V @ 28mA 33nC @ 5V +6V, -4V 20V에서 4523pF - -
EPC8002 EPC EPC8002 3.1200
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 ECAD 53 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 65V 2A(타) 5V 530m옴 @ 500mA, 5V 2.5V @ 250μA +6V, -4V 21pF @ 32.5V - -
EPC2034 EPC EPC2034 -
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 ECAD 6281 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 N채널 200V 48A(타) 5V 10m옴 @ 20A, 5V 2.5V @ 7mA 8.8nC @ 5V +6V, -4V 100V에서 950pF - -
EPC2106 EPC EPC2106 1.7300
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 ECAD 83 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC210 GaNFET(질화갈륨) - 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 2 N 채널(하프 다리) 100V 1.7A 70m옴 @ 2A, 5V 600μA에서 2.5V 0.73nC @ 5V 75pF @ 50V -
EPC2045 EPC EPC2045 3.9300
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 ECAD 46 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 새로운 디자인에는 적합하지 않습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 100V 16A(타) 5V 7m옴 @ 16A, 5V 2.5V @ 5mA 6.5nC @ 5V +6V, -4V 50V에서 685pF - -
EPC2035 EPC EPC2035 0.9300
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 ECAD 13 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 2,500 N채널 60V 1.7A(타) 5V 45m옴 @ 1A, 5V 800μA에서 2.5V 1.15nC @ 5V +6V, -4V 30V에서 115pF - -
EPC2100ENGRT EPC EPC2100ENGRT 4.9476
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 ECAD 7886 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC210 GaNFET(질화갈륨) - 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 2 N 채널(하프 다리) 30V 10A(타), 40A(타) 8.2m옴 @ 25A, 5V, 2.1m옴 @ 25A, 5V 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V -
EPC2101 EPC EPC2101 2000년 9월
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 ECAD 550 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC210 GaNFET(질화갈륨) - 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 500 2 N 채널(하프 다리) 60V 9.5A, 38A 11.5m옴 @ 20A, 5V, 2.7m옴 @ 20A, 5V 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V -
EPC2015 EPC EPC2015 -
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 ECAD 1686년 0.00000000 EPC eGaN® 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -40°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 분수 EPC20 GaNFET(질화갈륨) 분수 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0040 500 N채널 40V 33A(타) 5V 4m옴 @ 33A, 5V 2.5V @ 9mA 11.6nC @ 5V +6V, -5V 20V에서 1200pF - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

견적요청 목록 (0개 항목)
장바구니 목록 (0개 품목)
Wishlist위시리스트(0개 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량: 1

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