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트랜지스터(102)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	작동 온도	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	기술	파워 - 최대	공급업체 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	소스-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)
EPC2212	2.9700	보상요청	155	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	18A(타)	5V	13.5m옴 @ 11A, 5V	2.5V @ 3mA	4nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 407pF	-	-
EPC2214	1.6100	보상요청	27	EPC	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	80V	10A(타)	5V	20m옴 @ 6A, 5V	2.5V @ 2mA	2.2nC @ 5V	+6V, -4V	40V에서 238pF	-	-
EPC2070	1.5200	보상요청	10	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	1.7A(타)	5V	23m옴 @ 3A, 5V	2.5V @ 1.5mA	2.5nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 386pF	-	-
EPC2071	6.9000	보상요청	4	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	100V	64A(타)	5V	2.2m옴 @ 30A, 5V	2.5V @ 13mA	26nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 3931pF	-	-
EPC2021ENGR	-	보상요청	3931	EPC	eGaN®	컷테이프(CT)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500		N채널	80V	60A(타)	5V	2.5m옴 @ 29A, 5V	2.5V @ 14mA	15nC @ 5V	+6V, -4V	40V에서 1700pF	-	-
EPC2034C	8.8300	보상요청	23	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500		N채널	200V	48A(타)	5V	8m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	11nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 1140pF	-	-
EPC2218A	5.4500	보상요청	29	EPC	자동차, AEC-Q101, eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC2218	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	917-EPC2218ATR	EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	80V	60A(타)	5V	3.2m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 7mA	13.6nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 1570pF	-	-
EPC2302ENGRT	-	보상요청	8541	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	7-PowerWQFN		GaNFET(질화갈륨)		7-QFN(3x5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	3,000		N채널	100V	101A(타)	5V	1.8m옴 @ 50A, 5V	2.5V @ 14mA	23nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 3200pF	-	-
EPC8010	2.1400	보상요청	18	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	4A(타)	5V	160m옴 @ 500mA, 5V	2.5V @ 250μA	0.48nC @ 5V	+6V, -4V	55pF @ 50V	-	-
EPC2016C	2.4500	보상요청	235	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	18A(타)	5V	16m옴 @ 11A, 5V	2.5V @ 3mA	4.5nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 420pF	-	-
EPC2307ENGRT	6.2500	보상요청	9	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	7-PowerWQFN	EPC2307	GaNFET(질화갈륨)		7-QFN(3x5)	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)			EAR99	8541.29.0040	3,000		N채널	200V	48A(타)	5V	10m옴 @ 16A, 10V	2.5V @ 4mA	10.6nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 1401pF	-	-
EPC2204A	3.0100	보상요청	34	EPC	자동차, AEC-Q101, eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC2204	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널	80V	29A(타)	5V	6m옴 @ 16A, 5V	2.5V @ 4mA	7.4nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 851pF	-	-
EPC2067	4.8700	보상요청	7	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	40V	69A(타)	5V	1.55m옴 @ 37A, 5V	2.5V @ 18mA	22.3nC @ 5V	+6V, -4V	20V에서 3267pF	-
EPC2051	1.3200	보상요청	13	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	1.7A(타)	5V	25m옴 @ 3A, 5V	2.5V @ 1.5mA	2.1nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 258pF	-	-
EPC2104ENGRT	-	보상요청	3681	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500	2 N 채널(하프 다리)		100V	23A		6.3m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 5.5mA	7nC @ 5V		50V에서 800pF	-
EPC2619ENGRT	3.6200	보상요청	179	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인								-	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0040	2,500
EPC2102ENGRT	-	보상요청	6141	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500	2 N 채널(하프 다리)		60V	23A(티제이)		4.4m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	6.8nC @ 5V		830pF @ 30V	-
EPC2001C	4.7000	보상요청	100	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	36A(타)	5V	7m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 5mA	9nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 900pF	-	-
EPC2032	6.8500	보상요청	2	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.21.0040	500		N채널	100V	48A(타)	5V	4m옴 @ 30A, 5V	2.5V @ 11mA	15nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 1530pF	-	-
EPC8004	3.0100	보상요청	12	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	40V	4A(타)	5V	110m옴 @ 500mA, 5V	2.5V @ 250μA	0.45nC @ 5V	+6V, -4V	20V에서 52pF	-	-
EPC2306	6.0200	보상요청	8130	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	7-PowerWQFN		GaNFET(질화갈륨)		7-QFN(3x5)	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	3,000		N채널	100V	48A(타)	5V	3.8m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 7mA	16.3nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 2366pF	-	-
EPC2022	8.4700	보상요청	4	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	1,000		N채널	100V	90A(타)	5V	3.2m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 12mA		+6V, -4V	50V에서 1500pF	-	-
EPC2053	6.8800	보상요청	2	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	새로운 디자인에는 적합하지 않습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	48A(타)	5V	3.8m옴 @ 25A, 5V	2.5V @ 9mA	14.8nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 1895pF	-	-
EPC2102	8.7500	보상요청	2	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0095	500	2 N 채널(하프 다리)		60V	23A		4.4m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 7mA	6.8nC @ 5V		830pF @ 30V	-
EPC2036	1.2800	보상요청	26	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	100V	1.7A(타)	5V	65m옴 @ 1A, 5V	600μA에서 2.5V	0.91nC @ 5V	+6V, -4V	50V에서 90pF	-	-
EPC2018	-	보상요청	7576	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 125°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500		N채널	150V	12A(타)	5V	25m옴 @ 6A, 5V	2.5V @ 3mA	7.5nC @ 5V	+6V, -5V	100V에서 540pF	-	-
EPC2014C	1.5300	보상요청	88	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC20	GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	40V	10A(타)	5V	16m옴 @ 10A, 5V	2.5V @ 2mA	2.5nC @ 5V	+6V, -4V	20V에서 300pF	-	-
EPC2101ENGRT	-	보상요청	7986	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	SIC에서는 존재하지 않았습니다.	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수	EPC210	GaNFET(질화갈륨)	-	분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	500	2 N 채널(하프 다리)		60V	9.5A, 38A		11.5m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 2mA	2.7nC @ 5V		300pF @ 30V	-
EPC2215	6.2100	보상요청	19	EPC	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	분수		GaNFET(질화갈륨)		분수	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	2,500		N채널	200V	32A(타)	5V	8m옴 @ 20A, 5V	2.5V @ 6mA	17.7nC @ 5V	+6V, -4V	100V에서 1790pF	-	-
EPC2308ENGRT	7.2600	보상요청	18	EPC	eGaN®	테이프 및 릴리(TR)	활동적인	-40°C ~ 150°C (TJ)	표면 실장	7-PowerWQFN	EPC2308	GaNFET(질화갈륨)		7-QFN(3x5)	다운로드	ROHS3 준수	2(1년)	REACH 영향을 받지 않았습니다.		EAR99	8541.29.0040	3,000		N채널	150V	48A(TC)	5V	6m옴 @ 15A, 5V	2.5V @ 5mA	13.8nC @ 5V	+6V, -4V	75V에서 2103pF	-	-

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(102)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²