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트랜지스터 (1307)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 얻다 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 노이즈 노이즈 (db typ @ f) | 전류 전류 (ID) - 최대 | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CTLDM7120-M621H TR | - |  | 9243 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-xfdfn 노출 패드 | MOSFET (금속 (() | TLM621H | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 100mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2v @ 1ma | 2.4 NC @ 4.5 v | 8V | 220 pf @ 10 v | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | CP692-MPS4992-WN | - | | 2021 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 다운로드 | 1 (무제한) | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 9,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3439 PBFREE | 1.2173 | | 2655 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 1 W. | To-39 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 500 | 350 v | 1 a | 20µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 4ma, 50ma | 30 @ 2MA, 10V | 15MHz | |||||||||||||||||||||||||||
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 | CMLDM5757 TR PBFREE | 0.6300 | | 6 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | CMLDM5757 | MOSFET (금속 (() | 350MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 430ma | 900mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 1.2NC @ 4.5V | 175pf @ 16v | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||
| CP588-HBC556B-CM | - | | 3503 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP588 | 쟁반 | 쓸모없는 | - | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 1514-CP588-HBC556B-CM | 쓸모없는 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6730 30 주석/리드 | 1.5200 | | 4528 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 컷 컷 (CT) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-237AA | 1 W. | TO-237 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 100 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 250ma | 80 @ 50MA, 1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | CET3906E TR PBFREE | 0.4900 | | 12 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CET3906 | 250 MW | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 40 v | 200 MA | - | PNP | 200mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | tip115 | - | | 6927 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | tip115cs | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 v | 2MA | pnp- 달링턴 | 2.5V @ 8MA, 2A | 1000 @ 1a, 4v | 25MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2221 PBFREE | 1.1880 | | 4168 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 1.2 w | TO-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 30 v | 800 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.6V @ 50MA, 500MA | 40 @ 150ma, 10V | 250MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 팁 126 | - | | 7677 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 65 w | TO-220-3 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | TIP126C | 귀 99 | 8541.29.0095 | 400 | 80 v | 5 a | 500µA | pnp- 달링턴 | 4V @ 20MA, 5A | 1000 @ 3A, 3V | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | CXDM4060P TR PBFREE | 0.9000 | | 11 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | CXDM4060 | MOSFET (금속 (() | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | p 채널 | 40 v | 6A (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 6a, 10V | 3V @ 250µA | 6.5 NC @ 4.5 v | 20V | 750 pf @ 25 v | - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | BF244C | - | | 1213 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | 대부분 | 쓸모없는 | - | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP547-MJ11015-CTJ28 | - | | 9183 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP547 | 쟁반 | 쓸모없는 | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BDV65 | - | | 5727 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 12 a | - | NPN | - | 1000 @ 5a, 4V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||
 | 2N1613 PBFREE | 2.2500 | | 215 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 | 3 w | To-39 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 500 | 50 v | 500 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1.5V @ 15ma, 150ma | 40 @ 150ma, 10V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| CMPDM203NH BK | - | | 2794 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-3 3 리드 | MOSFET (금속 (() | SOT-23F | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,500 | n 채널 | 20 v | 3.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 50mohm @ 1.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | 12V | 395 pf @ 10 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| PN3640-5 | - | | 1612 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | 1514-PN3640-5 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 12 v | 80 MA | 50NA | PNP | 600mv @ 5ma, 50ma | 30 @ 10MA, 300MV | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
 | CEDM8001VL TR PBFREE | - | | 7274 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (금속 (() | SOT-883VL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 20 v | 100MA (TA) | 1.5V, 4V | 8ohm @ 10ma, 4v | 1.1V @ 250µA | 0.66 nc @ 4.5 v | 10V | 45 pf @ 3 v | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| 2N4391 PBFREE | 1.4775 | | 1032 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 1.8 w | TO-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n 채널 | 14pf @ 20V | 40 v | 150 ma @ 20 v | 10 V @ 1 na | 30 옴 | 100 PA | ||||||||||||||||||||||||||||
 | CMPT5551E BK | - | | 3172 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 10ma, 5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
| CXT3906 TR PBFREE | 0.7900 | | 28 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-243AA | CXT3906 | 1.2 w | SOT-89 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 40 v | 200 MA | - | PNP | 400mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | PN2906A PBFREE | - | | 2576 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN2906 | 625 MW | To-92-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| TIP36C SL | - | | 3699 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-218-3 | 36 | 125 w | TO-218 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | 100 v | 25 a | - | PNP | - | 10 @ 15a, 4v | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2647 | - | | 7507 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 다운로드 | 적용 적용 수 할 | 2N2647cs | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 6V | - | 300MW | 18 MA | 2 µA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD8003 | - | | 3566 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | 78-6 금속 6 | MD800 | - | To-78-6 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30ma | - | 2 NPN (() | - | 100 @ 1ma, 10V | 260MHz | ||||||||||||||||||||||||||
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 | CMUT2222A BK PBFREE | 0.2700 | | 3449 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-89, SOT-490 | CMUT2222 | 250 MW | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 40 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| CMPT5551E TR | - | | 5506 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 220 v | 600 MA | 50NA | NPN | 100mv @ 5ma, 50ma | 120 @ 10ma, 5V | 300MHz |
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