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트랜지스터 (1307)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	얻다	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	노이즈 노이즈 (db typ @ f)
CP208-TIP31C-CT	-	RFQ	7149	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	주사위			2 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CP208-TIP31C-CTTB	귀 99	8541.29.0095	1,000													100 v	3 a	300µA	NPN	1.2v @ 375ma, 3a	25 @ 1a, 4v	3MHz
2N2270 PBFREE	2.2900	RFQ	7424	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			1 W.	To-39	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	500													45 v	1 a	50NA (ICBO)	NPN	900mv @ 15ma, 150ma	50 @ 150ma, 10V	100MHz
CZDM1003N BK	-	RFQ	5706	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (금속 (()		SOT-223	다운로드		1 (무제한)		CZDM1003NBK	귀 99	8541.29.0095	1	n 채널		100 v	3A (TA)	10V	150mohm @ 2a, 10V	4V @ 250µA	15 nc @ 10 v	20V	975 pf @ 25 v	-	2W (TA)
CMPT5401E TR	-	RFQ	4487	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			350 MW	SOT-23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													220 v	600 MA	50NA	PNP	150mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 5V	300MHz
PN2222A PBFREE	0.4500	RFQ	19	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	PN2222		625 MW	To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,500													40 v	800 MA	10NA (ICBO)	NPN	1V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	300MHz
CTLT853-M833 BK	-	RFQ	5417	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-vdfn d 패드			2.5 w	TLM833	다운로드				1514-CTLT853-M833BK	귀 99	8541.29.0095	1													110 v	6 a	10NA	NPN	340mv @ 500ma, 5a	100 @ 2a, 2v	190mhz
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CJD50 TR13 PBFREE	-	RFQ	7076	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CJD50		1.56 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500													400 v	1 a	200µA	NPN	1V @ 200MA, 1A	30 @ 300ma, 10V	10MHz
2N5963 PBFREE	0.1414	RFQ	3032	Central Semiconductor Corp	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			1.5 w	To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500													30 v	50 MA	2NA (ICBO)	NPN	200MV @ 500µA, 10MA	1200 @ 10ma, 5V	150MHz
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CXDM4060N TR PBFREE	0.9000	RFQ	3	Central Semiconductor Corp	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	CXDM4060	MOSFET (금속 (()		SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000	n 채널		40 v	6A (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	12 nc @ 10 v	20V	730 pf @ 20 v	-	1.2W (TA)
CEN1107	-	RFQ	2942	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-	-	-			-	-	-		1 (무제한)			쓸모없는	0000.00.0000	1		-											-	-		-		-	-	-
2N5793	-	RFQ	7926	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	78-6 금속 6	2N579		-	To-78-6	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1													-	-	-	-	-	-	-
bcy79-viii pbfree	-	RFQ	3557	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-206AA, TO-18-3 금속 캔	bcy79		1 W.	TO-18	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000													45 v	100 MA	15NA (ICBO)	PNP	800mv @ 2.5ma, 100ma	180 @ 2MA, 5V	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (1307)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²