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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 전압 - 출력 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 현재 - 테스트 | 전원 - 출력 | 얻다 | 전압 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 노이즈 노이즈 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전압 - 테스트 | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 | 현재 -볼리 (IV) | 현재 - 피크 |
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![]() | CP775-CWDM3011P-CM | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP775-CWDM3011P-CM | 귀 99 | 8541.29.0095 | 100 | p 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 11a, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 8 v | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-CM | - | ![]() | 1615 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | CP802 | MOSFET (금속 (() | 주사위 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP802-CWDM3011P-CM | 귀 99 | 8541.29.0040 | 100 | p 채널 | 30 v | 11A (TA) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 1a, 10V | 3V @ 250µA | 80 nc @ 10 v | ± 20V | 3100 pf @ 8 v | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
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![]() | TIP31C SL PBFREE | 0.6296 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | 팁 31 | 40 W. | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 v | 3 a | 300µA | NPN | 1.2v @ 375ma, 3a | 25 @ 1a, 4v | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EN2907A | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8004 TR PBFREE | 0.6100 | ![]() | 539 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | CEDM8004 | MOSFET (금속 (() | SOT-883VL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | p 채널 | 30 v | 450MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 1.1ohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.88 nc @ 4.5 v | 8V | 55 pf @ 25 v | - | 100MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | J110 | - | ![]() | 1630 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | To-92 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | J110cs | 쓸모없는 | 8536.69.4040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CP548-2N5116-CT | - | ![]() | 1205 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 주사위 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.29.0040 | 1 | p 채널 | 600 MV | 25pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 v | 1 v @ 1 na | 150 옴 | 50 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CEN1372 BK | - | ![]() | 6278 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 상자 | 쓸모없는 | - | - | - | - | - | 1 (무제한) | CEN1372BK | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | CTLM7110-M832D TR | - | ![]() | 8063 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-tdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | tlm832d | 다운로드 | 1514-CTLM7110-M832DTR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1 | n 채널 | 20 v | 1A (TA) | 1.5V, 4.5V | 250mohm @ 100ma, 1.5v | 1.2v @ 1ma | 2.4 NC @ 4.5 v | 8V | 220 pf @ 10 v | Schottky 분리 (다이오드) | 1.65W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP101-BSS52-WN | - | ![]() | 3974 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 표면 표면 | 주사위 | 800MW | 주사위 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 1514-CP101-BSS52-WN | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 50NA (ICBO) | npn-달링턴 | 1.6v @ 4ma, 1a | 2000 @ 500ma, 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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