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트랜지스터 (306)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환
SMA5125	-	RFQ	2402	산켄	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	12-sip	SMA51	MOSFET (금속 (()	4W	12-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SMA5125 DK	귀 99	8541.29.0095	18	3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지)		60V	10A		140mohm @ 5a, 4v	2V @ 250µA	-		460pf @ 10V	-
SLA5086	9.3600	RFQ	270	산켄	-	튜브	새로운 새로운 아닙니다	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	12-sip 탭 노출	SLA50	MOSFET (금속 (()	5W	12-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SLA5086 DK	귀 99	8541.29.0095	18	5 p 채널, 채널 소스		60V	5a		220mohm @ 3a, 10V	2V @ 250µA	-		790pf @ 10V	논리 논리 게이트
EKI06108	-	RFQ	2058	산켄	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3		MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	EKI06108 DK	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	57A (TC)	4.5V, 10V	9.2MOHM @ 28.5A, 10V	2.5V @ 650µA	38.6 NC @ 10 v	± 20V	2520 pf @ 25 v	-	90W (TC)
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SMA6511	-	RFQ	6704	산켄	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	12-sip	sma65		4W	12-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SMA6511 DK	귀 99	8541.29.0095	18													60V	1.5A, 3A	100µA (ICBO)	4 npn, 1 pnp 달링턴	1.5V @ 2MA, 1A	2000 @ 1a, 4v	-
STA402A	5.1300	RFQ	1	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	10-sip	STA402		4W	10-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	STA402A DK	귀 99	8541.29.0095	800													50V	4a	100µA (ICBO)	4 PNP 달링턴 (쿼드)	2V @ 10MA, 3A	1000 @ 3A, 4V	-
SMA5127	-	RFQ	1221	산켄	-	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	12-sip	SMA51	MOSFET (금속 (()	4W	12-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SMA5127 DK	귀 99	8541.29.0095	18	3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지)		60V	4a		550mohm @ 2a, 4v	2V @ 250µA	-		150pf @ 10V	-
GKI07174	-	RFQ	2847	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	75 v	7A (TA), 26A (TC)	4.5V, 10V	14.5mohm @ 18.9a, 10V	2.5V @ 650µA	33 NC @ 10 v	± 20V	2520 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 59W (TC)
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2SC3835	2.8700	RFQ	1	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			70 W.	to-3p	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	2SC3835 DK	귀 99	8541.29.0075	1,000													120 v	7 a	100µA (ICBO)	NPN	500mv @ 300ma, 3a	70 @ 3A, 4V	30MHz
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2SC3852A	-	RFQ	9734	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩			25 W.	TO-220F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	2SC3852A DK	귀 99	8541.29.0095	1,000													80 v	3 a	10µA (ICBO)	NPN	500mv @ 50ma, 2a	500 @ 500ma, 4V	15MHz
2SB1420	-	RFQ	7726	산켄	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3			80 W.	to-3p	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	2SB1420 DK	귀 99	8541.29.0075	500													120 v	16 a	10µA (ICBO)	pnp- 달링턴	1.5V @ 16MA, 8A	2000 @ 8a, 4v	50MHz
2SC4388	-	RFQ	4031	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩			85 w	to-3pf	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	2SC4388 DK	귀 99	8541.29.0095	1,000													180 v	15 a	10µA (ICBO)	NPN	2V @ 500MA, 5A	50 @ 3a, 4v	20MHz
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GKI10301	-	RFQ	4996	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	5A (TA)	4.5V, 10V	28mohm @ 14.2a, 10V	2.5V @ 650µA	35.8 nc @ 10 v	± 20V	2540 pf @ 25 v	-	3.1W (TA), 59W (TC)
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Ski06106	1.0900	RFQ	4	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		TO-263	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	60 v	57A (TC)	4.5V, 10V	8.8mohm @ 28.5a, 10V	2.5V @ 650µA	38.6 NC @ 10 v	± 20V	2520 pf @ 25 v	-	90W (TC)
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2SC4131	4.7500	RFQ	2	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩			60 W.	to-3pf	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	2SC4131 DK	귀 99	8541.29.0095	1,000													50 v	15 a	10µA (ICBO)	NPN	500mv @ 80ma, 400ma	60 @ 5a, 1V	18MHz
FKI10300	-	RFQ	8500	산켄	-	튜브	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩		MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	FKI10300 DK	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	100 v	23A (TC)	4.5V, 10V	27.9mohm @ 17.1a, 10V	2.5V @ 650µA	35.8 nc @ 10 v	± 20V	2540 pf @ 25 v	-	38W (TC)
SLA5212	-	RFQ	7074	산켄	-	튜브	활동적인	-	구멍을 구멍을	15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드	SLA52	MOSFET (금속 (()	-	15- 지퍼	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SLA5212 DK	귀 99	8541.29.0095	18	6 n 채널 (3 채널 교량)		35V	8a		-	-	-		-	-
SLA5064	11.1500	RFQ	1	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	12-sip 탭 노출	SLA50	MOSFET (금속 (()	5W	12-sip	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SLA5064 DK	귀 99	8541.29.0095	180	3 n 및 3 p 및 (3 상 브리지)		60V	10A		140mohm @ 5a, 4v	-	-		460pf @ 10V	논리 논리 게이트
SKP253	-	RFQ	3197	산켄	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		MOSFET (금속 (()		TO-263	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	SKP253 DK	귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	250 v	20A (TA)	10V	95mohm @ 10a, 10V	4.5V @ 1mA		± 30V	1600 pf @ 25 v	-	40W (TC)
FKP250A	-	RFQ	1277	산켄	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3 p 팩	FKP250	MOSFET (금속 (()		to-3p	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)	FKP250A DK	귀 99	8541.29.0095	1,080		n 채널	250 v	50A (TA)	10V	43mohm @ 25a, 10V	4.5V @ 1mA		± 30V	3800 pf @ 25 v	-	85W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²