SIC
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트랜지스터 (306)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SPF0001 Sanken SPF0001 -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 20-Powersoic (0.295 ", 7.50mm 너비) SPF00 2.5W 20 마력 다운로드 rohs 준수 1261-spf0001tr 귀 99 8541.29.0095 1,400 125V 6A 10µA (ICBO) 2 NPN 120mv @ 12ma, 1.2a 400 @ 1a, 1V -
2SC3284 Sanken 2SC3284 -
RFQ
 ECAD 1124 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 125 w to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC3284 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 14 a 100µA (ICBO) NPN 2V @ 500MA, 5A 50 @ 5a, 4v 60MHz
SLA5068 LF853 Sanken SLA5068 LF853 -
RFQ
 ECAD 9373 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 15-sip SLA50 MOSFET (금속 (() 5W 15-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 180 6 n 채널 (3 채널 교량) 60V 7a 100mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 250µA - 660pf @ 10V -
2SD2560 Sanken 2SD2560 3.6800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SD2560 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 15 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2.5V @ 10MA, 10A 5000 @ 10a, 4v 70MHz
2SD2382 Sanken 2SD2382 -
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 30 w TO-220F - Rohs3 준수 1 (무제한) 1261-2SD2382 귀 99 8541.29.0095 1 65 v 6 a 10µA (ICBO) npn-달링턴 15ma @ 15ma, 1.5a 700 @ 1a, 1v -
FKV575 Sanken FKV575 3.6200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKV575 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 50 v 75A (TA) 10V 10mohm @ 37a, 10V 4.5V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 20V 3200 pf @ 10 v - 40W (TC)
2SC4300 Sanken 2SC4300 -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 75 w to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4300 DK 귀 99 8541.29.0095 500 800 v 5 a 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 400ma, 2a 10 @ 2a, 4v 6MHz
MGF65A4L Sanken MGF65A4L -
RFQ
 ECAD 7248 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 기준 288 w TO-3P-3L 다운로드 rohs 준수 1261-MGF65A4L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 40A, 10ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 65 a 120 a 1.96V @ 15V, 40A 900µJ (on), 900µJ (OFF) 75 NC 40ns/100ns
MGF65A3H Sanken MGF65A3H -
RFQ
 ECAD 3961 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 기준 217 w TO-3P-3L 다운로드 rohs 준수 1261-MGF65A3H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 30A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 90 a 2.73V @ 15V, 30A 500µJ (on), 400µJ (OFF) 60 NC 30ns/90ns
MGF65A4H Sanken MGF65A4H -
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 기준 288 w to-3p 다운로드 rohs 준수 1261-MGF65A4H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 40A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 65 a 120 a 2.37V @ 15V, 40A 700µJ (on), 600µJ (OFF) 75 NC 40ns/100ns
GKI10526 Sanken GKI10526 1.2500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 4A (TA) 4.5V, 10V 47.7mohm @ 9.3a, 10v 2.5V @ 350µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 46W (TC)
DKI10751 Sanken DKI10751 -
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 15A (TC) 4.5V, 10V 70.4mohm @ 7.5a, 10V 2.5V @ 250µA 15.8 nc @ 10 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 32W (TC)
FKV550T Sanken FKV550T -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FKV550 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKV550T DK 귀 99 8541.29.0095 500 n 채널 50 v 50A (TA) 10V 13mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2700 pf @ 10 v - 35W (TC)
2SD2439 Sanken 2SD2439 -
RFQ
 ECAD 1197 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 80 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SD2439 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 10 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2.5v @ 7ma, 7a 5000 @ 7a, 4v 55MHz
2SB1649 Sanken 2SB1649 -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 85 w to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SB1649 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 15 a 100µA (ICBO) pnp- 달링턴 2.5V @ 10MA, 10A 5000 @ 10a, 4v 45MHz
SLA4051 Sanken SLA4051 -
RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 21-SSIP 노출 ip SLA40 - 21-sip w// 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA4051 DK 귀 99 8541.29.0095 250 120V 2A - 9 npn 달링턴 - - -
STA302A Sanken STA302A 4.9700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 8-sip STA302 3W 8-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) STA302A DK 귀 99 8541.29.0095 50 50V 4a 100µA (ICBO) 3 PNP Darlington (이미 터 커플 커플 링) 2V @ 10MA, 3A 1000 @ 3A, 4V -
SMA4021 Sanken SMA4021 -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 12-sip SMA40 4W 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SMA4021 DK 귀 99 8541.29.0095 18 60V 3A 10µA (ICBO) 4 PNP 달링턴 (쿼드) 1.5V @ 4MA, 2A 2000 @ 2a, 4v -
MLD685D Sanken MLD685D 3.8984
RFQ
 ECAD 5035 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MLD685 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 rohs 준수 1261-mld685d 귀 99 8541.29.0095 510 n 채널 60 v 85A 10V 157mohm @ 10a, 10V 3V @ 1mA ± 30V 11500 pf @ 10 v - 150W (TC)
SLA5037 Sanken SLA5037 -
RFQ
 ECAD 9417 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 12-sip 탭 노출 SLA50 MOSFET (금속 (() 5W 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA5037 DK 귀 99 8541.29.0095 180 4 n 채널 100V 10A 80mohm @ 5a, 10V 2V @ 250ma - 1630pf @ 10V 논리 논리 게이트
FKP300A Sanken FKP300A -
RFQ
 ECAD 8575 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FKP300 MOSFET (금속 (() to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKP300A DK 귀 99 8541.29.0095 1,080 n 채널 300 v 30A (TA) 10V 65mohm @ 15a, 10V 4.5V @ 1mA ± 30V 3800 pf @ 25 v - 85W (TC)
SKI07114 Sanken Ski07114 1.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 75 v 62A (TC) 4.5V, 10V 9.3mohm @ 31.2a, 10V 2.5V @ 1mA 57 NC @ 10 v ± 20V 4040 pf @ 25 v - 116W (TC)
SKI03063 Sanken Ski03063 -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 39.5a, 10V 2.5V @ 350µA 24.6 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 15 v - 64W (TC)
2SD2641 Sanken 2SD2641 -
RFQ
 ECAD 3660 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 60 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SD2641 DK 귀 99 8541.29.0075 500 110 v 6 a 100µA (ICBO) npn-달링턴 2.5V @ 5MA, 5A 5000 @ 5A, 4V 60MHz
2SC4546 Sanken 2SC4546 -
RFQ
 ECAD 6287 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 30 w TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4546 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 400 v 7 a 100µA (ICBO) NPN 700mv @ 600ma, 3a 10 @ 3a, 4v 10MHz
SKI06073 Sanken Ski06073 -
RFQ
 ECAD 9796 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 78A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 39a, 10V 2.5V @ 1mA 53.6 NC @ 10 v ± 20V 3810 pf @ 25 v - 116W (TC)
2SA1693 Sanken 2SA1693 2.9800
RFQ
 ECAD 362 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 60 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1693 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 6 a 10µA (ICBO) PNP 1.5v @ 200ma, 2a 50 @ 2a, 4v 20MHz
STA412A Sanken STA412A 6.8600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 10-sip STA412 4W 10-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) STA412A DK 귀 99 8541.29.0095 800 60V 3A 100µA (ICBO) 4 NPN (() 1V @ 10MA, 1A 300 @ 500ma, 4V -
DJR0417 Sanken DJR0417 2.0960
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DJR04 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1261-djr0417tr 귀 99 8541.29.0095 2,800 p 채널 40 v 17A (TC) 4.5V, 10V 12.6MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 1mA 75 NC @ 10 v ± 20V - 48W (TC)
MGD633 Sanken MGD633 -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MGD6 기준 150 W. TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1261-MGD633 귀 99 8541.29.0095 1,440 300V, 50A, 39ohm, 15V 350 ns 도랑 600 v 50 a 100 a 2.4V @ 15V, 50A - 65 NC 75NS/300NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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