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트랜지스터(306)

제품번호	가격(USD)	수량	사용 수량 보유	제조사	시리즈	세트	제품상태	전압 - 정격	작동 온도	응용	장착	세트/케이스	기본 제품 번호	입력하다	기술	파워 - 최대	공급자 장치	데이터 시트	RoHS 현황	민감도특급(MSL)	REACH 상태	다른 이름	ECCN	HTSUS	세트 세트	구성	FET 종류	내구성 인증(암페어)	테스트 조건	천연-소스 전압(Vdss)	끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C	구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐)	Rds On(최대) @ Id, Vgs	Vgs(일)(최대) @ Id	배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs	Vgs(최대)	입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds	FET는	전력량(최대)	역복구 시간(trr)	IGBT	전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대)	전류 - 컬렉터(Ic)(최대)	현재 - 컬렉터(Icm)	Vce(on)(최대) @ Vge, Ic	감정을 에너지	관리요금	Td(켜기/끄기) @ 25°C	- 컬렉터 컷오프(최대)	거주형태	Vce니까(최대) @ Ib, Ic	DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce	전환 - 전환
SMA4020	-	보상요청	2918	캔	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	12-SIP	SMA40			4W, 20W	12-SIP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		SMA4020DK	EAR99	8541.29.0095	180																	60V	4A						10μA(ICBO)	4 PNP 달링턴(쿼드)	1.5V @ 6mA, 3A	2000 @ 3A, 4V	-
2SA1725	2.1000	보상요청	190	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩				30W	TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SA1725DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	80V	6A						10μA(ICBO)	PNP	500mV @ 200mA, 2A	50 @ 2A, 4V	20MHz
SLA4031	-	보상요청	6740	캔	-	튜브	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	12-SIP외 탭	SLA40			5W	12-SIP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		SLA4031DK	EAR99	8541.29.0095	250																	120V	4A						10μA(ICBO)	4 NPN 달링턴(쿼드)	1.5V @ 2mA, 2A	2000 @ 2A, 2V	-
2SD2389	-	보상요청	6239	캔	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				80W	TO-3P	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SD2389DK	EAR99	8541.29.0075	500																	150V	8A						100μA(ICBO)	NPN-달링턴	2.5V @ 6mA, 6A	5000 @ 6A, 4V	80MHz
2SB1647	-	보상요청	1687년	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				130W	TO-3P	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SB1647 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	150V	15A						100μA(ICBO)	PNP-달링턴	2.5V @ 10mA, 10A	5000@10A, 4V	45MHz
GKI03061	1.1200	보상요청	50	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-DFN(5x6)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			30V	14A(타)	4.5V, 10V	6.2m옴 @ 31A, 10V	2.5V @ 350μA	24.6nC @ 10V	±20V	15V에서 1480pF	-	3.1W(Ta), 46W(Tc)
2SK2943	-	보상요청	9261	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SK2943DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N채널			900V	3A(타)	10V	5옴 @ 1.5A, 10V	4V @ 1mA		±30V	10V에서 600pF	-	30W(Tc)
DKI10526	-	보상요청	1481	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			100V	19A(타)	4.5V, 10V	47.7m옴 @ 9.3A, 10V	2.5V @ 350μA	23nC @ 10V	±20V	25V에서 1530pF	-	37W(Tc)
SLA6026	3.4200	보상요청	25	캔	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	12-SIP외 탭	SLA60			5W	12-SIP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		SLA6026DK	EAR99	8541.29.0075	18																	60V	10A						10μA(ICBO)	3 NPN, 3 PNP 달링턴(3상 다리)	1.5V @ 12mA, 6A	2000 @ 6A, 4V	50MHz
GKI06071	-	보상요청	8165	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-DFN(5x6)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			60V	11A(타)	4.5V, 10V	6m옴 @ 34A, 10V	2.5V @ 1mA	53.6nC @ 10V	±20V	3810pF @ 25V	-	3.1W(Ta), 77W(Tc)
SLA6012	-	보상요청	8026	캔	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	12-SIP외 탭	SLA60			5W, 25W	12-SIP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		SLA6012 DK	EAR99	8541.29.0095	250																	60V	4A						10μA(ICBO)	3 NPN, 3 PNP 달링턴(3상 다리)	1.5V @ 6mA, 3A	2000 @ 3A, 4V	-
2SC4138	-	보상요청	9351	캔	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				80W	TO-3P	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SC4138 DK	EAR99	8541.29.0095	500																	400V	10A						100μA(ICBO)	NPN	500mV @ 1.2A, 6A	10 @ 6A, 4V	10MHz
2SC4886	5.4000	보상요청	7	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3 풀팩				80W	TO-3PF	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SC4886 DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	150V	14A						100μA(ICBO)	NPN	2V @ 500mA, 5A	50 @ 5A, 4V	60MHz
FKI10126	-	보상요청	9174	캔	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		FKI10126DK	EAR99	8541.29.0095	50		N채널			100V	41A (Tc)	4.5V, 10V	11.6m옴 @ 33A, 10V	2.5V @ 1.5mA	88.8nC @ 10V	±20V	25V에서 6420pF	-	42W(Tc)
DKI06108	-	보상요청	2128	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63			MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			60V	47A (Tc)	4.5V, 10V	9.1m옴 @ 23.6A, 10V	2.5V @ 650μA	38.6nC @ 10V	±20V	2520pF @ 25V	-	47W(Tc)
2SA1907	-	보상요청	5212	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3 풀팩				60W	TO-3PF	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SA1907 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	80V	6A						10μA(ICBO)	PNP	500mV @ 200mA, 12A	50 @ 2A, 4V	20MHz
2SK3004	-	보상요청	2822	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SK3004DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N채널			250V	18A(타)	10V	250m옴 @ 9A, 10V	4V @ 1mA		±20V	10V에서 850pF	-	35W(Tc)
STA461C	3.6421	보상요청	3885	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	10-SIP	STA461			3.2W	10-SIP	다운로드	RoHS 준수			1261-STA461C	EAR99	8541.29.0095	3,300																	70V	6A						10μA(ICBO)	2 NPN	150mV @ 15mA, 1.5A	400 @ 1A, 1V	-
2SC3852	-	보상요청	4403	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩				25W	TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SC3852 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																	60V	3A						10μA(ICBO)	NPN	500mV @ 50mA, 2A	500 @ 500mA, 4V	15MHz
SLA5022	-	보상요청	3239	캔	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우	60V		범용	스루홀	12-SIP외 탭	SLA50				12-SIP	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)	REACH 영향을 받지 않았습니다.	SLA5022DK	EAR99	8541.29.0095	1,080			6A																						3 PNP 달링턴, 3 N 채널(3상 위치)
DJR0417	2.0960	보상요청	6565	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		-55°C ~ 150°C (TJ)		표면 실장	TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63	DJR04		MOSFET(금속)		TO-252	다운로드	RoHS 준수			1261-DJR0417TR	EAR99	8541.29.0095	2,800		P채널			40V	17A(TC)	4.5V, 10V	12.6m옴 @ 10A, 10V	2.5V @ 1mA	75nC @ 10V	±20V		-	48W(Tc)
MGD622	-	보상요청	9606	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3, SC-65-3	MGD6	기준		90W	TO-3P-3L	다운로드	RoHS 준수			1261-MGD622	EAR99	8541.29.0095	510				300V, 40A, 39옴, 15V											300ns	도랑	600V	40A	60A	2.7V @ 15V, 40A	-	40nC	50ns/200ns
SPF0004	7.0100	보상요청	50	캔	자동차, AEC-Q101	테이프 및 릴리(TR)	활동적인		150°C (TJ)		표면 실장	20-PowerSOIC(0.295", 7.50mm 폭)	SPF00		MOSFET(금속)	2.5W(Tc)	20-HSOP	다운로드	ROHS3 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	1,400	2 N채널(듀얼)				275V	6A(타)		260m옴 @ 6A, 10V	2.6V @ 1mA	-		960pF @ 10V	-
2SB1420	-	보상요청	7726	캔	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3, SC-65-3				80W	TO-3P	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SB1420DK	EAR99	8541.29.0075	500																	120V	16A						10μA(ICBO)	PNP-달링턴	1.5V @ 16mA, 8A	2000 @ 8A, 4V	50MHz
FKI06108	-	보상요청	3790	캔	-	튜브	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩			MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		FKI06108 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N채널			60V	39A(Tc)	4.5V, 10V	8.8m옴 @ 28.5A, 10V	2.5V @ 650μA	38.6nC @ 10V	±20V	2520pF @ 25V	-	38W(Tc)
FKV550N	-	보상요청	6408	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-220-3 풀팩	FKV550		MOSFET(금속)		TO-220F	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		FKV550N DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N채널			50V	50A(타)	10V	15m옴 @ 25A, 10V	250μA에서 4.2V		±20V	10V에서 2000pF	-	35W(Tc)
2SA1860	5.6500	보상요청	1336	캔	-	대부분	활동적인		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-3 풀팩				80W	TO-3PF	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		2SA1860DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																	150V	14A						100μA(ICBO)	PNP	2V @ 500mA, 5A	50 @ 5A, 4V	50MHz
GKI10301	-	보상요청	4996	캔	-	테이프 및 릴리(TR)	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		표면 실장	8파워TDFN			MOSFET(금속)		8-DFN(5x6)	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)			EAR99	8541.29.0095	2,500		N채널			100V	5A(타)	4.5V, 10V	28m옴 @ 14.2A, 10V	2.5V @ 650μA	35.8nC @ 10V	±20V	2540pF @ 25V	-	3.1W(Ta), 59W(Tc)
STD01P	4.3400	보상요청	18	캔	-	대부분	더 이상 사용하지 않는 경우		150°C (TJ)		스루홀	TO-3P-5	성병01			100W	TO-3P-5L	다운로드	RoHS 준수	1(무제한)		STD01P DK	EAR99	8541.29.0095	500																	150V	10A						100μA(ICBO)	PNP-달링턴	2V @ 6mA, 6A	5000 @ 6A, 4V	-
FLD470	1.8169	보상요청	5221	캔	-	대부분	활동적인		150°C		스루홀	TO-220-3 풀팩	FLD47		MOSFET(금속)		TO-220	다운로드	RoHS 준수			1261-FLD470	EAR99	8541.29.0095	1,000		N채널			40V	70A(타)	10V	10.5m옴 @ 10A, 10V	4V @ 1mA		±20V	5100pF @ 10V	-	35W(Tc)

2000+
일일 평균 견적 요청량
30,000,000
표준제품단위
2800+
전세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²