SIC
close

트랜지스터 (306)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SLA4030 Sanken SLA4030 -
RFQ
 ECAD 9329 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 12-sip 탭 노출 SLA40 5W 12-sip 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA4030 DK 귀 99 8541.29.0095 250 100V 4a 10µA (ICBO) 4 npn 달링턴 (쿼드) 1.5V @ 10MA, 2A 2000 @ 2a, 4v -
KGF65A6L Sanken KGF65A6L -
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 KGF65 기준 405 w TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1261-KGF65A6L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 60A, 10ohm, 15V 65 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 180 a 1.96V @ 15V, 60A 1.7mj (on), 1.4mj (OFF) 110 NC 50ns/130ns
FGF65A4L Sanken FGF65A4L -
RFQ
 ECAD 7190 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FGF65 기준 72 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1261-FGF65A4L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 40A, 10ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 65 a 120 a 1.96V @ 15V, 40A 900µJ (on), 900µJ (OFF) 75 NC 40ns/100ns
2SB1647 Sanken 2SB1647 -
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SB1647 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 150 v 15 a 100µA (ICBO) pnp- 달링턴 2.5V @ 10MA, 10A 5000 @ 10a, 4v 45MHz
2SK3800VR Sanken 2SK3800VR -
RFQ
 ECAD 7717 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK3800VR DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 40 v 70A (TA) 10V 6MOHM @ 35A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 5100 pf @ 10 v - 80W (TC)
2SC4138 Sanken 2SC4138 -
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 80 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SC4138 DK 귀 99 8541.29.0095 500 400 v 10 a 100µA (ICBO) NPN 500mv @ 1.2a, 6a 10 @ 6a, 4v 10MHz
DKI03062 Sanken DKI03062 -
RFQ
 ECAD 9339 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 48A (TC) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 31a, 10V 2.5V @ 350µA 24.6 NC @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 15 v - 37W (TC)
2SK3004 Sanken 2SK3004 -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SK3004 DK 귀 99 8541.29.0095 3,750 n 채널 250 v 18A (TA) 10V 250mohm @ 9a, 10V 4V @ 1MA ± 20V 850 pf @ 10 v - 35W (TC)
EKI10198 Sanken EKI10198 -
RFQ
 ECAD 6809 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI10198 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 47A (TC) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 23.4a, 10V 2.5V @ 1mA 55.8 nc @ 10 v ± 20V 3990 pf @ 25 v - 116W (TC)
DKI10526 Sanken DKI10526 -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 19A (TA) 4.5V, 10V 47.7mohm @ 9.3a, 10v 2.5V @ 350µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1530 pf @ 25 v - 37W (TC)
EKI04027 Sanken EKI04027 -
RFQ
 ECAD 8634 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI04027 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 40 v 85A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 82.5a, 10V 2.5V @ 1.5MA 93.7 NC @ 10 v ± 20V 6200 pf @ 25 v - 135W (TC)
SUK3015 Sanken SUK3015 6.2800
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 산켄 - 쟁반 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1261-SUK3015 귀 99 8541.29.0095 2,800 n 채널 300 v 15A (TA) 10V 150mohm @ 7a, 10V 2.5V @ 1mA ± 25V 1800 pf @ 10 v - 89W (TC)
KGF65A4L Sanken KGF65A4L -
RFQ
 ECAD 4467 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 KGF65 기준 288 w TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1261-KGF65A4L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 40A, 10ohm, 15V 60 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 65 a 120 a 1.96V @ 15V, 40A 900µJ (on), 900µJ (OFF) 75 NC 40ns/100ns
FGF65A3L Sanken FGF65A3L -
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 FGF65 기준 72 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1261-FGF65A3L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 30A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 50 a 90 a 1.96V @ 15V, 30A 600µJ (on), 600µJ (OFF) 60 NC 30ns/90ns
2SB1570 Sanken 2SB1570 -
RFQ
 ECAD 2459 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-esip 150 W. MT-200 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SB1570 DK 귀 99 8541.29.0075 250 150 v 12 a 100µA (ICBO) pnp- 달링턴 2.5v @ 7ma, 7a 5000 @ 7a, 4v 50MHz
FKI07174 Sanken FKI07174 -
RFQ
 ECAD 4513 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI07174 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 75 v 31A (TC) 4.5V, 10V 13.6MOHM @ 22.8A, 10V 2.5V @ 650µA 36.2 NC @ 10 v ± 20V 2520 pf @ 25 v - 38W (TC)
KGF65A6H Sanken KGF65A6H -
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 KGF65 기준 405 w TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1261-KGF65A6H 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 60A, 10ohm, 15V 50 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 100 a 2.37V @ 15V, 60A 1.4mj (on), 1.3mj (OFF) 110 NC 50ns/130ns
EKI10126 Sanken EKI10126 -
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 66A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 135W (TC)
SLA5065 Sanken SLA5065 7.7200
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드 SLA50 MOSFET (금속 (() 4.8W 15- 지퍼 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA5065 DK 귀 99 8541.29.0095 180 4 n 채널 60V 7a 100mohm @ 3.5a, 10V 2V @ 250µA - 660pf @ 10V -
2SA1907 Sanken 2SA1907 -
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 60 W. to-3pf 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1907 DK 귀 99 8541.29.0095 1,000 80 v 6 a 10µA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 12a 50 @ 2a, 4v 20MHz
EKI06075 Sanken EKI06075 -
RFQ
 ECAD 7084 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) EKI06075 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 78A (TC) 4.5V, 10V 6.3mohm @ 39a, 10V 2.5V @ 1mA 53.6 NC @ 10 v ± 20V 3810 pf @ 25 v - 116W (TC)
FKG1020 Sanken FKG1020 -
RFQ
 ECAD 4767 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FKG10 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1261-fkg1020 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 100 v 20A (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 8.5a, 10V 2.5V @ 1mA 45 NC @ 10 v -15V 2200 pf @ 10 v - 40W (TC)
MGF65A6L Sanken MGF65A6L -
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 MGF65 기준 405 w TO-3P-3L 다운로드 rohs 준수 1261-MGF65A6L 귀 99 8541.29.0095 1,440 400V, 60A, 10ohm, 15V 65 ns 트렌치 트렌치 정지 650 v 80 a 180 a 1.96V @ 15V, 60A 1.7mj (on), 1.4mj (OFF) 110 NC 50ns/130ns
GKI04031 Sanken GKI04031 2.0600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 17A (TA) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 51a, 10V 2.5V @ 1mA 63.2 NC @ 10 v ± 20V 3910 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 77W (TC)
FKI10126 Sanken FKI10126 -
RFQ
 ECAD 9174 0.00000000 산켄 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FKI10126 DK 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 100 v 41A (TC) 4.5V, 10V 11.6MOHM @ 33A, 10V 2.5V @ 1.5MA 88.8 NC @ 10 v ± 20V 6420 pf @ 25 v - 42W (TC)
2SA1493 Sanken 2SA1493 -
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 3-esip 150 W. MT-200 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1493 DK 귀 99 8541.29.0095 250 200 v 15 a 100µA (ICBO) PNP 3v @ 1a, 10a 50 @ 5a, 4v 20MHz
2SA1568 Sanken 2SA1568 -
RFQ
 ECAD 3777 0.00000000 산켄 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 35 W. TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1568 DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 12 a 100µA (ICBO) PNP 350mv @ 300ma, 6a 50 @ 6a, 1v 40MHz
GKI04048 Sanken GKI04048 1.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 산켄 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 14A (TA) 4.5V, 10V 5mohm @ 35.4a, 10V 2.5V @ 650µA 35.3 NC @ 10 v ± 20V 2410 pf @ 25 v - 3.1W (TA), 59W (TC)
SLA5074 Sanken SLA5074 -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 산켄 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 15-sip 탭 노출 노출, 형성 된 리드 SLA50 MOSFET (금속 (() 4.8W 15- 지퍼 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SLA5074 DK 귀 99 8541.29.0095 180 4 n 채널 (채널 교량) 60V 5a 300mohm @ 3a, 4v 2V @ 250µA - 320pf @ 10V 논리 논리 게이트
2SA1386A Sanken 2SA1386A 4.5000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 산켄 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 130 W. to-3p 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 2SA1386A DK 귀 99 8541.29.0075 1,000 180 v 15 a 100µA (ICBO) PNP 2V @ 500MA, 5A 50 @ 5a, 4v 40MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

RFQ 목록 (0 항목)
카트 목록 (0 항목)
Wishlist위시리스트 (0 항목)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

목록 비교 (0 항목)
검색을 위해 Enter를 누르거나 ESC를 닫습니다