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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	입력 입력	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	테스트 테스트	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	역 역 시간 (TRR)	IGBT 유형	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전류- 펄스 수집기 (ICM)	vce (on) (max) @ vge, ic	에너지 에너지	게이트 게이트	25 ° C @ TD (오프/온)
AOSS21311C	0.4600	RFQ	105	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AOSS213		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	4.3A (TA)	4.5V, 10V	45mohm @ 4.3a, 10V	2.2V @ 250µA	23 nc @ 10 v	± 20V	720 pf @ 15 v	-	1.3W (TA)
AOCA24108E	0.2821	RFQ	7725	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-SMD,, 없음	AOCA24108		MOSFET (금속 (()	2.2W (TA)	6- 알파드프 (alphadfn) (1.79x1.18)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOCA24108etr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			12V	14A (TA)		7.5mohm @ 4a, 4.5v	1.1V @ 250µA	15NC @ 4.5V		-	-
aote21115c	0.2619	RFQ	4625	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AoTe21115		MOSFET (금속 (()	1.5W (TA)	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aote21115ctr	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			20V	5.1A (TA)		40mohm @ 5.1a, 4.5v	950MV @ 250µA	17NC @ 4.5V		930pf @ 10V	-
AOSS21319C	0.3900	RFQ	41	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AOSS213		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		30 v	2.8A (TA)	4.5V, 10V	100mohm @ 2.8a, 10V	2.2V @ 250µA	12 nc @ 10 v	± 20V	320 pf @ 15 v	-	1.3W (TA)
AO8801A_001	-	RFQ	3082	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AO880		MOSFET (금속 (()	1.5W (TA)	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO8801A_001TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			20V	4.5A (TA)		42MOHM @ 4.5A, 4.5V	900MV @ 250µA	11nc @ 4.5v		905pf @ 10V	-
AO4807L_102	-	RFQ	4795	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO480		MOSFET (금속 (()	2W (TA)	8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO4807L_102TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)			30V	6A (TA)		35mohm @ 6a, 10V	2.4V @ 250µA	16NC @ 10V		760pf @ 15V	-
AON6590_001	-	RFQ	2034	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON659		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-Aon6590_001tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	67A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	0.99mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	100 nc @ 10 v	± 20V	8320 pf @ 20 v	-	7.3W (TA), 208W (TC)
AONS660A70F	0.8051	RFQ	6695	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	Aons660		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		700 v	1.7A (TA), 9.6A (TC)	10V	660mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 100 v	-	4.1W (TA), 138W (TC)
AO3493	-	RFQ	1515	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3493TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	80mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	20 nc @ 4.5 v	± 8V	500 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AO3494	-	RFQ	8066	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3494tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	62mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 8V	260 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AO3452	-	RFQ	9062	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3452TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	4A (TA)	2.5V, 10V	52mohm @ 4a, 10V	1.5V @ 250µA	20 nc @ 10 v	± 12V	235 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO3499	-	RFQ	4418	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AO3499tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	3.5A (TA)	1.8V, 10V	85mohm @ 3.5a, 10V	1.2V @ 250µA	10 nc @ 4.5 v	± 12V	325 pf @ 10 v	-	1.4W (TA)
AO3485	-	RFQ	8926	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-Ao3485tr	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		20 v	4A (TA)	1.5V, 4.5V	41mohm @ 4a, 4.5v	900MV @ 250µA	15 nc @ 4.5 v	± 8V	751 pf @ 10 v	-	1.5W (TA)
AOT600A70FL	0.8511	RFQ	7030	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT600		MOSFET (금속 (()		TO-220	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AoT600A70FL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AONS32302	1.2500	RFQ	14	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AONS323		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	56A (TA), 220A (TC)	4.5V, 10V	1.35mohm @ 20a, 10V	2.3V @ 250µA	150 nc @ 10 v	± 20V	6060 pf @ 15 v	-	119W (TC)
AONV210A60	2.0361	RFQ	2934	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-powertsfn	AONV210		MOSFET (금속 (()		4-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,500		n 채널		600 v	4.1A (TA), 20A (TC)	10V	210mohm @ 7.6a, 10V	4V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1935 pf @ 100 v	-	8.3W (TA), 208W (TC)
AOW360A70	1.0612	RFQ	3199	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	AOW360		MOSFET (금속 (()		TO-262	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOW360A70	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		700 v	12A (TC)	10V	360mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	22.5 nc @ 10 v	± 20V	1360 pf @ 100 v	-	156W (TC)
AOB600A70L	1.2660	RFQ	3294	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB600		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	3.5V @ 250µA	15.5 nc @ 10 v	± 20V	870 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AOI600A60	0.5366	RFQ	4836	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드 리드, IPAK	AOI600		MOSFET (금속 (()		TO-251A	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOI600A60	귀 99	8541.29.0095	70		n 채널		600 v	8A (TC)	10V	600mohm @ 2.1a, 10V	3.5V @ 250µA	11.5 nc @ 10 v	± 20V	608 pf @ 100 v	-	96W (TC)
AONS62614T	2.4000	RFQ	6593	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AONS626		MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		60 v	39A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	90 NC @ 10 v	± 20V	3660 pf @ 30 v	-	7.5W (TA), 142W (TC)
AOTF190A60CL	2.4800	RFQ	469	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF190		MOSFET (금속 (()		TO-220F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-AOTF190A60CL	귀 99	8541.29.0095	50		n 채널		600 v	20A (TJ)	10V	190mohm @ 7.6a, 10V	4.6V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 20V	1935 pf @ 100 v	-	32W (TC)
AOB66613L	3.1100	RFQ	5	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphasgt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB66613		MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널		60 v	44.5A (TA), 120A (TC)	8V, 10V	2.5mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	110 NC @ 10 v	± 20V	5300 pf @ 30 v	-	8.3W (TA), 260W (TC)
AOCA32108E	0.8700	RFQ	1639	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음	AOCA32108		MOSFET (금속 (()	3.1W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (3.01x1.52)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수			12V	25A (TA)		3.8mohm @ 5a, 4.5v	1.1V @ 250µA	32NC @ 4.5V		-	-
AOD5B65MQ1E	0.4125	RFQ	3819	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	Alphaigbt ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD5	기준		52 W.	TO-252 (DPAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aod5b65mq1etr	귀 99	8541.29.0095	2,500			400V, 5A, 60ohm, 15V											74 ns	-	650 v	10 a	15 a	2.7V @ 15V, 5A	90µJ (on), 60µJ (OFF)	8.8 NC	7ns/78ns
AODH6600	-	RFQ	2238	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AODH66					-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aodh6600tr	귀 99	8541.29.0095	2,500
AOCA33104E	-	RFQ	7734	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음	AOCA33104		MOSFET (금속 (()	3.1W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (2.98x1.49)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aoca33104etr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널)			12V	30A (TA)		2.8mohm @ 5a, 4.5v	1.2V @ 250µA	36NC @ 4.5V		-	-
AOCA33104A	0.3960	RFQ	6460	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	10-smd,, 없음	AOCA33104		MOSFET (금속 (()	3.1W (TA)	10- 알파드프 (alphadfn) (2.98x1.49)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-aoca33104atr	귀 99	8541.29.0095	8,000	2 n 채널 (채널)			12V	30A (TA)		2.8mohm @ 5a, 4.5v	1.3V @ 250µA	32NC @ 4.5V		-	-
AOK033V120X2Q	16.3538	RFQ	5807	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK033		sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터)		TO-247	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOK033V120X2Q	귀 99	8541.29.0095	240		n 채널		1200 v	68A (TC)	15V	43mohm @ 20a, 15V	2.8V @ 17.5mA	104 NC @ 15 v	+15V, -5V	2908 pf @ 800 v	-	300W (TA)
AOD2144	0.6907	RFQ	6064	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD21		MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOD2144TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		40 v	40A (TA), 120A (TC)	4.5V, 10V	2.3MOHM @ 20A, 10V	2.4V @ 250µA	95 NC @ 10 v	± 20V	5225 pf @ 20 v	-	6.2W (TA), 156W (TC)
AONR20485	0.2253	RFQ	8803	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AONR204		MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-Aonr20485tr	귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널		40 v	14A (TA), 34A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 13a, 10V	2.3V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2430 pf @ 20 v	-	5W (TA), 69W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²