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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AO4619	-	RFQ	3556	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO461	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		30V	-		24mohm @ 7.4a, 10V	2.6V @ 250µA	7.2NC @ 10V		448pf @ 15V	논리 논리 게이트
AON7414	-	RFQ	8260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON741	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	12.5A (TA), 20A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 8a, 10V	2.2V @ 250µA	22 nc @ 10 v	± 20V	595 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 15.5W (TC)
AOSP32368	0.6100	RFQ	939	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AOSP323	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	16A (TA)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 16a, 10V	2.4V @ 250µA	60 nc @ 10 v	± 20V	2270 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOB600A70FL	1.2660	RFQ	2952	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS5 ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB600	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	700 v	8.5A (TC)	10V	600mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250µA	14.5 nc @ 10 v	± 20V	900 pf @ 100 v	-	104W (TC)
AON7407	0.6400	RFQ	162	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		p 채널	20 v	14.5A (TA), 40A (TC)	1.8V, 4.5V	9.5mohm @ 14a, 4.5v	900MV @ 250µA	53 NC @ 4.5 v	± 8V	4195 pf @ 10 v	-	3.1W (TA), 29W (TC)
AO4614BL	-	RFQ	2276	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO4614	MOSFET (금속 (()	2W	8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 및 p 채널		40V	6A (TA), 5A (TA)		30mohm @ 6a, 10v, 45mohm @ 5a, 10v	3V @ 250µA	10.8nc @ 10v, 22nc @ 10v		650pf @ 20V, 1175pf @ 20V	-
AOB12N60FDL	-	RFQ	3810	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	AOB12	MOSFET (금속 (()		TO-263 (D2PAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	800		n 채널	600 v	12A (TC)	10V	650mohm @ 6a, 10V	4V @ 250µA	50 nc @ 10 v	± 30V	2010 pf @ 25 v	-	278W (TC)
AO4419_003	-	RFQ	7585	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		p 채널	30 v	9.7A (TA)	4.5V, 10V	20mohm @ 9.7a, 10V	2.7V @ 250µA	32 NC @ 10 v	± 20V	1900 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AON7400AL	-	RFQ	2753	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-smd,, 리드	AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN (3x3)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	15A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	24 nc @ 10 v	± 20V	1380 pf @ 15 v	-	3.1W (TA), 25W (TC)
AO4484L	-	RFQ	1658	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	10A (TA)	4.5V, 10V	10MOHM @ 10A, 10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 v	± 20V	1950 pf @ 20 v	-	1.7W (TA)
AON2701	-	RFQ	8992	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	Aon27	MOSFET (금속 (()		6-DFN (2x2)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	120mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.5 NC @ 4.5 v	± 8V	700 pf @ 10 v	Schottky 분리 (다이오드)	1.5W (TA)
AOTF5N50FD	0.7056	RFQ	1982	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	마지막으로 마지막으로	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	AOTF5	MOSFET (금속 (()		TO-220F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	500 v	5A (TC)	10V	1.8ohm @ 2.5a, 10V	4.2V @ 250µA	15 nc @ 10 v	± 30V	530 pf @ 25 v	-	35W (TC)
AON6920_001	-	RFQ	8053	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-wdfn n 패드	AON6920	MOSFET (금속 (()	2W, 2.2W	8-DFN-EP (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 n 채널 (채널) 비대칭		30V	15a, 26.5a		5.2MOHM @ 20A, 10V	2.3V @ 250µA	21NC @ 10V		1560pf @ 15V	-
AO6402A	0.1595	RFQ	5916	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO640	MOSFET (금속 (()		6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	7.5A (TA)	4.5V, 10V	27mohm @ 7a, 10V	2.5V @ 250µA	17 nc @ 10 v	± 20V	820 pf @ 15 v	-	2W (TA)
AO3404_101	-	RFQ	1333	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5A (TA)	4.5V, 10V	31mohm @ 5a, 10V	2.4V @ 250µA	6.3 NC @ 10 v	± 20V	310 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
AO4438_101	-	RFQ	6910	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	8.2A (TA)	4.5V, 10V	22mohm @ 8.2a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 4.5 v	± 20V	2300 pf @ 30 v	-	3.1W (TA)
AON6500_001	-	RFQ	3080	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON650	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	30 v	71A (TA), 200a (TC)	4.5V, 10V	0.95mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	145 NC @ 10 v	± 20V	7036 pf @ 15 v	-	7.3W (TA), 83W (TC)
AO3423_102	-	RFQ	3227	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	AO34			SOT-23	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000				2A (TA)
AOD498	-	RFQ	5555	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	AOD49	MOSFET (금속 (()		TO-252 (DPAK)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	2.5A (TA), 11A (TC)	4.5V, 10V	140mohm @ 4.5a, 10V	2.3V @ 250µA	14 nc @ 10 v	± 20V	415 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 45W (TC)
AO4850	-	RFQ	7862	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO485	MOSFET (금속 (()	1.1W	8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		75V	2.3a		130mohm @ 3.1a, 10V	3V @ 250µA	7NC @ 10V		380pf @ 30V	논리 논리 게이트
AON2803	0.2376	RFQ	7954	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 p 채널 (채널)		20V	3.8a		70mohm @ 3.8a, 4.5v	1V @ 250µA	12NC @ 4.5V		560pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO4404BL	-	RFQ	6332	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	30 v	8.5A (TA)	2.5V, 10V	24mohm @ 8.5a, 10V	1.5V @ 250µA	12 nc @ 4.5 v	± 12V	1100 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
AOWF10T60P	-	RFQ	1777	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-262-3 2 팩 팩, i²pak	AOWF10	MOSFET (금속 (()		TO-262F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	785-1655-5	귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	600 v	10A (TC)	10V	700mohm @ 5a, 10V	5V @ 250µA	40 nc @ 10 v	± 30V	1595 pf @ 100 v	-	28W (TC)
AOT20S60L	3.2400	RFQ	2	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT20	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	600 v	20A (TC)	10V	199MOHM @ 10A, 10V	4.1V @ 250µA	19.8 nc @ 10 v	± 30V	1038 pf @ 100 v	-	266W (TC)
AON7452L	-	RFQ	4376	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				AON745				-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000
AON6384	0.2908	RFQ	6161	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	Aon63	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	83A (TC)	4.5V, 10V	3.3mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA	35 NC @ 10 v	± 20V	1330 pf @ 15 v	-	36W (TC)
AO6808	-	RFQ	9801	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-74, SOT-457	AO680	MOSFET (금속 (()	800MW	6TSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수		20V	4.6a		23mohm @ 6a, 4.5v	1V @ 250µA	21NC @ 10V		780pf @ 10V	논리 논리 게이트
AON2801L#A.	-	RFQ	7828	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-wdfn n 패드	AON280	MOSFET (금속 (()	1.5W	6-DFN (2x2)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1	2 p 채널 (채널)		20V	3A		120mohm @ 3a, 4.5v	1V @ 250µA	6.5NC @ 4.5V		700pf @ 10V	논리 논리 게이트
AO4427	-	RFQ	9530	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	12.5A (TA)	4.5V, 10V	12.5A, 20V	3V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 25V	2900 pf @ 15 v	-	3W (TA)
AON6405	-	RFQ	5808	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	AON640	MOSFET (금속 (()		8-DFN (5x6)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	15A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 20a, 10V	1.6V @ 250µA	105 NC @ 10 v	± 20V	5500 pf @ 15 v	-	2.5W (TA), 83W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²