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트랜지스터 (2247)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)
AON7400B_101	-	RFQ	3708	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	AON740	MOSFET (금속 (()		8-DFN-EP (3x3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	5,000		n 채널	30 v	18A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 18a, 10V	2.5V @ 250µA	26 NC @ 10 v	± 20V	1440 pf @ 15 v	-	4.1W (TA), 24W (TC)
AO8808A	0.3675	RFQ	4869	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-TSSOP (0.173 ", 4.40mm 너비)	AO880	MOSFET (금속 (()	1.4W	8-tssop	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	-		14mohm @ 8a, 10V	1V @ 250µA	17.9NC @ 4.5V		1810pf @ 10V	논리 논리 게이트
AOK065V120X2	8.9803	RFQ	5851	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-247-3	AOK065	sic (카바이드 실리콘 접합 접합 트랜지스터)		TO-247	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	785-AOK065V120X2	귀 99	8541.29.0095	240		n 채널	1200 v	40.3A (TC)	15V	85mohm @ 20a, 15V	3.5V @ 250µA	62.3 NC @ 15 v	+18V, -8V	1716 pf @ 800 v	-	187.5W (TJ)
AO3460	0.3600	RFQ	5140	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-SMD, SOT-23-3 변형	AO34	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	650MA (TA)	4.5V, 10V	1.7ohm @ 650ma, 10V	2.5V @ 250µA		± 20V	27 pf @ 30 v	-	1.4W (TA)
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AoT418L	-	RFQ	4877	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SDMOS ™	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT41	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	100 v	9.5A (TA), 105A (TC)	7V, 10V	10MOHM @ 20A, 10V	3.9V @ 250µA	83 NC @ 10 v	± 25V	5200 pf @ 50 v	-	2.1W (TA), 333W (TC)
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AO4488L	-	RFQ	9260	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	대부분	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1		n 채널	30 v	15A (TA)	4.5V, 10V	4.6mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	112 NC @ 10 v	± 20V	6800 pf @ 15 v	-	1.7W (TA)
AO4708	-	RFQ	3785	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	SRFET ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO47	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	15A (TA)	4.5V, 10V	8.7mohm @ 15a, 10V	2.4V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 12V	3360 pf @ 15 v	Schottky Diode (Body)	3.1W (TA)
AO4407AL	-	RFQ	9620	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	AO44	MOSFET (금속 (()		8-SOIC	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	12A (TA)	6V, 20V	11mohm @ 12a, 20V	3V @ 250µA	39 NC @ 10 v	± 25V	2600 pf @ 15 v	-	3.1W (TA)
aony36304	-	RFQ	7465	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powersmd, 평평한 리드	aony363	MOSFET (금속 (()	3.1W (TA), 21W (TC), 3.1W (TA), 31.5W (TC)	8-DFN (5x6)	다운로드			영향을받지 영향을받지	785-aony36304tr			1	2 n 채널 (채널) 비대칭		30V	20A (TA), 51A (TC), 26A (TA), 83A (TC)		5.2mohm @ 20a, 10V, 2.8mohm @ 20a, 10V	2.2V @ 250µA, 1.9V @ 250µA	30NC @ 10V, 40NC @ 10V		1000pf @ 15V	기준
AOC2413	-	RFQ	8702	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 없음	AOC24	MOSFET (금속 (()		4- 알파드프 (alphadfn) (1.57x1.57)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	8 v	3.5A (TA)	1.2V, 2.5V	28mohm @ 1.5a, 2.5v	650MV @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 5V	1935 pf @ 4 v	-	550MW (TA)
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AOT25S65L	2.2741	RFQ	8277	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	AMOS ™	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	AOT25S65	MOSFET (금속 (()		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	650 v	25A (TC)	10V	190mohm @ 12.5a, 10V	4V @ 250µA	26.4 NC @ 10 v	± 30V	1278 pf @ 100 v	-	357W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²